亲子乐园空调送风方式的数值模拟研究

大型综合室内亲子乐园属于高大空间,设有游乐设施和游戏的特殊性使得对空间的舒适性要求一致,但是送风气流遇阻严重,室内存在较多气流死角,影响室内空气质量和儿童健康。因此其空调设计不仅需要考虑温度、风速的空间均匀度,还要考虑各点的空气龄和PMV-PPD指标。以天津某亲子乐园为研究对象,利用scSTREAM软件对适用于该房间的辐射供冷加新风、置换通风、混合通风三种空调方式的送风效果进行数值模拟分析,从流场的均匀性、人员的热舒适性等方面对模拟结果进行探讨,研究结果表明辐射供冷加新风方式的空间均匀性和PMV指标最佳,混合通风方式的空气龄最小。     

鲁甸县乐马厂银矿观音山矿段矿床特征及找矿标志简析

乐马厂银矿观音山矿段内矿体(群)主要赋存于断层破碎岩带及破碎带附近上、下盘岩层中,其形态与断层形态及断层上部牵引背斜形态特征较为密切,其矿床成因类型属构造控矿、热液改造成矿型层控矿床。     

浅谈数控火焰切割机切割质量控制

在工业生产中,数控火焰切割机是比较常用的数控下料设备,与其他切割下料设备相比,数控火焰切割机工作效率更高也更先进。在目前激烈的市场竞争环境下,企业为了提高工作的生产效率,一般会选择数控火焰切割机进行工作。但是在实际工作中,因为其特殊的切割方法导致切割后的材料表面出现不同的损伤,从而严重影响了产品质量。本文主要就数控火焰切割机切割出现的质量问题进行探讨,进而提出利用数控火焰切割机控制质量的方案。     

大势·之趋——本刊专访行业翘楚解析2015中国汽车后市场所趋之势

察市场之所趋,方能成其大势。在经历了2013年跌宕波折、2014年的新品叠出之后,2015年国内汽车后市场所趋之势何在?在第11届AAITF深圳展会上,本刊编辑部特别就技术动向、市场走势、模式分析等话题,专访了天派电子(深圳)有限公司总裁欧阳旭、上海畅星信息科技有限公司董事长陈刚、中国电信车联网基地常务副总经理江晓炜、深圳市车航健汽车数码科技有限公司董事长刘耀、钛马车联网创始人兼总裁叶志华、厦门瑞忆科技有限公司董事长陈柏谚、深     

离心泵振动噪声分析及声优化设计研究

离心泵装置在我们的生活中随处可见,在一定程度上为我们的生产和发展带来了巨大的帮助,但是,其在运行时产生的噪声却对我们身心健康带来了较大的影响,因此,文章通过下文对离心泵振动噪声及声优化设计相关方面的内容进行了阐述,进而为有关研究人员提供一定的借鉴作用。     

DCS分布式冷却系统在通信基站的应用研究

针对基站柜式空调耗电量大的问题,创造性地使用基站分布式冷却的方式,达到精确送风,节能高效的目的.在应用实践中检验了分布式冷却系统实际节能量和应用效果,总结出分布式冷却系统应用场景和范围,为更大范围推广应用DCS分布式冷却系统提供实践依据.     

基于单片机的指纹签到

本文在原有学习程序的基础上给出了可以再重新开机的情况下正常使用签到机的方法,这种方法可以使数据写入FLASH中,在开机的时候读出来以防止新数据覆盖旧数据,并且详细介绍了软件中的写记事本和读记事本。     

THE effect of Srandom DOPANT fluctuation on threshold voltage and drain current variation in junctionless nanotransistors

We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel.