Ar等离子体改性PTFE膜接枝丙烯酸研究

研究利用Ar等离子体为引发手段对聚四氟乙烯(PTFE)膜进行表面处理,最终实现在PTFE膜表面接枝丙烯酸.通过XPS和ATR-FTIR对改性膜的表面进行表征,表明在PTFE膜的表面形成一层聚丙烯酸(pAAc)薄膜.PTFE-g-pAAc膜的表面亲水性及其表面稳定性比等离子改性PTFE膜(PTFE modified by plasma)具有较大的改善,克服了等离子体改性效果不稳定的缺点.本研究拓展了PTFE膜材料在其他各相关领域的应用,对其他高分子材料也有一定的借鉴意义.     

具身智能建造——“数字工匠”视角下的建筑文化传承与创新思考

数字工具的介入正在重塑传统建筑文化。智能设计算法和数字建造工具的进步预示着具身智能建造时代的到来。回归当下,智能建造的主体正处于从人到机器的过渡阶段。在此阶段,“数字工匠”以人机共生的模式对建造过程中的“身体”进行增强,塑造当代的具身智能建造主体。这种人机共生模式的机制如何？它又会带来怎样的建筑结果？文章聚焦“数字工匠”概念,从感知力、思考力和实现力三个方面,结合性能化设计、机器人建造等案例,探讨人机协作下的具身智能建造方式,以及对传统建筑中空间、形式、材料的影响。     

战略型设备管理智慧平台架构设计

将设备管理分为3个层次,即作业管控层、专业管理层和战略决策层,将3层管理映射成信息空间的数字虚体,实现决策、管理和作业一体化管控.通过设备编码、岗位编码及标准作业流程模型,将设备、岗位及维修作业流程映射到信息系统中,实现对一线作业的标准化、精细化、集中管控;通过科学设置设备管理业务模块以及各模块间的关联关系,实现各业务...     

类液晶作为高性能有机场效应晶体管的有源层（英文）

高载流子迁移率和器件性能的一致性对于有机场效应晶体管在阵列和集成电路上的应用至关重要.然而,同时具备高性能和小批间差的方法当前仍然是个挑战.本论文在原子力显微镜和偏振荧光显微镜表征的基础上,报道了在PTCDI-C₁₃分子模板上生长具有大晶畴的dif-TES-ADT类液晶状薄膜的方法.我们进一步将所获得的薄膜用作有机场效应晶体管的载流子传输通道,其饱和载流子迁移率高达1.62±0.26 cm²V^-1s^-1.更重要的是,在重复三个批次之间,每次50个器件的迁移率批间差仅为16%.这一发现为设计材料和器件结构以同时实现高载流子迁移率和器件均匀性提供了一种新思路.     

基于酒店建筑的多能源互补系统“三效益”分析研究

酒店一直以来都是高能耗、高排放的一类建筑,如何减少酒店建筑的能耗以节约能源是一个值得关注的问题。多能互补是一种将可再生能源进行综合利用的手段,在酒店建筑中采用多能互补系统将会取得良好的节能、经济、环保效益。因此,文章以某酒店建筑为例进行建模,基于冬季供暖负荷特性对酒店建筑中的多能互补系统进行“三效益”的综合评价。结果表明：太阳能+空气源的多能互补系统的节能量为5.809×10⁶MJ,比常规系统更加节能;在寿命周期内的总节省费用为1191.426万元,高于初投资增量,其费效比和回收年限分别为0.287元/kW·h、7.35年;计算工况下该系统下转换的二氧化碳减排量、二氧化硫减排量、粉尘减排量分别为7343.41kg、59.4608kg、29.7304kg,具有良好的环保效益。     

LCC谐振充电IGBT开关Marx发生器

为满足Marx发生器的充放电脉冲工作要求,提出采用恒导通时间-恒频率控制策略的LCC串并联谐振变换器作为IGBT开关Marx发生器的充电电源.利用Pspice软件和等效模型模态方法对断续模式工作的LCC变换器实现软开关的原理进行分析,给出设计原则.仿真结果表明变换器能够以较高效率满足Marx发生器从短路到开路的宽范围变动工作特性的充电要求,实现高达1kHz重复频率变频变脉宽稳定运行.所提出的方法为研发制造紧凑型一体化高重复频率Marx发生器式功率脉冲电源开辟了一条新路.     

航空装备保障任务规划系统体系结构研究

航空装备保障任务规划系统,采用基于三层结构的数据管道方法,用MSSQL Server2000作为数据库开发平台,并利用SQL自带的OLAP Server建立大型多维数据库,前台软件选用Delphi7,通过开放式数据接口实现连接。系统由数据源,数据的知识化处理、辅助决策、可视化表达4部分组成,通过建立多维数据库,利用数据库分析工具从大量数据中提取有效信息。     

反应温度对碳热还原法合成SiC-B4C复合粉末烧失率和物相组成的影响

以硼酸、硅溶胶、片状石墨为原料,采用碳热还原法制备SiC-B_4C复合粉末。研究了反应温度对SiC-B_4C复合粉末的烧失率和物相组成的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、激光粒度分析仪(LPSA)对实验样品的物相组成、粒度大小及其分布进行分析。结果表明:在反应温度达到1500℃以上时,采用碳热还原法可以成功合成出SiC-B_4C复合粉末。合成SiC-B_4C复合粉末的最适温度与硼酸用量有关。当硼酸用量为理论配比时,合成SiC-B_4C复合粉末的适宜反应温度为1500℃;当硼酸过量30%时,合成Si C-B_4C复合粉末的适宜反应温度为1550℃。当硼酸过量30%时,在1550°C下合成的SiC-B_4C复合粉末中位粒径为0.14μm。