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碳化硅浓悬浮体的分散特性和流变性研究 总被引:19,自引:6,他引:19
通过对碳化硅粉体在有机单体介质中的Zeta电位,分散剂用量和浓悬浮体的粘度等的测试及其沉降试验,详细研究了粒径分布较宽的碳化硅粉体(0.2-250μm)的胶体分散特性,沉降行为以及浓悬浮体的流变行为。结果表明,选用适量的分散剂四甲基氢氧化铵可使SiC颗粒的Zeta电位绝对值提高近20mV,调整浆料pH至11.9附近可制备出固相体积分数高达70%的SiC浓悬浮体。该浓悬浮体中粗细SiC颗粒间能达到一稳定的分数,悬浮粒子不会产生明显地沉降,其流变行为符合Quemada模型。 相似文献
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研究了添加0~20%Al2O3(质量分数,下同)的3Y-TZP/Al2O3复相陶瓷在300℃空气环境下退火处理的相变行为,并考察了复相陶瓷的抗弯强度、断裂韧性等力学性能退火处理前后的变化,对相变机理进行了分析.结果表明Al2O3可以有效抑制退火处理过程中氧化锆t→m相变,当Al2O3含量为6%即有明显的抑制效果,而且具有较优的综合性能. 相似文献
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选择Sr_2Co_(x )Nb_(2-x )O_(6-δ)(SCNO)作为电极材料进行了研究。SCNO中Co和Nb具有相近的半径,且共价态差异很小,因此存在本征阳离子无序缺陷。利用第一性原理以及密度泛函理论对SCNO以及存在Co_(Nb)-Nb _(Co)反占位缺陷的SCNO进行了计算。计算结果表明,GGA-PBE函数在修正情况下能够很好的符合实际实验数据。利用该函数计算对比实验数据,可发现O空位对其导电率起到了至关重要的作用。Co与Nb在其正常位置时,Co为+2,+3,+4价(大部分为+3价,+4价极少),Nb为+4,+5价,位于反占位缺陷位置时,Co为+2价,而Nb为+4价。计算结果显示氧空位形成能量大小排序为:Co~(3+)-O-Nb~(5+)Co~(2+)-O-Co~(3+)Nb~(4+)-O-Nb~(5+)。并且Co~(2+)-O-Co~(3+)与Nb~(4+)-O-Nb~(5+)之间电子位移越多,电子斥力会越弱,而空位稳定性越强。因此可得阳离子无序程度越高,电导率也越高。 相似文献
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本文用La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ(LSGM)与Li2CO3/Na2CO3(48/52 at.%)混合盐复合制备了新型的复合电解质材料,并对其制备工艺以及导电特性进行了研究。文中采用以PMMA作为造孔剂制备多孔LSGM陶瓷基体,再与熔融碳酸盐浸润的方式制备致密的LSGM-(Li/Na)2CO3复合电解质。分别采用排水法与压汞法对多孔LSGM基体的孔隙率进行测量。利用XRD对LSGM-(Li/Na)2CO3复合电解质的物相进行分析。利用SEM对LSGM基体及复合电解质的断面形貌进行分析。采用交流阻抗法对复合电解质的电导率进行测试,结果显示其电导率随PMMA加入量的增加而增大,当PMMA加入量为40 wt.%时,电导率在600 ℃达到0.09 S/cm。电导率的阿累尼乌斯曲线在480 ℃附近有一个明显的转折点,主要由于碳酸盐融化后电解质的导电机制发生变化而引起。 相似文献
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采用热压烧结在1680℃下制备得到了(100-x)B_4C-x Ti(x=0~40)(质量分数,%)陶瓷,并研究了Ti(x=0~40)添加量对B_4C陶瓷微观形貌及力学性能的影响。结果表明:Ti元素可以促进B_4C陶瓷的烧结,其相对密度随Ti含量增加先增大后趋于稳定,当Ti添加量达到40%时,样品相对密度约为99.5%。XRD结果表明,样品中除B_4C和未反应的Ti之外,还有Ti C和Ti B_2相出现,且随Ti含量增加,两者的衍射峰逐渐增强;随Ti添加量增加,样品的抗弯强度、硬度以及断裂韧性均增大,在Ti添加量为40%时,分别达到481 MPa、8280 MPa、18.55 MPa·mm~(1/2)。分析其原因认为,由于Ti与B_4C发生界面反应,在界面处生成Ti C和Ti B_2相过渡层,联结了B_4C基体与Ti,起到了桥联增韧的作用,使材料的力学性能得到改善。 相似文献