基于CMOS工艺的负压低压差线性稳压器设计北大核心CSCD

设计了一种应用于射频功放的负压低压差线性稳压器。通过设计负压带隙基准源,以及采用预稳压模块,有效地降低了电源电压对负压LDO输出电压的影响;通过优化控制环路中的功率管尺寸、误差放大器以及电阻反馈网络等措施,在保证大电流输出的前提下,有效地降低了负压LDO的压差,提高了稳压器的整体性能。采用CSMC 0.5μm CMOS工艺进行设计并实现,测试结果表明,当输出电流为500mA,输出电压为-3V时,压差仅为170mV。     

从事故谈过老巷的管理

从事故实例分析入手,阐述了顶板事故发生的系统因素,找出了事故发生的原因,为杜绝和减少类似事故的发生提出了有效的防范措施。     

流水线乘法累加器的混合输入设计

本文以流水线乘法器为主要研究对象,重点分析了它的内部结构和工作原理。并通过PSpice对流水线乘法器构成的电路的工作特性进行了仿真分析和研究,得出流水线乘法器典型应用电路的简洁直观的分析方法。     

D-异抗坏血酸钠间接发酵中型试验

<正> D-异抗坏血酸及其钠盐是一种使用范围广泛的食品抗氧剂。间接发酵法生产D-异抗坏血酸(或钠盐)时,先由细菌发酵D-葡萄糖,产生2-酮基-D-葡萄糖酸(或钙盐),将此作为前体,经化学转化成D-异抗坏血酸(或钠盐).中试时,化学转让所用前体为2-酮基-D-葡萄糖酸钙,化学转化产物为D-异抗坏血酸钠盐.本文主要报道用间接发酵法生产D-异抗坏血酸钠中型试验结果。     

埋栅型电力静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ特性反向转折机理

研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态.在综合考虑了工作机理、双注入效应、空间电荷效应、沟道中的电子-空穴等离子体和载流子寿命变化的基础上分析了静电感应晶闸管的反向转折特性.首次给出了反向转折机理的理论解释,并给出了估算转折电压和电流的数学表达式,在常用工艺参数范围内,计算结果和实验测量值基本一致.     

微波高功率双介质栅静电感应晶体管

提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术.讨论了寄生栅源电容Cgs对静电感应晶体管高频功率特性的影响.描述了工艺上减小寄生电容、改善静电感应晶体管高频功率性能的主要方法和措施.成功地制造出频率在400MHz时输出功率大于20W、功率增益大于7dB、漏效率大于70%和700MHz时输出功率大于7W、功率增益大于5dB,漏效率大于50%的高性能静电感应晶体管.     

(Li,Mg)∶ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性表征

利用溶胶-凝胶旋涂制膜方法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Li,Mg)∶ZnO薄膜。重点研究了该法制膜时不同膜厚(Li,Mg)∶ZnO薄膜的结构及光学性质。扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明随着膜厚的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜的晶化程度及c轴择优取向性增强。但薄膜厚度的增加是有一定范围的,当薄膜厚度过大时,薄膜均匀性、致密性及c轴择优取向性显著下降。样品的荧光光致发光(PL)谱表明,Mg的掺入使近紫外发光峰出现了蓝移,恰当膜厚的(Li,Mg)∶ZnO薄膜发光特性主要以深能级发射(DLE)为主,蓝绿发光峰强度很高。     

一种基于DSP的新型交流调速系统

介绍了一种运用新型ASIC芯片ADMC331设计和实现的SPWM交流调速系统,系统主要由基于DSP的电机调速专用集成电路ADMC331和功率MOSFET及其驱动电路构成。实践证明该系统具有良好的运行性能。     

热固性浇注 PBX 力学行为的影响因素探讨

利用拉伸实验、压缩实验、巴西实验对浇注黏结炸药（PBX）的力学行为进行了研究,探讨了影响浇注PBX 力学行为的因素。实验结果表明,浇注 PBX 的力学行为分为脆性断裂和延性断裂两种形式;在固化阶段的不同时间点浇注 PBX 的力学行为不同,当固化度为70％--80％时,浇注 PBX 表现出延性断裂的特征;当浇注 PBX 的固化度在80％以上时,药柱的力学行为受到固化温度和胶黏剂分子量等的影响。对于含有同一分子量端羟基聚丁二烯（HTPB）的浇注 PBX,固化温度越高,其力学行为越趋近于脆性断裂特征;经同一固化温度后,HTPB分子量越小,浇注 PBX 的力学行为越趋近于脆性断裂的特征。对产生上述现象的原因进行了分析。