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提出了一种高隔离度CMOS模拟开关电路设计,用于改善传统模拟开关隔离度有限,机械簧片开关切换时间长等缺点,并将高隔离度模拟开关应用于高精度数字采样阻抗电桥,解决电桥系统采样通道信号切换速度慢、信号泄漏影响矢量电压比率精度的难题。设计的模拟开关结构能够简化数字电桥系统,而且宽频范围内关断隔离度理论值、开关切换速度远优于传统模拟开关,在保证数字采样法阻抗高精度量值溯源前提下,提高阻抗校准速度,实用性强;采用的高精度双级电压跟随器电路用于减少模拟开关导通电阻对电桥桥路的影响。实验结果表明,提出的设计方案能够在1 kHz频率下使得数字采样阻抗电桥系统电压采集通道关断隔离度优于-140 dB,在100 Hz~100 kHz频率范围内实现快速、高精度的阻抗参量计量。 相似文献
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秭归县位于湖北省西部,长江西陵峡两岸,是世界文化名人、伟大爱国诗人屈原的故里,全国唯一的脐橙之乡,全县现辖14个乡镇,国土面积2427平方公里,总人口41.3万人。 相似文献
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为了研究方波脉冲下低温等离子体对聚酰亚胺(polyimide,PI)表面放电的影响,采用介质阻挡放电(dielectric barrier discharge,DBD)在大气压空气中产生功率密度为24.5 W/cm3低温等离子体,并对PI薄膜表面进行不同时间的等离子体改性,通过扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观测其微观形貌、傅里叶红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)研究其化学结构变化,同时测试其表面电导率和耐电晕时间。研究结果表明:等离子体在PI薄膜表面引入了极性官能团;随着改性时间的增大,其表面电导率逐渐增大,而PI薄膜的耐电晕时间则先增大后减小,且当改性时间为10 s时,其耐电晕时间最大,相对于未改性的PI膜提高了17.7%;一定程度的等离子体处理(10 s)可增加PI薄膜表面的电荷扩散速率和电荷注入难度,从而增强耐电晕寿命;处而理时间过长(20 s),则会对薄膜造成严重刻蚀,产生许多沟壑和微孔,加大电荷的注入和对高分子链的破坏,从而减小耐电晕寿命。 相似文献
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为了研究无机纳米粒子掺杂对聚酰亚胺(polyimide,PI)绝缘性能影响,文中利用原位聚合法制备了PI、10%(质量百分数)的PI/SiO_2膜和PI/Al_2O_3膜,测试了其电导率(表面、体积电导率)、热失重(TGA)以及击穿场强,并得到了方波脉冲电压下耐电晕时间随温度的变化曲线。结果表明:PI/SiO_2膜、PI/Al_2O_3膜、PI膜的电导率依次降低,而击穿场强则相反;当失重5%时,PI/Al_2O_3膜和PI/SiO_2膜的热分解温度比纯PI膜分别高了17.5℃和11℃。随着温度的升高,3种薄膜的耐电晕时间都在减小,且2种纳米膜的耐电晕时间都高于纯PI膜;当温度小于210℃时,由于PI/SiO_2膜的电导率最高,所以其耐电晕时间最长;当温度大于210℃时,由于PI/Al_2O_3膜的热导率最高以及热稳定性最好,所以其耐电晕时间最长。无机纳米粒子引入的有机—无机界面以及纳米粒子的高热稳定性是影响PI膜绝缘性能的主要原因。研究为变频电机的匝间绝缘水平的提高提供了理论依据。 相似文献
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聚酰亚胺(polyimide,PI)因其优异的介电特性而应用于高速动车组牵引电机的匝间绝缘中。为了研究等离子体处理对其绝缘性能影响,采用介质阻挡放电(dielectric barrier discharge,DBD)在大气压空气中产生功率密度为24.5W/cm3低温等离子体,并对PI薄膜进行单、双面改性,通过测试接触角、傅里叶红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)、电晕击穿时间等来研究其性能变化。研究结果表明:随等离子体处理时间的增加,薄膜的接触角逐渐下降,而表面能则逐渐增加,等离子体在薄膜表面引入的—NH2、—COOH、—OH等极性亲水基团是其表面性能改变的主要原因;单层PI薄膜的耐电晕时间随改性时间的增加先增大后减小,且当改性时间为10 s时,其耐电晕时间最大,相对于未改性的PI膜提高了17.7%;双面改性双层叠加PI膜的耐电晕时间相较于未改性的双层叠加PI膜提高了30.3%。研究发现,一定程度的等离子体处理(小于10 s)可在PI膜表面引入极性基团,进而增强其表面电荷扩散能力,增大其表面电荷注入难度,提高单、双层薄膜的耐电晕能力。此外,双层薄膜的耐电晕性能的提高还与层间界面的改善有关。 相似文献