超高效液相色谱-串联质谱法同时测定动物源性食品中46种食源性兴奋剂残留量

建立一种同时测定动物源性食品中46 种食源性兴奋剂的超高效液相色谱-串联质谱分析方法。样品于37 ℃酶解16 h,乙腈提取、乙腈饱和正己烷脱脂后,上清液经C₁₈和中性氧化铝混合分散固相萃取(QuEChERS法)净化后,采用Waters ACQUITY BEH C₁₈色谱柱分离,以0.005%甲酸溶液-甲醇为流动相进行梯度洗脱,使用电喷雾正负离子模式同时扫描检测,外标法定量。结果表明：46 种食源性兴奋剂在相应质量浓度范围内线性关系良好,相关系数均大于0.998,检出限为0.05～1.0 μg/kg,定量限为0.1～2.0 μg/kg,方法回收率为76.0%～111.9%,相对标准偏差为2.3%～12.4%(n=6)。该方法简便快速,实用性强,可为食源性兴奋剂检测提供有效技术支撑。     

负离子聚合法合成丁二烯-异戊二烯无规共聚物的序列结构

以正丁基锂(n-BuLi)为引发剂、十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为调节剂,在环己烷中对丁二烯(Bd)和异戊二烯(Ip)进行负离子聚合制得Bd-Ip共聚物,考察了反应温度、单体配比及调节体系对Ip共聚活性及共聚物序列分布的影响。结果表明,提高反应温度或增加Ip单体含量、SDBS/n-BuLi(摩尔比)由0/1.0增大到0.5/1.0,均可提高Ip共聚活性;共聚物序列分布服从一级Markov统计模型,在70℃、Ip/Bd(质量比)5/5、SDBS/n-BuLi(摩尔比)0.5/1.0、单体质量浓度0.12 g/mL的条件下,在共聚物中Ip、Bd 2种单元的同等长度单元组浓度趋于一致,所得共聚物的无规化程度高。     

钛硼基储氢电极材料的制备及其电化学性能研究

TiB2作为过渡金属和非金属间化合物,在碱性电解液中能够产生较高的电化学容量.采用电弧炉熔炼法制备了以Ti和B为基础的TiMB2(M=Co、Ni)活性电极材料,并对它们的充放电性能、充放电前后XRD衍射图谱及电化学性能进行了测试与分析.     

UGI造气循环水系统逸散气体的收集与治理

介绍了UGI造气循环水系统的工艺流程,提出了经济可行的平流沉淀池、微涡流池封闭措施,并结合UGI造气循环水系统逸散气体的成分特征和企业实际情况,分析现有的VOCs治理技术,找出了适合UGI造气循环水系统逸散气体的治理方法,为国内UGI为气头的企业提供了参考。     

固相萃取-超高效液相色谱串联质谱法同时测定豆芽中6-苄基腺嘌呤、赤霉素和4-氯苯氧乙酸的残留量

建立固相萃取-超高效液相色谱串联质谱同时测定豆芽中6-苄基腺嘌呤、赤霉素和4-氯苯氧乙酸残留的分析方法。方法 以乙腈提取目标物,HLB固相萃取柱(3 ml/600 mg)净化提取液,以0.1%甲酸水和乙腈为流动相,采用ACQUITY UPLC BEH C₁₈色谱柱(100 mm×2.1 mm,1.7 μm)分离,液相色谱串联质谱采用正负离子同时扫描、多反应监测模式测定。结果 3种分析物在0.1～20 μg/L浓度范围内呈线性,线性相关系数(r)＞0.99。方法定量限(LOQ)为0.5 μg/kg。方法在3个水平的添加回收率在70.1%～93.5%之间,RSD在5.01%～9.34%之间。结论 本方法具有快速、灵敏、简便、准确等优点,能满足实际工作需要。     

吉木萨尔凹陷芦草沟组致密油储层岩石微观孔隙结构表征

综合利用高压压汞、恒速压汞和扫描电镜技术对吉木萨尔凹陷芦草沟组致密油储层岩石的微观孔隙结构进行研究。恒速压汞技术可以定量地区分样品的孔道和喉道,对大孔孔径测定准确,但是受限于较低的进汞压力,无法探测到较小的孔径。高压压汞技术因其较高的进汞压力可以准确地测定样品小孔隙的孔径。在共同的可测量区间内,通过插值计算方法求得两种测定技术的结合点,利用联合高压压汞与恒速压汞技术的方法计算获得了储层岩样的全尺度孔径分布曲线。结果表明:吉木萨尔凹陷芦草沟组致密油储层岩石样品的孔隙类型主要为粒间孔隙、残余孔隙及晶间微孔隙。样品的毛管压力曲线均不存在中间平缓段,孔隙结构复杂,分选性较差。计算得到的吉木萨尔凹陷芦草沟组致密油储层岩石孔径分布呈双峰态。根据LOUCKS等提出的孔分类法,样品孔径为0.07～1μm的纳米孔非常发育,中孔孔径为120～150μm,微孔不发育。高压压汞技术与恒速压汞技术具有物理模型一致性,两者的结合是一种准确求取致密砂岩储层岩石全尺度孔径分布的有效方法。     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(10 0 )衬底中,主要出现平行于正表面的{ 10 0 }片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{ 111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(10 0 )衬底中出现的{ 113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(10 0 )衬底中不出现.从而推测,{ 111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(10 0 )片状缺陷的形成将发射自     

用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料

利用减压化学气相沉积技术，制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge0.1/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底. 通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺，有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比，采用线性渐变组分后，应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm，位错密度约为5E4cm-2，表面应变硅层应变度约为0.45%.     

基于两相流理论的火炮内弹道设计方法及其在新型装药设计中的应用

将现代内弹道理论应用于火炮内弹道设计过程,不仅使得火炮内弹道设计变量的选取不再局限于传统的装填密度、相对装药量和火药弧厚等;而且能将弹丸启动时间、压力波等经典模型无法描述的状态量纳入火炮内弹道设计过程,这对现代高性能火炮的设计是十分重要的.由于各评价标准均由火炮两相流模型计算获得,因此,基于两相流理论的火炮内弹道设计方法能更加精确地描述火炮的弹道性能与设计变量之间的关系.同时,采用多属性决策方法进行弹道设计方案的选择,使得火炮弹道方案的选择更加合理.     

双面抛光工艺中压力对300 mm硅片表面形貌的影响

利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化，并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明。双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同，从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固，液混合接触区时，协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系，使之达到平衡，可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值。