一种带声纳传感器的恒张力同步调速系统

本文阐述了sonar传感器在同步调速系统中的应用，同时分析了sonar恒张力调节器的工作原理．     

提高SOI器件和电路性能的研究

在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能;源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益;而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用.研究发现,采用综合加固技术的nMOS器件,抗总剂量的水平可达1×106rad(Si).     

新型多栅全耗尽SOI器件研究进展

随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制能力能够有效地解决尺寸缩小带来的短沟道效应问题[1].本文主要介绍SOI/MOSFET单栅、平面双栅、FinFET、三栅、环绕栅、G4-FET等新型多栅全耗尽SOI器件的研究进展.     

全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型

提出了一种简化的全耗尽SOIMOSFET闽值电压解析模型。该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算。通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性。因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义。     

纳米氮化硅／丁腈橡胶复合材料的制备与性能研究

用粒径为20nm的纳米氮化硅（Si3N4）填充丁腈橡胶（NBR）制备纳米橡胶复合材料，用16^#大分子偶联剂对纳米Si3N4进行表面处理，研究了复合材料的力学性能和热老化性能等。结果表明，纳米Si3N4的加入在一定程度上提高了NBR的撕裂强度、拉伸强度、耐磨性等，明显降低内耗，改善了橡胶的动态力学性能和耐热老化性能；初步的台架试验显示，添加0．5-1．5质量份左右纳米Si3N4的NBR油封制品使用寿命得到大幅提高。     

基于“城市经济学”的地方高校双语教学实践与思考

双语教学使学生在掌握专业知识的同时,还能够同时使用中英文两种语言进行专业学习和思考,是我国高等教育改革发展、与国际接轨的必然趋势。双语教学在中国高校目前还处于尝试之中,为了适应这一教学模式,达到理想的教学效果,必须通过实践和理论总结以探索适合各类课程的建设办法。文章以城市规划专业"城市经济学"双语教学为例,分析"城市经济学"开展双语教学的可行性,介绍了双语课程建设的实践,并对地方高校双语教学建设进行了思考。     

我做女儿的营养师

女儿佳艺四个月的时候，有一天我正用小勺给她喂水，突然小勺在女儿的口腔中发出清脆的响声。咦，什么东西？仔细一看．在女儿上门牙的位置，竟然萌出了一颗小牙。虽然只是“小荷才露尖尖角”．但还是令全家人惊喜不已。这个消息更是以最快的速度蔓延到亲属家里，待尽人皆知时，女儿的两颗洁白的门牙已经错落地婷婷而出了。     

固支矩形板固有频率分析的功的互等定理法

利用板的挠曲面微分方程和振型方程在数学上及力学上的相似性,提出了分析矩形板固有频率的功的互等定理法。通过设定满足位移边界条件的振型函数并进行适当的转换,可方便地得到固支矩形板自由振动的频率方程。     

切割曝光技术及其在器件研究上的应用

本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术,用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅表面沟ＰＭＯＳＦＥＴ,它具有良好的器件特性和抵制短沟道效应的能力．对不同沟长ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳＦＥＴ的研究表明,当沟道长度从２．０μｍ降至０．５μｍ时,表面沟ＰＭＯＳ管阈值电压的变化（ΔＶＴ）约为６０ｍＶ,而ＮＭＯＳ管相应ΔＶＴ为１１０ｍＶ．计算机模拟的切割曝光和单线曝光立体图象也清楚地表明,切割曝光方法对于消除二次谐波影响,提高分辨率具有一定作用．     

边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响

就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管,并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流。分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘泄漏通路,但是在有源扩展区部分,由于LOCOS技术引起的硅膜减薄和剂量损失仍就促使了边缘背栅阈值电压的降低。