自结合碳化硅耐冲蚀磨损性能的研究

采用磨蚀减重法及显微结构分析等方法，研究了反应烧结碳化硅的抗冲蚀磨损性能。结果表明ＲＳＳＣ抵抗低角冲蚀性能优良，耐高角度冲蚀能力主要与晶粒间第二相有关，提出了ＲＳＳＣ耐磨材料的设计原则，将其用于工业实验，取得良好效果。     

酚醛树脂对反应烧结碳化硅显微结构与性能的影响

以碳化硅(w(SiC)=99%,d50=5μm)、炭黑(w(C)=99.8%,d50=0.38μm)和单质硅(w(Si)=98.6%)为原料,无水乙醇(w(乙醇)=99.6%)、热塑性酚醛树脂(0.074μm、工业级)为结合剂,乌洛脱品为固化剂,以50 MPa的单向压力,分别将采用干混工艺、湿混工艺混合、干燥后的物料压制成型为50 mm×5 mm的生坯,在N2保护下经800℃焙烧、炭化处理,有机物热降解后得到陶瓷素坯。研究了酚醛树脂在不同加入量(其质量分数分别为4%、8%、10%、12%、16%)及混练工艺(干混、湿混)对反应烧结碳化硅素坯强度和烧结体显微结构的影响,并采用SEM和光学显微镜分析了试样的显微结构和断面形貌。结果表明:当酚醛树脂加入量为12%时,采用湿混工艺可以制备出具有良好可浸渗性且抗折强度高达45 MPa的素坯,完全可以满足复杂异型件在烧成以前进行机械加工的要求,烧结体的抗折强度最高可达455 MPa。与干混工艺相比,用湿混工艺制成烧结体的显微结构更加均匀,晶粒更加细小,裂纹扩展更加曲折。     

用低纯碳化硅微粉烧结碳化硅陶瓷

用工业尾料低纯W3.5 μm SiC微粉为原料,在N2保护下烧结碳化硅(SiC)陶瓷.研究了低纯SiC微粉中杂质对SiC陶瓷力学性能的影响,对比了微粉提纯后材料的性能与结构.通过扫描电镜、金相显微镜分析材料的显微结构.结果表明:微粉杂质中SiO2、金属氧化物在SiC烧结温度下的放气反应是影响陶瓷材料力学性能的主要因素.由低纯SiC粉制得的材料的烧结密度达到(3.15±0.01)g/cm3,抗折强度达到(441±10)MPa.     

pH值对包覆改性SiC料浆分散特性和流变性的影响

通过zeta电位、沉降实验、流变特性、粘度等测试表征pH值对包覆改性SiC料浆分散特性和流变性的影响。研究表明:以偶联剂作为基础层,有机聚电解质作为分散功能层的有机包覆改性SiC粉体主要通过静电空间位阻效应实现稳定分散,调节pH值可以控制接枝聚合物水解产物的解离方式,从而改变了颗粒表面的电荷种类和电荷密度,包覆改性粉体的流动特性也发生变化。调整料浆pH值约11可制备出固相体积分数达56％、表观粘度为568 MPa·s的稳定料浆。     

消泡剂对改性SiC料浆注浆成型工艺性能的影响

研究了3种不同类型的消泡剂对一种有机包覆改性SiC料浆的稳定性和流变特性的影响 ,及消泡剂的表面张力与其消泡效果和坯体密度之间的关系.结果表明:3种消泡剂对料浆稳定性的影响都不大,随着非/阴离子复配消泡剂用量的增加,料浆由涨流型流体逐渐转变为假塑型流体,当其加入量为质量分数的0.1%时,料浆在低剪切速率(＜80 s-1) 下的粘度最低,注浆成型坯体密度最高.当有机硅消泡剂的表面张力最低时,消泡效果最好 ,但注浆成型坯体密度却不高.     

以单质Si、C原料制备反应烧结碳化硅的研究

以 C- Si坯体融渗 Si的方法制备反应烧结碳化硅 ,研究了坯体中 Si含量对素坯结构、物相组成以及材料性能的影响。 C转化为 Si C时的体积效应是引起坯体毛细管阻塞的主要原因。 Si粉的掺入提供了精细地调整坯体结构的手段 ,使 Si C的转化率得以提高。烧结过程研究表明 ,预掺 Si使部分 Si C的合成反应提前进行 ,反应发热得以减缓。当调整坯体中 C含量为 0 .84 g/ cm3时 ,制得了密度与断裂强度分别为 3.0 9g· cm- 3和 5 5 0± 2 5 MPa的反应烧结碳化硅材料     

表面包覆改性技术在陶瓷技术中的应用

包覆改性技术对于解决超细粉特别纳米尺寸粉体的团聚问题,改善粉体表面性能有着重要作用,本文阐述包覆改性技术在制备新型陶瓷中的运用,介绍了基本表面包覆改性技术,同时介绍当前在制备新型陶瓷中人们运用表面包覆改性技术的进展情况。     

碳化硅悬浮浆料粘度损失研究

用硅烷偶联剂对1.2μSiC粉接枝改性,和100μSiC粉调制浆料,研究了SiC粉表面Zeta电位和浆料固相体积含量、粘度增量之间的关系;在碱性条件下,SiC表面水解是导致Zeta电位变化和浆料粘度损失的原因。考察了润湿剂烷基聚氧乙烯醚(Alcohol Ethoxylate,AEO)对浆料Zeta电位和粘度损失的影响,...     

碳化硅材料的氧化及抗氧化研究

本文在简要介绍SiC材料的氧化机理之上，就人们在改善SiC材料的抗氧化性能方面的工作做了一个小结。     

颗粒形貌对硅碳棒挤出坯体密度的影响

采用不同的整形方法对粗(d50为140μm、600μm)、细(d50为7μm、20μm)两种SiC粉进行整形,分析整形前后SiC粉的球形度和SEM图,对比不同球形度粉的振实相对密度和整形前后粉挤出成形素坯密度。结果表明,振实相对密度和素坯密度随着颗粒球形度的增加而逐渐提高,对细粉整形比粗粉更利于素坯密度的提高。