杂质对Gd5（SixGe1-x）4 （x≈0.5）合金结构与磁熵变的影响

采用纯度分别为99.94%和99.2%的稀土金属Gd,配制了Gd5Si1.9Ge2.1和Gd5Si1.72Ge2.28两组合金,研究杂质对Gd5（SixGe1-x）4合金磁熵变的影响原因。粉末衍射结构分析表明，所研究的合金中都有Gd5Si2Ge2相，而采用低纯Gd配制的Gd5（SixGe1-x）4合金中还出现了明显的Gd5（Si，Ge）3相。磁性测量表明，杂质不改变合金中主相的居里温度，即没有改变合金中主相磁性原了的相互作用，但由于低温反铁磁性Gd5（Si，Ge）3相对室温Gd5Si2Ge2相的磁熵变没有贡献，导致Gd5（Si，Ge1-x）4合金在室温附近的磁熵变下降。     

灰口铸铁的焊补工艺

我厂有一机器附件(灰口铸铁),在搬运过程中不慎摔碎,要求焊补,从经济角度考虑,决定用氧乙炔焊补工艺。鉴于灰口铸铁焊接所存在的工艺困难,以及被焊件几何形状为封闭体,不能自由热涨冷缩,所以,最大缺陷是裂纹。如此大的焊件,要整体预热,条件不允许,决定局部预热焊补。具体工艺如下。     

高温合金中钛铌钨和钼的某些晶界析出行为

采用晶粒表面的萃取碳复型技术，观察研究了钛在一种具有大晶粒尺寸的高温合金中的晶界析出行为－晶界（Ti,Mo）C脆性包膜的形成和效应；不同含量的铌对一种高温合金晶界析出相类型、形貌分布、成分和数量的影响；分析讨论了钨和钼等元素对某些高温合金晶界碳化物和硼化物的析出行为存在的直接作用和间接作用。     

D550R系列焊条的焊接电参数分析

采用汉诺威焊接质量分析系统对D550R系列堆焊焊条的焊接电参数进行了精确的统计分析.研究结果表明,可以通过Suw,Siw,∑n(Us),∑n(Is),∑(T1),T3 mean,TC mean等判据来评价焊条与电参数直接相关的工艺性能.为科学分析这类焊条的电参数提供了一种全新的方法.     

薄壁铸造铸态贮氢合金的电化学性能及微观分析

讨论了壁厚(1～10mm)对无钕低铈低钴LPC(NiCoMnAlCuFeSi)5和商用成分Mm(NiCoMnAl)5铸态贮氢合金电化学性能的影响。研究发现：10mm厚的两种合金活化性能均优于1～6mm厚度合金；在0.2C充放电制度下，两种合金的放电容量对铸锭厚度均不敏感，LPC(NiCoMnAlCuFeSi)。合金的最大容量约为285mAh／g，Mm(NiCoMnAl)5合金的放电容量约为300mAh／g；在1C充放电制度下，LPC(NiCoMnAlCuFeSi)5合金的最大容量约为250mAh／g，对壁厚不敏感，Mm(NiCoMnAl)5合金的放电容量为250～280mAh／g，对壁厚敏感，并且前者显示出更好的循环稳定性。造成LPC(NiCoMnAlCuFeSi)。合金电化学性能对冷却速度不敏感的主要原因是元素Cu、Fe和Si的作用；晶胞参数和内应力等因素的交互作用也对该合金的性能有一定的影响。     

铝硅合金氩弧重熔焊缝成形规律的逐步回归分析

利用不同的TIG焊参数在厚度不同的铝硅系合金上施焊，得到9个形状不同的焊缝截面。采用工程上常用的自变量xi的二次完全式作为回归数学模型，对9组试验数据进行逐步回归分析，得出焊缝形状参数(熔深H、熔宽B)与焊接参数(电流I、焊速τ)、板厚δ之间的精确数学关系表达式，找出了铝硅合金表面氩弧重熔时的焊缝成形规律。     

燃气冲击造型的机理及其形成条件

本文较为概括地阐明了燃气冲击造型的紧实机理及燃爆过程,同时,还指出了产生爆轰的条件。     

焊接零部件工艺规划CAPP系统

介绍了为重型机械专门开发的焊接零部件工艺规划CAPP系统。该CAPP系统通过对重型机械焊接零部件特征的归纳总结，确立了对板材、型材和部件三种类型焊接零部件备料工艺工序制定的具体方法。在此基础上，此系统同时完成了工序工时、结构件材料和焊接材料定额的计算和汇总，从而使工艺规划和生产准备工作更加科学，有效地提高了工作效率，缩短了生产周期。     

富Y重稀土对ZM5合金组织和性能影响的研究

以ZM5镁合金为基体材料，以富Y重稀土为添加原料，应用铸造方法制备了稀土镁合金。利用光学金相显微镜（OM）、X衍射分析、拉伸试验和腐蚀试验等方法，考察分析了稀土Y对ZM5合金铸造组织结构、力学性能和腐蚀性能的影响。结果表明，铸态合金中出现了新相Al3La、MgY，它对于减少晶界处第2相的析出、晶粒的细化以及力学性能的提高起着积极作用。同时，稀土的加入明显地改善了合金的腐蚀性能。     

电化学法制备BaMoO_4和SrMoO_4薄膜的生长特性比较研究(I):共性分析

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐(BaMoO4、SrMoO4)薄膜,对制备时间分别为10s直到50min的BaMoO4薄膜和制备时间分别为1min直到100min的SrMoO4薄膜的生长情况进行了SEM测试,并对相应结果进行了对比分析。研究表明:用电化学法制备BaMoO4和SrMoO4晶态薄膜,其生长特性既具有共性,也具有鲜明的个性。其共性特征是:1)成膜机制相同;2)薄膜生长初期就有比较完整的晶核生成;3)晶核和晶粒优先选择在金属基体缺陷(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等)处堆砌和生长;4)基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增加,晶粒的尺寸也随着时间的延长而长大,晶粒逐渐从稀疏分布到布满整个基体;5)在具有白钨矿结构的钼酸盐晶态薄膜的生长过程中,晶体的{111}面总是显露的。其鲜明的个性特征将在另文中讨论。该研究结果对功能晶态薄膜的生长(特别是利用电化学技术制备功能晶态薄膜的生长)和了解及预测白钨矿结构的晶态薄膜的生长习性,均具有重要意义。