NdTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的制备及性能

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了NdTbCo/Cr非晶垂直磁化膜。探讨了溅射功率与溅射时间对薄膜磁性能的影响,发现当溅射功率为250 W,溅射时间为4 min时,垂直膜面方向矫顽力为272.8 kA.m-1,剩磁矩形比达到0.801,可以较好地满足高密度垂直磁记录的要求。研究了Nd掺杂对薄膜磁性能与磁光性能的影响,发现随着Nd掺杂量的增多,薄膜的矫顽力从413.8下降为210.9 kA.m-1,饱和磁化强度与克尔旋转角则分别从144 kA.m-1和0.2720°上升为252 kA.m-1和0.3258°。温度对NdTbCo/Cr薄膜克尔旋转角的影响也与Nd的掺杂量密切相关。     

TiN及AlN薄膜的制备和光学性能研究

研究了反应溅射法制备AlN、TiN薄膜的工艺过程,摸索了用于磁光盘介质层的AlN、TiN薄膜的最佳制备工艺,并研究了采用此工艺制备的AlN、TiN薄膜的光学性能.     

溅射氩气压对TbFeCo薄膜磁和磁光性能的影响

研究了射频磁控溅射氩气压的变化对TbFeCo薄膜的磁和磁光特征的影响，以及不同溅射氩气压下TbFeCo薄膜退火后的特性，溅射氩气压的变化通过改变表面状态影响TbFeCo薄膜矫顽力和克尔角，另外，溅射氩气压的变化会影响被溅射原子轰击薄膜的速度，从而影响TbFeCo薄膜的垂直磁各向异性，矫顽力，磁光点尔效应。     

光调制直接重写磁光多层膜测试方法研究

为了测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能 ,试制了磁光多层膜光调制直接重写特性测试系统。磁光信号检测采用改进差动式检测 ,检测方式仅与磁光克尔角大小有关 ,可以用来作样品的克尔角指示。同时 ,该检测方式由于不受激光功率和盘片反射率变化的影响 ,对光电探测器的温漂特性也有良好抑制作用 ,更适合静态实验的需求 ,可以较好地测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能。     

NiO/Co/Cu/Co/NiFe自旋阀多层膜研究

采用射频磁控溅射方法制备了一系列自旋阀多层膜。在Cu/NiFe界面处插入适当厚度的Co薄层,可增强界面处的自旋相关散射,增大自旋阀的MR值。用绝缘材料NiO作钉扎层,在大磁场中淀积了NiO/Co/Cu/Co/NiFe底自旋阀,其最大MR值达6％。     

具有非磁性中间层的RE-TM双层垂直磁化膜耦合研究

研究了光调制直接重写磁光记录介质中存储层（TbFeCo）和写入层（DyFeCo）中加入TiN非磁性层后的耦合性能。当 TiN层为 3～21A,存储层和写入层层间交换耦合能密度为 0.2～0.3 erg/cm2,如果能精确控制 TiN的厚度,就可以控制层间耦合能,从而改善MO薄膜的读写特性。     

Ag底层对TbFeCo薄膜磁性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了TbFeCo/Ag非晶垂直磁化膜，研究了Ag底层厚度对TbFeCo薄膜磁性能的影响。原子力显微镜、振动样品磁强计与磁光盘测试仪测量结果表明：薄的银底层具有较高的表面粗糙度可以显著增大TbFeCo薄膜的矫顽力，改善TbFeCo薄膜的磁光温度特性，该薄膜有望用作高密度垂直记录介质与光磁混合记录介质。     

磁光盘多层结构AIN和AlSiN薄膜材料研究

本文研究了磁光材料保护膜ＡＩＮ和ＡＩＳｉＮ薄膜材料，讨论了它们的性能与溅射工艺参数的关系，研究了ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ薄膜对磁光盘材料的保护作用，研究同时表明：ＡＩＮ及ＡｌＳｉＮ保护膜能对磁光材料起干涉增强磁光克尔效应作用。     

Cr底层对DyCo薄膜磁性能与结构影响研究

采用磁控溅射法制备了DyCo/Cr非晶垂直磁化膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,有无Cr底层的DyCo薄膜都具有垂直磁各向异性,加入Cr底层能将DyCo薄膜的矫顽力从163kA/m提高到290kA/m.薄膜断面扫描电镜(SEM)照片可以看出,Cr底层能够诱导上层的DyCo薄膜形成柱状结构.这一柱状结构导致了薄膜矫顽力的提高.     

AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜的制备及其逆磁电效应研究

借助射频磁控溅射成功制备了AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜, 探讨了退火条件对AlN薄膜压电性能和FeCoSiB薄膜磁性能的影响, 并研究了其逆磁电响应。结果显示, 500℃退火处理的AlN薄膜具有高度(002)择优取向和柱状生长结构; 经过300℃退火后FeCoSiB薄膜的磁场灵敏度提高。该磁电复合薄膜的逆磁电电压系数(α_CME)在偏置磁场(H_dc)为875 A/m时达到最大值62.5 A/(m·V); 且磁感应强度(B)随交变电压(V_ac)的变化呈现优异的线性响应(线性度达到1.3%)。这种AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜在磁场或电场探测领域具有广阔的应用前景。