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51.
GSMBE GaN膜的电子输运性质研究 总被引:1,自引:2,他引:1
用NH3作氮源的GSMBE方法在晶向为(0001)的α-Al2O3衬底上生长了非有意掺杂的单晶GaN外延膜,GaN膜呈N型导电,室温时的最高迁移率约为120cm2/(V·s),相应的非有意掺杂电子浓度为9.1×1017cm-3.对一些GaN膜进行了变温Hal测试,通过电阻率、背景电子浓度以及Hal迁移率随温度的变化研究了GaN外延膜的导电机理.结果表明,当温度较低时,以电子在施主中心之间的输运导电为主;当温度较高时,以导带中的自由电子导电为主. 相似文献
52.
用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究,结果表明,杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程,所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×1016~4.0×1019cm-3及1.0×1017~2.0×1019cm-3,基于对N型Si外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系,我们用Klaassen模型对实验结果进行拟合,分析了不同散射机制,特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响.此外,样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明,N、P型杂质浓度纵向 相似文献
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55.
钢中加入微量Re ,首先可细化奥氏体晶粒 ,细化显微组织 ;其次 ,有净化、变质作用 ,减少有害气体杂质 ,改善钢的组织性能[1] 。文献[2 ,3 ] 对贝氏体铁素体精细结构进行了仔细的观察 ,但多数涉及它的形貌和表面浮凸。关于贝氏体铁素体与奥氏体的取向关系 ,早期Smith和Mehl[4] 提出 :钢中上贝氏体铁素体与奥氏体的取向关系符合N W关系 ,即 (111) γ ∥ (0 11) α,[110 ]γ∥[10 0 α]。在下贝氏体中则有K S关系 ,即 (111) γ ∥(110 ) α,[110 ]γ∥ [111]α。本文研究了有无稀土元素贝氏体钢的强度和韧性以及通过TEM和HR… 相似文献
56.
Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线. 相似文献
57.
张增照 《电子产品可靠性与环境试验》2007,25(4):6-10
利用系统性能可靠性仿真,对汽车电压调节器的设计及性能进行分析,找出了对其性能可靠性影响最大的元器件,以及对环境温度敏感的元器件;通过提高元器件精度和改善半导体器件的温度特性,对初始设计进行了改进,提高了汽车电压调节器在使用中的性能可靠性. 相似文献
58.
用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-a,相应的电子迁移率为177cm2/(V·s);GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6′;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730cm2/(V·s),相应的电子气面密度为7.6×1012cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50mS/mm(栅长1μm),截止频率达13GHz(栅长0.5μm). 相似文献
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