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11.
王晓军 《计算机光盘软件与应用》2014,(5):97-98
目前针对计算机安全防护系数低等问题,已经提出了有效的解决方案,可引入国家或计算机技术部门提出的接口规范、性能高的可信密码模块嵌入式安全模型。以计算机密钥管理为核心设计内容,在ETSM管理结构的基础之上,在ETSM中设置随机密钥、密钥管理功能、密钥安全防护系统及密码引擎等数据。构建了安全防护指数高、高效能、高质量的密钥管理结构,并出示了两种管理方案,即为外部密钥存储管理方案,另一种即为双端口密钥缓存管理。计算机PC主机在特定条件下与ETSM模块共同搭建了异构双处理系统;通过PCI接口,实现了ETSM和PC主机的通讯功能,同时完成了加密某一秘密文件或者是敏感文件的任务,同时将密钥进行备份,保存在已加密的存储器中,确保数据的安全指数,从某种程度上来看,充分满足了计算机的安全性、合理性和完整性。 相似文献
12.
通过控制微弧氧化时间,研究了ZAlSi12Cu2Mg1在不同氧化时间下膜层的生长过程,分析了氧化过程中正向电流密度、膜层厚度的变化.结果表明微弧氧化阶段又分为氧化过渡阶段和氧化烧结阶段.氧化过渡阶段陶瓷层以向外生长为主;生成Al2O3非晶氧化物;氧化烧结阶段膜层以向内生长为主,此阶段膜层生长速率最快,生成Al2O3晶体和莫来石.氧化烧结阶段对陶瓷膜层的形成起重要作用,对氧化烧结阶段的控制可直接影响膜层的厚度以及膜层中Al2O3晶体含量. 相似文献
13.
采用电子束焊接工艺对7075铝合金和TC4钛合金异种金属进行焊接,主要研究焊接缺陷的形貌特点、形成原因及控制措施。结果表明:在铝合金与钛合金异种金属电子束焊接头中出现气孔、裂纹、缩孔等缺陷,调整焊接工艺参数、改变束斑在异种母材上的相对能量分布可以消除气孔、裂纹等缺陷。同时延长焊缝金属冷却时间,使液态熔池及时补充凝固过程中产生的孔隙,利用表面焦点减小熔池体积,对焊缝内的缩孔有一定的改善。最佳焊接参数为:工作距离272 mm,电子束流18 mA,焊接速度20 mm/s,聚焦电流415 mA。试验为提高铝合金与钛合金异种金属电子束焊接接头质量提供了参考。 相似文献
14.
在交流条件下,采用硅酸钠电解液,通过调节不同的负向电压值,在ZAlSi12Cu2Mg1合金表面制得了微弧氧化陶瓷膜层.研究了不同的负向电压值对陶瓷膜层形成过程的影响.结果表明负向电压从80V到160V变化时,氧化时间从5 min延长到65 min,膜层厚度从28 μm增加到208μm,致密度从0.267 g/cm3增大到1.048 g/cm3,特别是微弧氧化第2阶段氧化时间,在负向电压为160 V时持续了32 min,试样表面逐渐变粗糙;在电解液组成为NaSiO38 g/L,NaOH 2 g/L,Na2EDTA 2g/L下,适宜的正/负向电压值为480/140 V,获得厚度为166 μm的膜层.XRD分析表明陶瓷层主要由莫来石、α-Al2O3和γ-Al2O3以及氧化铝的非晶物质组成. 相似文献
15.
交流电源中负向电压对铝合金微弧氧化陶瓷膜形成过程及其组织性能有重要影响.本文研究了在NaOH-Na2SiO3-Na2WO4电解液体系下负向电压对ZAlSi12Cu2Mg1铸造铝合金微弧氧化陶瓷膜厚度、硬度及截面形貌的影响.试验中,负向电压从85 V到110 V变化.利用电涡流测厚仪测量陶瓷膜的厚度,用显微硬度计测量陶瓷膜截面的显微硬度,并进行截面形貌观察.试验结果表明负向电压的提高,有利于陶瓷膜厚度和显微硬度的增加,但负向电压达到一个极限值后,陶瓷膜表面变粗糙,甚至烧蚀,膜层与基体结合变差,陶瓷膜中开始出现裂纹,显微硬度下降;在负向电压为适合值95 V时,得到的陶瓷膜厚度为110 μm,显微硬度为8810 MPa(HV);同时,沿陶瓷膜厚度方向,从陶瓷膜与基体结合界面到陶瓷膜表层,显微硬度呈现先增加后降低的趋势,在致密层中显微硬度存在一个最大值. 相似文献
16.
电力检修与电力施工是电力行业的两大重要模块.信息时代下人们对电的需求越来越大,在电力系统的高负荷运行过程中经常会遇到设备损坏以及系统干扰等问题,因此给电力检修和电力施工技术人员带来了巨大挑战.本文分析了电力检修和电力施工技术的现状,并分别提出了电力检修与电力施工技术方面的有效管理策略,望能提供一些有价值的参考. 相似文献
17.
18.
在许多的时候,栖身在这芜杂烦嚣的闹市里,常常感到无端的郁闷聊奈。在一个躁动无聊的午后,特别是一个人的时候,我渴望着寻求安静,只想在两耳里灌满了音乐,以抵抗外界各类颓废因素的侵扰。无意之中,若隐若现的从窗外传来了一丝丝的乐音,正在牵动着我的神经。那是隔壁邻家的小女孩正在弹着肖邦,对了,是肖邦的钢琴练习曲——《夜深沉》。我任凭身心完全的沉浸于从她的心灵最深处、从最隐秘之处吟唱出的最真诚、最忧伤的音乐。此刻并非是要在月上树梢之时,去接受夜曲空灵的诱惑;也无需置身于威尼斯的波光粼粼之中去聆听远 相似文献
19.
TiAl自蔓延高温合成反应的机理 总被引:4,自引:0,他引:4
用燃烧波淬熄法研究了大颗粒Ti粉和A1粉制备TiAl金属间化合物的自蔓延高温合成反应机理.通过电镜观察和能谱分析发现:反应过程可用毛细铺展-界面反应机制解释.熔融的A1在整个反应过程中起着主要作用,首先熔融的A1液通过Ti粉间的毛细管作用以薄膜的形式铺展在Ti粉表面,并在接触面生成TiAl3.反应放出的热量有利于加速反应的进行,促使TiAl3与Ti进一步反应生成TiAl,但是生成的TiAl3层阻碍了A1液与Ti粉的接触,制约了反应的进行.最后,在试样中可以同时看到完全反应的Ti粉和未完全反应的Ti粉. 相似文献
20.