Microstructure of YBCO Superconducting Film on Metal Substrate with YSZ Buffer Layer

ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＹＢＣＯＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＦｉｌｍｏｎＭｅｔａｌＳｕｂｓｔｒａｔｅｗｉｔｈＹＳＺＢｕｆｅｒＬａｙｅｒＷａｎｇＪｉｎｇ（王敬），ＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ（刘安生），ＳｈｉＤｏｎｇｑｉ（石东奇），ＷａｎｇＸｉａｏ...     

伊犁盆地沉积岩颜色指数特征、盆地演化与有利勘探层系

本文对伊犁盆地伊宁凹陷中央隆起带的宁3井沉积岩颜色指数特征进行了分析,认为伊犁盆地从二叠纪至第四纪,其沉积环境明显经历了两个氧化—还原环境旋回,与盆地演化相对应;指出二叠系铁木里克组（P₂t）和三叠系小泉沟群(T_2-3xq)至侏罗系西山窑组（J₂x）为两套还原环境中形成的烃源岩层,盆地中存在二叠系和三叠—侏罗系两套有利勘探层系。     

分形拟三重介质致密油藏产能预测模型

致密油藏渗流机理复杂、产能预测难度大。文中引入分形理论,推导出基质、天然微裂缝、人工裂缝的分形孔隙度和分形表观渗透率。建立了考虑启动压力梯度及压敏效应的分形拟三重介质致密油藏数学模型,推导出模型压力解与动态供给边界的变化情况。在此基础上,建立了产能预测模型,结合实例数据完成模型验证,进行供给半径和产能的动态预测,并对非线性渗流参数进行敏感性分析。结果表明:供给半径随时间非线性增加,同一时刻,启动压力梯度及分形系数越大,供给半径越小;分形致密油藏产能受非线性渗流参数的影响,启动压力梯度越低,变形系数越小,分形系数越小,则日产量越高,反之日产量越低。     

新概念动能武器-电磁炮

电磁炮是现代战争中的一代新概念武器,目前国外的技术发展已达到实用阶段.用物理学中关于电流的磁场、电磁感应和涡流的基本理论对轨道炮、线圈炮、重接炮三种电磁炮的基本原理进行了分析;研究了轨道炮、线圈炮、重接炮的特点、应用前景;探讨了脉冲电源技术、材料技术、发射装置设计等电磁炮关键技术;最后总结了电磁炮的发展现状,展望了未来...     

TD-LTE系统终端邻道泄漏功率比的测试方法

TD-LTE系统在通信行业运用较广,它可以帮助通信企业实现较长时间的通信服务。重视系统终端射频的发展,根据实际应用情况采用合适的方法提高系统测试的准确率是当前通信行业亟待解决的一大课题。     

用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料

利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm,位错密度约为5×104 cm-2,表面应变硅层应变度约为0.45%.     

两种银包套（Bi,Pb）2Sr2Ca2Cu3Ox带材织构形成与工艺的关系

用ＸＲＤ和ＳＥＭ系统地研究了用ＰＩＴ方法制成的银包套Ｂｉ－２２２３单芯和多芯带材在不同加工阶段的组织结构，发现机械加工使装管粉末形成了择优取向，这种择优向是２２２３相形成织构的基础，随着热处理的进行，２２２３相晶粒呈片状长大，长大的速度具有各向异性，同时织构度不断增加，烧结过程中的压制工艺能增加带材的致密度，使２２２３相片状晶粒之间的连接更好，性能大大提高。在目前使用的工艺条件下，多芯带材的择优向     

单轴附加应变对体硅及应变硅p-MOSFETs空穴迁移率的影响

Hole mobility changes under uniaxial and combinational stress in different directions are characterized and analyzed by applying additive mechanical uniaxial stress to bulk Si and SiGe-virtual-substrate-induced strained- Si（s-Si）p-MOSFETs（metal-oxide-semiconductor field-effect transistors）along 110 and 100 channel directions. In bulk Si,a mobility enhancement peak is found under uniaxial compressive strain in the low vertical field.The combination of 100 direction uniaxial tensile strain and substrate-induced biaxial tensile strain provides a higher mobility relative to the 110 direction,opposite to the situation in bulk Si.But the combinational strain experiences a gain loss at high field,which means that uniaxial compressive strain may still be a better choice.The mobility enhancement of SiGe-induced strained p-MOSFETs along the 110 direction under additive uniaxial tension is explained by the competition between biaxial and shear stress.     

冷却塔风机的调速节能探讨

通过调节风机转速实现节能,已成为冷却塔节能的技术焦点.变频调速能够根据环境变化随时调节供电频率,从而实现节能.在天津石化公司聚酯工程循环水场冷却塔改造工程中,合理设置了变频调速设备并与科学的开停运行方案相结合,取得了较好的节能效果.