SOI MOSFET寄生双极晶体管效应的研究

研究了硅膜掺杂浓度,厚度和硅化物厚度等工艺条件对SOIMOSFET寄生双极晶体管增益的影响。提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益。原因是：①基区杂质浓度增加,减弱了发射极向基区注人多子,增强了基区向发射区的少子注入;②增加硅化物厚度会增加其横向扩展,减小发射极的注入效率。     

截止频率53GHz的高性能0.18μm射频nMOSFET

阐述了0.18μm射频nMOSFET的制造和性能.器件采用氮化栅氧化层/多晶栅结构、轻掺杂源漏浅延伸结、倒退的沟道掺杂分布和叉指栅结构.除0.18μm的栅线条采用电子束直写技术外,其他结构均通过常规的半导体制造设备实现.按照简洁的工艺流程制备了器件,获得了优良的直流和射频性能:阈值电压0.52V,亚阈值斜率80mV/dec,漏致势垒降低因子69mV/V,截止电流0.5nA/μm,饱和驱动电流458μA/μm,饱和跨导212μS/μm(6nm氧化层,3V驱动电压)及截止频率53GHz.     

数字水印技术的研究

作为版权保护的重要手段，数字水印技术得到了广泛的应用。他利用数据隐藏技术将特别的信息隐藏在数字产品中，达到标识和保护著作权的作用。首先对数字水印技术的特征和简单分类进行了介绍．然后重点讨论了当前的一些典型算法和常见的攻击方法，并对水印技术的实际应用进行了探讨和分析．最后提出了一些该领域中目前尚待解决的问题。     

可编程控制器在型砂配制上的应用

本文介绍了型砂配制的工艺，用ＰＣ对其进行了控制，获得了良好地控制效果。     

一种新型反时限过流保护在皮带运输监控系统中的实现

在某皮带运输监控系统中,需要对电机电流进行检测以实现对电机的过流保护。在常规反时限过流保护特性的基础上,结合电机保护实际情况,提出一种适合在皮带运输监控系统上实现的微机型的改进反时限过流保护算法,并计算出过电流保护的动作时间,给出整定系数。此算法计算量小,易于实现,能够满足实际功能要求。目前已在某焦化厂的皮带运输监控系统中应用,经测试实验能够满足实际功能要求,电机的机电保护性能得到大大增强。     

0.8 μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究

研究了0.8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0.8μmPDSOI CMOS工艺.经过工艺投片,获得了性能良好的器件和电路.其中,当工作电压为5 V时,基于浮体SOI CMOS技术的0.8μm 101级环振单级延时为49.5 ps;基于H型栅体引出SOI CMOS技术的0.8μm 101级环振单级延时为158 ps.同时,对PDSOI CMOS器件的特性,如浮体效应、背栅特性、反常亚阈值斜率、击穿特性和输出电导变化等进行了讨论.     

总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 64k静态随机存储器

在国内首次使得1.2μm部分耗尽SOI 64k静态随机存储器的抗总剂量能力达到了1×106 rad(Si),其使用了SIMOX晶圆. 在-55～125℃范围内,该存储器的数据读取时间几乎不变.在经过剂量为1×106 rad(Si)的总剂量辐照后,该存储器的数据读取时间也几乎不变,静态功耗仅从辐照前的0.65μA变化为辐照后的0.8mA,远远低于规定的10mA指标;动态功耗仅从辐照前的33mA变化为辐照后的38.1mA,远远低于规定的100mA指标.     

基于混合遗传算法的SOI MOSFET模型参数提取

通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法,这种改进的遗传算法可用于提取SOI MOSFET模型参数.用这种方法提取了基于中国科学院微电子研究所开发的标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOSFET模型参数,用此模型模拟的数据与测试数据吻合很好,与商业软件相比精度得到了明显的提高.这种方法与商业软件使用的传统的方法相比,不需要对SOI MOSFET模型有非常深入的了解,也不需要复杂的计算.更深入的验证表明,该模型适用的器件尺寸范围很广.     

SOI 动态阈值MOS 研究进展

随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的SOI DTMOS可以有效地解决这个问题。本文介绍了四种类型的SOI DTMOS器件．其中着重论述了栅体直接连接DTMOS、双栅DTMOS和栅体肖特基接触DTMOS的工作原理和性能．具体分析了优化器件性能的五种方案,探讨了SOI DTMOS存在的优势和不足。最后指出,具有出色性能的SOI DTMOS必将在未来的移动通讯和SOC等低压低功耗电路中占有一席之地。