U2010B相位控制IC及应用

U2010B是美国Atmel公司生产的一种相位控制IC。基于U2010B的相位控制电路主要用于电机控制,具体的应用有磨床、钻床、汽锤、电锯、水泵、清洗机、搅拌机、剪草机、真空吸尘器、电风扇及空调系统等。主要特点U2010B采用16引脚DIP或SO封装,引脚排列如图1所示,引脚功能如附表所列。U2010B的主要特点:(1)电源电压(-Vs)最大值被限制在16.5V,电源电流(-Is)≤3mA;(2)输出触发电流典型值是125mA,并具有自动重新触发功能;(3)电压和电流同步;(4)负载电流限制可编程;(5)电机控制带负载电流反馈和过载保护;(6)软启动时间可根据需要由外部电容设…     

利用时域二维数据幅度加权的目标信号增强方法北大核心CSCD

穿墙雷达回波成分复杂,往往同时存在着目标信号、噪声、杂波、RFI干扰等各种成分。针对回波中目标信号与其他信号的分布特点,提出一种利用时域二维数据进行幅度加权的目标信号增强方法并给出两种具体实现算法。该方法基于十字型滑动窗口处理思想,利用每组滑窗对应的快、慢时间域二维数据计算加权系数,并对快、慢时间域交叠处的回波数据进行幅度加权处理,通过对全部回波数据的滑窗加权遍历,提高目标信噪比和信杂比。理论分析和仿真结果表明,当快时间域和慢时间域上的回波信号与杂波、噪声功率比之和高于0dB时,所提方法仅需一到两次加权处理即可有效增强目标信号。将新方法应用于穿墙雷达实测数据中,有效抑制了近距离处耦合干扰剩余的不利影响,增强了目标信号幅度,有利于后续目标检测及特征提取。     

电子封装用SiC_p／Cu复合材料制备与性能

采用挤压铸造方法制备了体积分数为55％、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp／Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律。显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率。复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大。     

端到端语音接续时延优化策略研究

对于网络呼叫建立时延产生的原因进行了深入的研究,从信令分析人手详细分析现网导致接续时延过长的各个因素,并提供了缩短呼叫建立时延的解决方案.     

电气自动化在电气工程中的应用

电气自动化控制技术属于在电气工程应用领域中较为常见的一种技术,电气自动化的主要技术特点在于结合了多种自动控制和自动检测功能,可以实现电气系统的整体的自动化调节,还可以在系统运行过程中实现实时监测,非常有利于整体电气系统的控制和管理,可以为整体电气系统运行提供保障,维护电气系统的正常运行。本文从电气自动化以及电气工程的概述入手,综合分析了电气自动化应用的构成形式,最后对电气工程中自动化技术的应用优势进行了完整总结。     

纳米硅薄膜的特点及其制备技术

作为一项新一半导体薄膜技术，阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点；着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。     

PowerLux^TM IGBT的性能特点及其在CFL电子镇流器中的应用

摩托罗拉公司生产的ＯＰｏｗｅｒＬｕｘ＾ＴＭＩＧＢＴ,要用ＳＯＴ２２３或ＴＯ９２封装,开关频率达５０ｋＨｚ,在ＩＣ＝４００ｍＡ下的开态压降仅约１．５Ｖ,适合地在ＣＦＬ电子镇流器中用作功率开关。本文介绍了ＰｏｗｅｒＬｕｘ＾ＴＭＩＧＢＴ的性能特点及其应用。     

X波段GaN HEMT内匹配器件

自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从1E-4A量级减小到了1E-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性. 采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压为33V时,器件连续波输出功率为18.2W,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0%. 2.5mm×4 GaN HEMT内匹配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益7.2dB,功率附加效率39%.     

UCDOS汉字系统下一个实用FORTRAN图形子程序

本文提供了一个UCDOS汉字系统下的FORTRAN图形子程序。它利用UCDOS特殊显示模块中的作图功能,可在屏幕上较精确地画出不同颜色的水位、流量或雨量过程线。在水文模拟和水文气象预报等工作中,需要对照计算与实测过程线时,该程序特别实用。