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11.
采用铸造镶嵌法制备了Al_2O_3复相陶瓷/高铬铸铁复合材料。利用化学气相沉积技术在陶瓷增强体表面形成Ti涂层,研究Ti涂层对复合材料形成,以及涂层、两种陶瓷增强体对复合材料磨粒磨损性能的影响。结果表明:陶瓷增强体表面的Ti涂层,可明显改善复合材料的界面结合;复合材料相对于高铬铸铁,耐磨性均得到较大的提高(约50%)。对同一种陶瓷增强体的复合材料来说,陶瓷增强体经过表面改性的复合材料耐磨性优于陶瓷增强体表面未改性的复合材料,耐磨性提高幅度大约为10%。  相似文献   
12.
桑可正  范力  郭吉  李红伟 《材料导报》2016,30(10):117-120
采用预置芯等方法对重力SHS法制备的陶瓷内衬层厚度进行控制,研究预置芯大小、SiO_2添加量等对陶瓷层厚度与组织的影响,考察冷却工艺对陶瓷层组织与性能的影响。研究结果表明,随着预置芯直径增大,陶瓷层厚度先增大后减小;在预置芯直径一定的情况下,随着SiO_2含量的增加,陶瓷层厚度增加。添加适宜的SiO_2有利于获得组织细小而致密的陶瓷层。冷却速度快,凝固组织细化,陶瓷层硬度高;冷却速度慢,熔体分离充分,陶瓷层组织均匀,陶瓷层和钢管结合更加紧密,抗热震性能好。  相似文献   
13.
张瑜  桑可正  曾德军  刘朵 《硅酸盐通报》2020,39(6):1930-1935
通过在多孔莫来石晶须框架表层喷涂渗入莫来石溶胶后烧结的方法制备鸟喙复合结构莫来石材料.结果 表明,莫来石溶胶由于自身粘性在多孔晶须框架表面层内积累,经不同次数的喷涂并干燥后,1 500℃烧结,可得到具有不同表面致密层厚度的框架复合结构.当喷涂次数从5次增加到15次时,表面致密层的厚度从10 μm增加到150 μm,复合结构的气孔率由65.2%下降到57.8%;与此同时,试样的抗弯强度从36 MPa逐渐增加到了62 MPa;抗压强度也由51 MPa增加到89 MPa.除去整体气孔率下降对试样强度的影响,强度的额外增加,源于所形成的复合结构.  相似文献   
14.
SHS铸渗法制备表面Al_2O_3-TiC铁基复合材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
桑可正  郭吉  范力  梁欣  张勇 《铸造技术》2014,(10):2285-2288
利用Ti-C和Al-Fe2O3反应体系,采用SHS铸渗法在球铁表面制备复合材料。研究物料配比对铸渗层微观组织和磨损性能的影响。结果表明,形成表面复合材料的适宜配比为Ti-C体系55%+Al-Fe2O3体系40%+硼砂5%,Al与Fe2O3的质量比为2∶5。铸渗层中原位生成的Al2O3和TiC颗粒分布在Fe基固溶体上。低应力切削磨损条件下,铸渗层的磨损率仅为球铁基体的1/3,且其磨损率随磨程的增加而降低。  相似文献   
15.
无压浸渗法制备SiC/Al复合材料的抗弯强度研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
万春锋  桑可正 《铸造技术》2005,26(11):1036-1038
通过无压浸渗法制备了SiC/Al复合材料,分析了颗粒大小、颗粒级配、淀粉含量等因素对复合材料抗弯强度的影响.结果表明:随着淀粉含量增加和SiC颗粒尺寸的减小,浸渗后形成的复合材料抗弯强度增大.通过颗粒级配方法制备的SiC/Al复合材料的抗弯强度比大颗粒的强度高,比小颗粒的低.  相似文献   
16.
马氏体磨料磨损特性的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对20Cr,40CrSi,T8,T10 4种材料所获得的单相马氏体组织二体磨粒磨损、静载与动载三体磨粒磨损的耐磨性进行了研究,结果表明:在各种磨损条件下,马氏体的耐磨性与其固溶碳量的平方根呈抛物线关系,抛物线峰值点所对应的马氏体最佳固溶碳量,其与磨损条件有关,当磨损过程中塑变磨损比例增大时,马氏体最佳固溶碳量降低,而切削磨损比例增大时,则马氏体最佳固溶碳量升高.  相似文献   
17.
在SiC-Si中加入Ni、Ti或B4C形成SiC-Si-Ni、SiC-Si-Ti及SiC-Si-B等复相陶瓷材料。研究了不同温度下的干摩擦磨损行为与机理。探讨了在摩擦表面形成固体润滑与液体润滑,以改善摩擦磨损性能的两种途径在SiC-Si复相陶瓷上实现的可行性。结果表明,通过摩擦反应在表面形成固体润滑膜,是改善SiC-Si复相陶瓷干摩擦性能的有效途径。  相似文献   
18.
对MPX-2000盘销式摩擦磨损试验机进行改装,增添了加热及相应的控制和冷却系统。改装工作未对原试验机零件进行再加工而只添加了部分零件,从而使改装后的试验机很容易恢复原状并保证精度。改装的试验机数据最大偏差小于5%,可用于800℃以下的摩擦磨损试验,温度偏差小于2.5%。  相似文献   
19.
刘琪  桑可正  曾德军 《表面技术》2022,51(3):226-233
目的 改善金属与SiC的润湿性,避免金属熔渗过程中损伤多孔SiC基体.方法 采用氧化烧结法制备了多孔SiC基体,再采用溶胶氢还原法于900℃在多孔SiC表面制备了WC+W2C涂层.通过X射线衍射仪和扫描电子显微镜研究了涂层的结构和组成,以及热处理温度、时间和溶胶吸收次数对涂层的影响.结果 热处理温度为900~1100℃...  相似文献   
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