煤泥水在反向流化床中的絮凝沉降研究

絮凝流场对煤泥水絮凝沉降效率有重要影响。流化床在床层中有丰富的流化颗粒诱导的微涡旋,有望为煤泥水的高效絮凝沉降提供一种新的解决方案。在优化的药剂制度下,利用反式流化床分别进行了单级流化和两级流化絮凝沉降试验,以絮凝体大小、分形维数和溢流水浊度为指标,分析了流化床的速度梯度G和停留时间T等动力学参数对絮凝效果的影响。结果表明,以3 mm保利龙小球为充填介质的单级流化,表观流速为2.75 cm/s、初始充填高度为16 cm时可获得平均粒径约0.35 mm的致密絮体,溢流浊度为4.8 NTU,效果最好;在流化床中充填8 cm高的3 mm保利龙小球和16 cm高的5 mm PP球组成的两级流化床可得到直径大于0.5 mm的均匀致密絮体。研究结果表明,流化床的表观速度决定着床层中流体的流动状态,进而对絮凝效果起决定性作用。G和GT值与絮凝效果没有明确的相关性,但GT值与絮体的分形维度近正相关。合理配置的两级流化床能够提供速度梯度递减、涡旋尺度递增的水力学条件,与絮体成长过程需求相吻合,可以获得粒度达到523 mm,溢流浊度3.5 NTU,分形维数1.91的絮体,优于搅拌流场絮凝。     

大化水电厂受油器浮动瓦烧瓦原因分析及处理

2007年8月后大化水电厂3号机组受油器大小铜瓦甩油量逐步增大,压油泵启动频繁,2008年春分解受油器检查发现,受油器大小铜瓦磨损严重并有明显的烧瓦现象,经分析处理采取相应改造措施,机组运行至今再没发生浮动瓦烧瓦、磨瓦现象。并将成果应用到大化水电厂所有机组,都得到了良好效果,保证了机组的安全运行。     

1553B总线电缆多余物故障研究

1553B总线电缆的作用是在各电子部件之间传输1553B总线数据,1553B总线电缆发生故障会导致各电子部件无法通信,严重影响产品质量.本文介绍了1553B总线电缆多余物故障的分析过程,通过对故障现象复现,总结以往相似故障经验,解剖故障件,分析定位多余物故障原因,开展故障试验验证,最终定位故障原因,解决了多余物故障问题.对分析解决1553B总线电缆故障,有参考作用.     

我国煤制燃料油技术进展及工业化现状

我国富煤贫油少气,以煤为原料生产清洁燃料油具有重要意义。为实现我国煤制燃料油产业健康有序快速发展,论述了煤直接液化、煤间接液化、煤油共炼3种煤制燃料油技术的定义、原理以及工艺流程,概述了煤制燃料油技术在我国的发展历程、技术研究进展及工业化应用现状。对3种煤制燃料油技工业应用过程中存在的问题、技术难点进行分析,并展望了应用前景。3种煤制燃料油技术在我国均已建成工业示范项目,步入了商业化发展阶段,煤直接液化和煤油共炼由于技术和原料的特殊性,目前均只是建设了一套工业示范装置,而我国已投产或试车成功的煤间接液化项目有10个左右,总产能近千万吨。煤直接液化技术吨油煤耗小,投资和运行成本低,今后应重点提高循环溶剂的质量和数量;煤间接液化技术成熟,是我国重点推广的煤制燃料油技术,未来的发展趋势是拓展产品种类,提高产品附加值;在同时具备适合液化的煤和重质油资源的企业适宜发展煤油共炼产业。国家应加大煤制油研发投入,重点解决目前存在的水耗、能耗、碳排放高等问题,并给予政策支持,促进煤制油产业快速发展,保障国家能源安全。以规划为先导,积极稳妥发展煤制燃料油产业,是煤炭行业未来发展的新格局新趋势。     

基于录波数据的断路器关合时间整定计算方法研究

提出了一种基于录波数据对滤波器的断路器关合整定时间进行修正的方法。该方法从录波数据中提取断路器的关合时间、距离关合时间最近的电压过0时间等反映断路器工作状态的基本数据。通过对一段时间内录波数据的统计分析,找出断路器的关合时间偏差的系统误差和随机误差,并以此为基础对断路器的关合整定时间进行修正。应用效果表明:该方法简单、实用,不需要增加额外试验和费用,能够明显降低滤波器的合闸涌流,非常适合于换流站工作人员及时掌握断路器的运行状况,能够提高运维工作的效率。     

网络版材料腐蚀数据库的设计和实现

通过对原有单机版材料腐蚀数据库进行技术改进和增补数据,采用ASP SQL Server的网络数据库方案建立了一个大型网络材料腐蚀数据库系统。通过互联网可完成数据库系统所有的查询操作,拓宽了用户获取腐蚀数据及相关信息的渠道,扩大了腐蚀数据的推广范围。     

钛合金非氧化热喷涂金属钼涂层界面冶金特征

对TA7钛合金以氩气保护等离子热喷涂金属钼,并进行保温扩散处理得到的涂层界面微观结构用金相显微镜、扫描电镜、电子探针、X射线衍射等分析手段做了较详细的分析。结果表明,采用亚音速等离子热喷涂金属钼可得到致密、基本无层状结构的涂层;界面附近合金元素的相互扩散可促进形成冶金结合,并对钛合金近界面组织结构产生一定的影响。     

籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究

采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶。研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征。实验结果表明:4°籽晶生长的晶体缺陷最少,1°与4°籽晶生长的晶体结晶质量相当,0°籽晶生长的晶体电学性能最均匀。