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基于带隙基准原理,通过优化电路结构和采用BiCMOS技术,提出一种精度高、噪声小的带隙基准源电路。利用具有高开环增益的折叠式共源共栅放大器,提高了低频电压抑制比;应用低跨导PMOS对管及电路输出端低通滤波器,实现了更低的噪声输出;合理的版图设计减小了失调电压带来的影响。Hspice仿真结果表明,在3V电源电压下,输出基准电压为1.2182mV,温度系数为1.257×10-5/℃;频率从103~105 Hz变化时,输出噪声最大值的变化量小于5μV。流片测试结果表明,该基准源输出基准电压的电源抑制比高,温度系数小,噪声与功耗低。 相似文献
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传统设计中平衡温度时的带隙基准电压值是与工艺相关联的定值.主要基于通用的带隙技术讨论在CMOS工艺中基准产生的设计,在对基准产生原理与传统电路结构分析的基础上,设计出一种高PSRR输出可调带隙基准电压源.电路综合温度补偿、电流反馈和电阻分压技术,采用CSMC 0.5 tim CMOS混合信号工艺实现,并用Cadence的Spectre进行了仿真优化.仿真结果表明,带隙基准电压源在-15~80℃范围内输出为603.5 mV时的温度系数为6.84 × 10-6/℃,在1.8~5 V电路均可正常工作.流片后的测试结果验证了该方法的可行性,基准电压中心值可宽范围调整,各项性能参数满足设计要求. 相似文献
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在纺丝箱体 (一类压力容器 )制造过程中 ,发现数起组件体与壳体连接的焊缝存在裂纹的实例。纺丝箱体为一类压力容器 ,是聚酯熔融纺丝生产工艺中的一种换热器。该容器设计工作压力为0 2 5MPa ,工作温度 32 0℃ ,容积 1 4 4m3,壳体壁厚12mm ,材质 16MnR。该容器为带圆角矩形结构 ,内部不锈钢管密集交错。对外连接的工艺连接面要求精度高 ,换热介质为易燃的渗透性极强的联苯—联苯醚。该容器结构复杂 ,易于变形 ,制造要求较高。由于介质的特性 ,要求压力容器焊接质量不允许有任何可渗透细微缺陷。所以 ,在制造过程中 ,对容器的可渗透… 相似文献
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The physical effects of the carrier distribution in the channel on the dynamical performance of a static induction thyristor (SITH) have been studied numerically and experimentally. The analytical expressions of the minority carrier distribution in the channel of the SITH were also derived and the space charge distribution control- ling mechanism on the current of the SITH under high level injection have been analyzed deeply. The relationships among the minority carrier distribution, potential distribution, I-V characteristics and transient performances of the SITH are revealed. 相似文献
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