多孔氧化铝模板上TbFeCo薄膜的制备及磁性能

利用两步阳极氧化方法在玻璃基板上成功制造孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,实验结果表明,孔洞大小范围在10～50nm,孔洞大小可通过氧化电压和氧化温度进行调节,随氧化电压和温度降低而减小.多孔氧化铝底层对其上溅射生长的TbFeCo磁性能有重要影响,多孔氧化铝基底对TbFeCo的畴壁运动有较强的钉扎作用,增大其矫顽力,矫顽力随孔洞的直径增大而减小,从15nm时的4.5×105A/m下降到40nm时的2.8×105A/m,并逐步趋近无AAO膜板时TbFeCo的矫顽力.同时多孔氧化铝基底的引入,使TbFeCo薄膜的矫顽力机制从以磁晶各向异性为主改变为以形状各向异性为主.     

磁光盘多层结构AIN和AlSiN薄膜材料研究

本文研究了磁光材料保护膜ＡＩＮ和ＡＩＳｉＮ薄膜材料，讨论了它们的性能与溅射工艺参数的关系，研究了ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ薄膜对磁光盘材料的保护作用，研究同时表明：ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ保护膜能对磁光材料起干涉增强磁光克尔效应作用。     

具有非磁性中间层的RE-TM双层垂直磁化膜耦合研究

研究了光调制直接重写磁光记录介质中存储层（TbFeCo）和写入层（DyFeCo）中加入TiN非磁性层后的耦合性能。当 TiN层为 3～21A,存储层和写入层层间交换耦合能密度为 0.2～0.3 erg/cm2,如果能精确控制 TiN的厚度,就可以控制层间耦合能,从而改善MO薄膜的读写特性。     

NiO/Co/Cu/Co/NiFe自旋阀多层膜研究

采用射频磁控溅射方法制备了一系列自旋阀多层膜。在Cu/NiFe界面处插入适当厚度的Co薄层,可增强界面处的自旋相关散射,增大自旋阀的MR值。用绝缘材料NiO作钉扎层,在大磁场中淀积了NiO/Co/Cu/Co/NiFe底自旋阀,其最大MR值达6％。     

光调制直接重写磁光多层膜测试方法研究

为了测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能 ,试制了磁光多层膜光调制直接重写特性测试系统。磁光信号检测采用改进差动式检测 ,检测方式仅与磁光克尔角大小有关 ,可以用来作样品的克尔角指示。同时 ,该检测方式由于不受激光功率和盘片反射率变化的影响 ,对光电探测器的温漂特性也有良好抑制作用 ,更适合静态实验的需求 ,可以较好地测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能。     

Ti1-xAlxN薄膜的制备及性能研究

介绍了利用反应溅射法制备Ti1-xAlxN薄膜的工艺过程，测量并分析了Ti1-xAlxN薄膜的光学性能及电阻率与薄膜成分的关系。结果表明，Ti1-zalxN薄膜的折射率和消光系数均随薄膜中Al含量x的增加而减小，电阻率则随x的增加而增大。并从薄膜的基本结构变化过程对实验结果作出解释。     

交换耦合双层膜NiO/Ni81Fe19的基片温度效应研究

用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO／NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响．用振动样品磁强计（VSM）分析了膜的磁特性,结果表明：基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力Hc为184A·m－1,小于室温淀积NiFe膜的Hc（584A·m－1）,且磁滞回线的矩形度更好．室温下淀积NiO（50nm）／NiFe（15nm）双层膜的Hc为4000A·m－1,交换耦会场（HEX）仅为1600A·m－1,磁滞回线的短形度很差,而260℃时淀积的双层膜的Hc下降到3120A·m－1,HEX却增大为4640A·m－1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度TB高达230℃．X射线衍射（XRD）分析了膜的织构,结果表明：室温下淀积NiO膜呈现（220）织构,而260℃时淀积NiO膜呈现（111）织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈（111）织构,但后者晶粒比前者大．     

SmCo(Al,Si)/Cr薄膜磁性能的温度稳定性

用磁控溅射方法结合高温退火的方法在玻璃基片上制备了一种高矫顽力 SmCo(Al,Si)/Cr结构的磁性薄膜,其矫顽力达到 385.48 kA/m(4844 Oe)。研究其在 15℃到 350℃的范围内的磁性能与温度的关系。发现矫顽力随温度单调减小,而剩磁随温度的增加开始是减少的,在 90℃左右达到极小值。然后随温度的增加,在 190℃附近达到极大值。随后温度继续增加,剩磁逐渐减小。     

AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜的制备及其逆磁电效应研究

借助射频磁控溅射成功制备了AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜, 探讨了退火条件对AlN薄膜压电性能和FeCoSiB薄膜磁性能的影响, 并研究了其逆磁电响应。结果显示, 500℃退火处理的AlN薄膜具有高度(002)择优取向和柱状生长结构; 经过300℃退火后FeCoSiB薄膜的磁场灵敏度提高。该磁电复合薄膜的逆磁电电压系数(α_CME)在偏置磁场(H_dc)为875 A/m时达到最大值62.5 A/(m·V); 且磁感应强度(B)随交变电压(V_ac)的变化呈现优异的线性响应(线性度达到1.3%)。这种AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜在磁场或电场探测领域具有广阔的应用前景。     

Cr底层对DyCo薄膜磁性能与结构影响研究

采用磁控溅射法制备了DyCo/Cr非晶垂直磁化膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,有无Cr底层的DyCo薄膜都具有垂直磁各向异性,加入Cr底层能将DyCo薄膜的矫顽力从163kA/m提高到290kA/m.薄膜断面扫描电镜(SEM)照片可以看出,Cr底层能够诱导上层的DyCo薄膜形成柱状结构.这一柱状结构导致了薄膜矫顽力的提高.