微波高功率双介质栅静电感应晶体管

提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术.讨论了寄生栅源电容Cgs对静电感应晶体管高频功率特性的影响.描述了工艺上减小寄生电容、改善静电感应晶体管高频功率性能的主要方法和措施.成功地制造出频率在4 0 0 MHz时输出功率大于2 0 W、功率增益大于7d B、漏效率大于70 %和70 0 MHz时输出功率大于7W、功率增益大于5 d B,漏效率大于5 0 %的高性能静电感应晶体管     

镜像法分析静电感应晶体管特性

针对埋栅型静电感应晶体管(SIT)提出一种柱栅模型.用镜像法计算了器件内电势分布,并在此基础上计算了沟道势垒、栅效率、电压放大因子等.结果表明:沟道势垒直接取决于沟道过夹断因子;栅效率随栅尺寸和位移栅压的减小而减小,并随位移栅压一起趋向于0;在小电流情况下电压放大因子随电流的增大而增大,到一定数值后,电压放大因子趋于常数.最后给出了SIT I-V特性解析表达式,它既适用于类三极管特性(加大栅压下)也适用于混合特性(较小栅压下),且由此得到的I-V特性曲线和实验符合较好.     

步进电机细分驱动控制

以步进电机为主要研究对象,重点分析它的内部结构和工作原理,并通过FPGA对步进电机构成的驱动电路工作特性进行仿真分析和研究,得出步进电机典型应用电路的简洁直观的分析方法。     

静电感应晶体管大电流特性的改善

描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法. 首次定义了从不同角度表征SIT电特性的重要因子,如单位沟道宽度跨导、栅效率、灵敏度因子和本征静电增益. 从理论和工艺实践上研究了这些因子与几何结构之间的关系,揭示了器件电性能对几何结构和工艺参数的依赖关系. 设计建立了SIT频率参数和功率参数测试方法和电路,深入讨论了封装工艺对SIT电性能的影响.     

13型反循环接手

我队曾在某钼矿床的勘探工作中采用分水接头式孔底反循环取心。从1979年开始，我队又对地层复杂的另一钼矿床进行了详查。为了满足矿层采取率任意截取4米（81年改为任意截取10米）不得低于75％的     

高精度低噪声基准电压源的设计

利用反向带隙电压原理,采用基于CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术,设计了一种低压低噪声基准电压源.该电压基准源没有外加滤波电容的情况下,通过双极型晶体管大的输出阻抗特性,实现了更低的噪声输出,提高了输出电压的精度.Hspice仿真结果表明,在0.95V电源电压下,输出基准电压为233.9 mV,温度系数为7.6...     

屯子桥加固设计与施工研究

文章介绍了永定线屯子桥加固的主要设计与施工技术,对两个设计方案进行了对比分析,对施工顺序和施工关键点做了总结,屯子桥加固后通行效果良好。     

电磁搅拌对圆坯质量的影响

文中介绍了包钢圆坯铸机采用结晶器电磁搅拌的应用效果.通过试验确定了合适的结晶器电磁搅拌的工艺参数,并通过等轴晶率、C偏析指数等指标,分析电磁搅拌对铸坯内部质量的改善作用.     

CuPc/SiO2表面界面的电子状态研究

利用热生长工艺和热蒸发方法分别获得CuPc和SiO2薄膜层,通过原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面界面电子状态进行了研究,并采用高斯拟合方法对各谱进行了详细分析.结果表明,在氧原子的作用下,N1s,C1s,O1s 和Cu2p都经受了一定的化学位移,从而使得各原子间的相互作用强度有所改变,这是导致OFET性能劣化的重要原因之一.对OFET而言,采用溅射工艺制备的SiO2层应比热氧化生长的SiO2层更合适.     

基于虚拟仪器的气弹簧测控系统

结合LabVIEW软件和NI公司的硬件设备,开发基于虚拟仪器的测控系统,并在气弹簧的测试中得到应用.该系统可以实现在确定的行程和速度下进行气弹簧力学性能的测试,并且能够通过对步进电机的程控,实现系统闭环控制.实验表明,该测控系统具有使用方便、性能完善、测控精度稳定等特点.