全文获取类型
收费全文 | 12033篇 |
免费 | 559篇 |
国内免费 | 399篇 |
专业分类
电工技术 | 883篇 |
综合类 | 672篇 |
化学工业 | 2284篇 |
金属工艺 | 584篇 |
机械仪表 | 1275篇 |
建筑科学 | 1065篇 |
矿业工程 | 291篇 |
能源动力 | 205篇 |
轻工业 | 1596篇 |
水利工程 | 442篇 |
石油天然气 | 349篇 |
武器工业 | 56篇 |
无线电 | 1005篇 |
一般工业技术 | 874篇 |
冶金工业 | 348篇 |
原子能技术 | 155篇 |
自动化技术 | 907篇 |
出版年
2024年 | 73篇 |
2023年 | 256篇 |
2022年 | 264篇 |
2021年 | 284篇 |
2020年 | 242篇 |
2019年 | 279篇 |
2018年 | 259篇 |
2017年 | 143篇 |
2016年 | 142篇 |
2015年 | 210篇 |
2014年 | 520篇 |
2013年 | 373篇 |
2012年 | 500篇 |
2011年 | 556篇 |
2010年 | 559篇 |
2009年 | 593篇 |
2008年 | 613篇 |
2007年 | 590篇 |
2006年 | 607篇 |
2005年 | 574篇 |
2004年 | 502篇 |
2003年 | 469篇 |
2002年 | 408篇 |
2001年 | 375篇 |
2000年 | 355篇 |
1999年 | 285篇 |
1998年 | 222篇 |
1997年 | 227篇 |
1996年 | 250篇 |
1995年 | 221篇 |
1994年 | 211篇 |
1993年 | 170篇 |
1992年 | 174篇 |
1991年 | 157篇 |
1990年 | 199篇 |
1989年 | 195篇 |
1988年 | 146篇 |
1987年 | 109篇 |
1986年 | 99篇 |
1985年 | 100篇 |
1984年 | 97篇 |
1983年 | 66篇 |
1982年 | 71篇 |
1981年 | 63篇 |
1980年 | 42篇 |
1979年 | 27篇 |
1978年 | 10篇 |
1958年 | 17篇 |
1957年 | 10篇 |
1956年 | 10篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
在MgO坩埚中于1600℃下进行了CaO=25~50%的CaO—MgO_(sat)—SiO_2—FeO_n(及少量MnO、Al_2O_3和CaF_2)渣系与铁液之间的L_p,平衡实验。通过多种回归方程的比较,得出该实验条件下磷平衡分配比的最佳表达式为 lg(%P)/[%P]=0.0491[(%CaO)+0.7(%MgO)]+2.5lg(%TFe)+0.5lg(%P_2O_5)-3.505 N=34,R=0.939,S=0.117其S值较Healy公式的(S±0.4)小。并且。(1)当[(%CaO)+0.7(%MgO)]/(%TFe)=2时,(%P)/[%P]值最大,(2)(%P)/[%P]随(%Fe_2O_3)/[(%Fe_2O_3)+[(%FeO)]的增大和(%SiO_2)的减少而增大的关系十分显著。从而提出生产中应控制(%TFe)=1/2[(%CaO)+0.7(%MgO)],提高(Fe_2O_3)含量和降低(SiO_2)含量。 相似文献
92.
该文将不锈钢焊心的电阻率作为焊条工艺性能研究中的一种单独组成部分进行研究,测试并总结出不锈钢焊心的电阻率随其合金组元及所在温度而变化的规律,说明其对焊条抗发红性能产生的一定影响。 相似文献
93.
全金属反射光学系统结构的有限元分析 总被引:3,自引:1,他引:2
用有限元分析方法对全金属反射光学系统在各种受力状态下的变形、应力及固有频率做了全面的分析,并给出了结构多次优化后的分析结果。 相似文献
94.
95.
96.
97.
98.
我国手工纸博物馆新近在四川省夹江县落成并开始预展。博物馆介绍了自公元105年蔡伦发明造纸术后我国造纸业的发展及对外传播的情况,展出了自明、滑以来生产的国画纸、文化用纸等实物资料200多件以及近年来所生产的91个 相似文献
99.
应用SolidWorks软件,建立了螺杆压缩机机体三维实体模型.对螺杆压缩机机体的内、外螺旋面的建模进行了分析和研究,提出了建立分段螺旋面模型的基本思路和方法. 相似文献
100.
β-SiC晶须的生长及微观结构研究 总被引:4,自引:1,他引:3
以高岭土、超细碳粉为原料,采用高温碳热还原方法合成出性能良好的β-SiC晶须。运用XRD,SEM,TEM,EDAX等分析检测技术研究了该晶须的结晶特征及生长机理。结果表明:晶须沿<111>方向具有平行的堆垛层错,横断面呈正三角形,晶须顶端存在螺旋位错。该方法生产的β-SiC晶须,其生长过程为“VS”机理。 相似文献