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41.
利用SO1-Gel二步水解法制备了TiO2/SiO2复合薄膜材料,对样品在空气气氛中进行加热,再于不同温度下进行了退火处理.采用XRD以及Raman谱表征了样品的微结构,并通过紫外可见透射谱研究了样品的光学特性.结果表明,样品的光学特性与样品中SiO2含量存在依赖关系,并分析了相应机理. 相似文献
42.
高k栅介质的研究进展 总被引:3,自引:0,他引:3
随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小.SiO2栅介质将无法满足Metal-oxide-semniconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求.因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点.介绍了不断变薄的SiO2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题. 相似文献
43.
利用单片机和AD转换器TLC549实现5-50V输入电压的有效值的检测。系统由电压转换电路、AD转换电路、单片机处理电路、显示电路、按键电路和电源电路等组成。文章介绍了对各个电路的设计。系统简单、能实现要求功能,稍微修改一下电路参数值,可实现更高输入电压的转换。 相似文献
44.
本文使用S3C2440芯片和其内部的RTC芯片实现电子时钟系统的设计。介绍S3C2440内部RTC时钟芯片的工作原理,以及程序实现的过程。 相似文献
45.
主要描述了在LTE网络的场景中eMBMS业务承载方案。首先介绍了eMBMS的业务模型和流向特点,其次,分析了主流的几种承载网络实现技术。最后,分析了eMBMS业务的端到端承栽方案。 相似文献
46.
研究了H13模具钢的常规马氏体(油淬火+580℃回火)和无碳化物贝氏体(300℃等温处理)的相变行为,以及显微组织对其冲击磨损性能的影响。结果表明:试验钢经贝氏体等温后形成了由板条状贝氏体铁素体和残留奥氏体组成的无碳化物贝氏体组织;贝氏体铁素体+残留奥氏体组织的冲击磨损性能在磨损后期(1.5和2.0 h)优于马氏体组织。这是由于马氏体组织容易产生微裂纹,产生大量犁削,从而导致耐磨性能降低,而无碳化物贝氏体组织在冲击磨损过程中使表层发生剧烈的塑性变形,诱导微观组织中的残留奥氏体转变成α相铁素体,能够阻止试验钢基体在冲击磨损过程中产生切削,从而提高其耐磨性。 相似文献
47.
48.
与一般的金属(Al,Cu,Ag和Au)及其硅化物相比,过渡金属硅化物具有更高的电导率和良好的热稳定性,受到广泛关注.其中,稀土金属与硅形成的稀土硅化物具有优异的光学、电子学性质,对新功能材料的开发起到重要作用.本文综述了稀土硅化物的特性、制备技术及其进展.介绍了稀土金属硅化物在器件方面的应用. 相似文献
49.
对机载布撒器雷达散射截面(RCS)进行了计算研究,采用面元法进行目标几何建模,采用求解高频电磁场的物理光学法 RCS 计算。通过计算得到了布撒器全方位雷达散射截面积结果,并与实验测试结果进行了比较分析。为布撒器气动—隐身一体化设计时 RCS 的减缩提供了参考依据。 相似文献
50.