断层带岩巷工字钢拱形棚支护

针对断层破碎带岩巷难支护的问题 ,在分析了多种支护方式优劣的基础上 ,采用改革后的工字钢拱形棚支护方式 ,成功地在 1 2 3采区运输巷中进行了支护实践 ,既保证了巷道安全 ,又节约了支护费用 ,同时加快了施工进度 ,提高了工效 ,具有明显的综合效益     

连铸坯火焰清理枪的应用与改造

包钢炼钢厂连铸坯因表面缺陷无法清理而整根掉队。原有备品的火焰清理枪无法正常使用。从 1999年下半年开始对连铸坯大规模采用火焰清理 ,清理枪严重短缺 ,我车间开始对清枪进行改造、试验     

儿童营养米粉开发研究报告

选用优质大米和玉米米查,采用膨化生产线,通过控制膨化工艺条件,得到适合加工婴幼儿补充谷粉的基料;根据ＧＢ１０７６７－１９９７婴幼儿补充谷粉理化指标的要求,加入适量的维生素、矿物质和其他辅料,筛选最佳配方,生产出一种新型的儿童营养米粉———味氏婴幼儿营养米粉。     

埋栅结构静电感应晶体管耐压容量与I-V特性的改善

静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了I-V特性。槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能。     

孤子对在饱和介质中的传输

用分步傅里叶变换法求解了孤子对在饱和非线性介质中传输NLS方程。得到了在此条件下孤子对传输的数值图形，与孤子对在Kerr类型的非线性介质中传输图形进行了比较。从而得到介质非线性饱和效应对孤子对传输特性的影响．     

一种基于DSP的新型交流调速系统

介绍了一种运用新型ASIC芯片ADMC331设计和实现的SPWM交流调速系统．系统主要由基于DSP的电机调速专用集成电路ADMC331和功率MOSFET及其驱动电路构成。实践证明该系统具有良好的运行性能。     

基于DVI的时钟数据恢复电路设计

设计了一种实现DVI(digital visual interface)数字视频信号接收器的新型时钟数据恢复电路.通过在过采样电路和数字锁相环之间增加弹性缓冲电路,在实现10bit数据恢复的同时,使采样时钟频率减小为数据频率的2.5倍,DPLL同时对10bit并行的数据进行相位检测判断,提高了判断的正确率,使数据传输的误码率得到改善.采用SMIC0.18μm CMOS工艺流片,测试结果表明,输入三路并行的1.65Gbps/ch UXGA格式像素数据和传输电缆长度2m条件下,输出系统时钟信号最大抖动峰.峰值为183ps,均方值为24ps,满足DVI规范要求.     

溶胶-凝胶法制备Na/Mg共掺ZnO薄膜的特性研究

利用溶胶-凝胶旋涂法制备了Na/Mg共掺ZnO薄膜。通过与未掺杂及只掺Mg的ZnO薄膜的对比分析,重点研究了Na/Mg共掺ZnO薄膜的结构、光学及电学特性。扫描电子显微镜(SEM)图像、X射线衍射(XRD)图谱、透射光谱及PL谱的分析结果表明,Na/Mg共掺有利于提高ZnO薄膜的结晶特性及c轴择优取向性。Na/Mg共掺会使得ZnO薄膜的禁带宽度增加,但增加的幅度小于单独掺Mg引起的禁带宽度增加。消除氧空位缺陷后,Na/Mg共掺ZnO薄膜将是一种很好的紫外发光材料。霍尔效应分析结果表明,Na/Mg共掺杂可将ZnO薄膜导电性从N型转变为P型,且使电阻率有很大幅度的增加。     

一种新型过温保护电路

采用CSMC 0.5 μm工艺,设计了一种新型过温保护电路.从检测温度和控制温度两方面考虑,通过优化电路结构,提出一种新型系统解决方案.在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号的双重功能.采用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,温度在-50～200℃时,PTAT电压以10.5 mV/℃变化,过温保护开启温度为105℃,具有滞迟功能.成功流片后对芯片进行测试,结果显示,在20～130 ℃内,PTAT电压灵敏度约为10 mV/℃,过温保护开启温度的实测值与仿真值的偏差小于3℃,滞迟范围为20℃.该保护电路是开关电源IP的重要组成部分,在设计过程中时刻考虑其工艺健壮性和可重用性的约束条件,确保其可移植性.     

低压Rail-to-Rail CMOS运算放大器的设计

基于0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种带有恒跨导输入级的轨对轨(rail-to-rail)低压CMOS运算放大器.采用折叠式共源共栅差分电流镜放大器输入级和改进的CMOS AB类输出级,实现了电源满幅度的输入输出和恒输入跨导.用Cadence Spectre仿真器,对整个电路在3.3 V工作电压下进行仿真,其直流开环增益AV=70.6 dB,相位裕度PM=71°,单位增益带宽GB=1.37 MHz.芯片面积为0.7 mm×0.4 mm.实际测试结果与模拟结果基本一致.