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101.
把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(10 0 )衬底中,主要出现平行于正表面的{ 10 0 }片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{ 111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(10 0 )衬底中出现的{ 113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(10 0 )衬底中不出现.从而推测,{ 111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(10 0 )片状缺陷的形成将发射自 相似文献
102.
综合利用高压压汞、恒速压汞和扫描电镜技术对吉木萨尔凹陷芦草沟组致密油储层岩石的微观孔隙结构进行研究。恒速压汞技术可以定量地区分样品的孔道和喉道,对大孔孔径测定准确,但是受限于较低的进汞压力,无法探测到较小的孔径。高压压汞技术因其较高的进汞压力可以准确地测定样品小孔隙的孔径。在共同的可测量区间内,通过插值计算方法求得两种测定技术的结合点,利用联合高压压汞与恒速压汞技术的方法计算获得了储层岩样的全尺度孔径分布曲线。结果表明:吉木萨尔凹陷芦草沟组致密油储层岩石样品的孔隙类型主要为粒间孔隙、残余孔隙及晶间微孔隙。样品的毛管压力曲线均不存在中间平缓段,孔隙结构复杂,分选性较差。计算得到的吉木萨尔凹陷芦草沟组致密油储层岩石孔径分布呈双峰态。根据LOUCKS等提出的孔分类法,样品孔径为0.07~1μm的纳米孔非常发育,中孔孔径为120~150μm,微孔不发育。高压压汞技术与恒速压汞技术具有物理模型一致性,两者的结合是一种准确求取致密砂岩储层岩石全尺度孔径分布的有效方法。 相似文献
103.
104.
105.
106.
现有技术较难定量表征整个开发过程中油藏深部优势渗流通道演化规律,尤其是非均质油藏的渗流规律较为复杂,影响了高含水期油藏的开发效率。文中根据不同特征非均质油藏水驱油实验结果建立了数值反演模型,基于渗流理论提出了标准化过流量的概念,定量表征优势渗流通道,研究了渗透率级差影响下的水驱优势渗流通道演化规律,探索了高含水期不同措施控水效果。研究表明:分支河道油藏、隔夹层泛连通油藏的优势渗流通道在无水采油期发育较均匀,见水后主要沿物性较好区域发育且通道体积快速减小;随注入量增加,优势渗流通道的扩展行为对采出程度贡献减小,且主要发育区域剩余油饱和度最低;非均质性决定优势渗流通道发育的位置及体积,渗透率级差的增大使更大体积的优势渗流通道集中快速发育,导致物性较差区域采出程度更低;分支河道油藏井网调整措施不能干预或阻断固有优势渗流通道走向,导致剩余油沿优势渗流通道运移至物性较好区域;隔夹层泛连通油藏开发层系调整使优势渗流通道沿采出井附近的窜流通道转向,但物性较差区域中部的剩余油仍未充分动用。将油藏数值模拟与新定量表征方法相结合,不仅能应用于文中的研究对象,也可应用于其他油藏,为开发改善措施的制定提供理论... 相似文献
107.
钛合金表面氧化在提高耐磨、耐蚀、界面相容性等方面具有重要应用。采用高斯分布的面热源,模拟红外激光制备Ti6Al4V钛合金表面氧化层过程中的温度分布及变化。首先,通过对比激光功率为500 W(功率密度为39.8 W/mm2)、扫描速度为15 mm/s时钛合金表面和厚度方向温度分布的模拟与试验结果,验证了有限元模型的有效性。然后,采用该模型研究激光功率、扫描速率、重复扫描间隔等对温度场的影响规律。随着激光功率增加,扫描速率降低,加工过程中的线能量增加,钛合金表面和厚度方向的温度整体增加。当线能量相同情况下,由于能量在钛合金表面的累积,大功率高扫描速度下可以获得更高的表面温度和基本相同的内部温度。随着重复扫描间隔的缩小,表面最高温度逐渐升高。 相似文献
108.
为准确研究罗茨式动力机在旋转工作过程中的动态特性,基于非结构动网格技术,模拟罗茨式动力机容腔内部实时工作过程,进行了三维瞬态湍流数值模拟,并分析了容腔内部瞬时压力场与速度场的变化规律。仿真模拟结果与计算理论数据的对比结果表明该模型可较准确反映罗茨式动力机的基本工作过程,随后实验平台的搭建与测试数据进一步验证了结果的准确性。结果表明在罗茨式动力机内部流场的动态变化中,动网格技术可以实现较好的模拟,从而为罗茨式动力机内部结构优化提供良好的理论依据,并且该技术可成为流体机械和能源回收研究方向行之有效的方法,可减少试验的不确定性并提高试验的准确性,从而节约时间。 相似文献
109.
110.
研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h) 1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度. 相似文献