Substrate temperature effects on the structural and photoelectric properties of ZnS：In films

Indium doped ZnS （ZnS：In） films were prepared on glass substrate using thermal evaporation technol- ogy. It was found that the structural, optical and electrical properties of ZnS：ln films strongly depend on the substrate temperature （Ts）. By X-ray diffraction （XRD）, atomic force microscopy （AFM）, transmittance spectroscopy, and electric performance measurements, the effect of Ts on ZnS：In film is studied in detail. It reveals that Ts has impor- tant effect on ZnS grain size, crystallinity, lattice disorder, etc., which further leads to the obvious influence on its optical and electrical performance. Under the optimized Ts, the performance, especially the conductivity, achieved in this work is far higher than that reported for other n-type ZnS films.     

全断面捕尘网的研制与应用

采用新样式的防尘设施对矿井开拓巷道的粉尘治理措施进行进一步补充完善,提高和增强粉尘治理效果。     

户外交流六氟化硫高压断路器的应用

以火力发电厂升压站6台出线开关为例,从设备选型、安装要点、改造效果等方面,介绍了220 kV升压站设备无油化改造中,6台西门子3AP1-FI型户外交流弹簧操作机构六氟化硫高压断路器的改造安装情况,并对运行及维护经验进行总结分析。实践表明,采用西门子3AP1-FI型高压断路器后,运行稳定,维护量大幅度减少,节省了人力物力...     

静电感应晶体管的空间电荷效应

研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制.从理论上推导出了SIT工作在沟道势垒调制下的I-V特性的解析表达式,实验结果表明它们符合得较好.在漏压增长过程中,有两种势垒出现(沟道势垒和空间电荷势垒),它们分别对应于沟道势垒调制和空间电荷势垒调制模式.随漏压增加,SIT逐渐从沟道势垒调制模式转向空间电荷势垒调制模式,对此转变物理过程给出合理解释,直观地给出了SIT在空间电荷效应作用下的变化规律.由于SIT小电流区域的沟道势垒调制使SIT区别于其他器件,其中栅压对SIT空间电荷效应有非常重要的作用.     

埋栅型电力静电感应晶闸管的I-V特性反向转折机理

研究了静电感应晶闸管的反向转折特性．当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的I-V曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态．在综合考虑了工作机理、双注入效应、空间电荷效应、沟道中的电子一空穴等离子体和载流子寿命变化的基础上分析了静电感应晶闸管的反向转折特性．首次给出了反向转折机理的理论解释,并给出了估算转折电压和电流的数学表达式,在常用工艺参数范围内,计算结果和实验测量值基本一致．     

槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管

传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管.使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性.使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题.给出了详细的工艺流程.     

一种GMOS SnO2气体微传感器的设计

采用TSMC 0.6 μm 1P3M标准CMOS工艺设计了一种检测O2浓度的SnO2气体微传感器.传感器材料是由实验分析及CMOS工艺共同确定,其多晶硅加热电阻温度系数小、功耗低,而SnO2敏感薄膜灵敏度高且稳定性良好,通过软件对器件进行热学模拟仿真并确定了传感器的结构及设计参数.芯片测试结果表明:所设计的MHP悬空结构的传感器反应速度快、抗干扰能力强、具有较高的灵敏度及稳定性,检测O2含量的浓度范围为15%～70%,满足了工艺要求.     

平面型埋栅结构的静电感应晶体管

在表面栅和埋栅结构的基础上,提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构,平面型埋栅结构.用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压的埋栅结构,避免了工艺难度较大的二次外延和台面腐蚀工艺.实验结果表明该结构可用于制造各种功率静电感应器件,其优点是具有高的击穿电压和高的阻断增益,并讨论了平面型埋栅结构的主要特点和制造工艺.     

浇注 PBX 固化温度场的数值模拟

为了使浇注塑料黏结炸药(PBX)具有均匀的固化温度场,采用COMSOL Multiphysics软件和Fourier数学模型,分别模拟研究了模具尺寸、烘箱与PBX间的温差、PBX固化速率等因素对PBX温度场分布的影响。结果表明:药浆温度低于烘箱温度时,浇注PBX内的温度场呈现由外向里递减的趋势。60 mm×240 mm、100 mm×240 mm、200 mm×240 mm和200 mm×1 000 mm,壁厚都为5 mm的模具,从25℃升至60℃的过程中,模具边缘和中心点的最大温差可分别达到3.22、6.66、10.49℃和13.08℃。200 mm×1 000 mm,壁厚为5 mm的模具分别从0、25、40、50℃升至60℃时,模具边缘和中心点的最大温差可分别达到17.56、13.08、7.02℃和3.36℃。药浆温度与烘箱温度相同时,模具边缘温度最小,中心温度最高,此时影响温度场梯度的主要因素为药浆固化速率的大小。当药浆和烘箱间存在温差,可通过减小模具尺寸、降低浇注PBX内的温度梯度,且浇注PBX的固化尽量采取药浆与烘箱温度一致的固化工艺,此时选择固化速率较小的药浆可实现PBX内的温度基本一致。     

电触头材料

本发明是关于Cu—W系列烧结合金触头材料的改进。目前一般常用的Cu—W合金触头材料,由于W和Cu抗氧化性差,在空气中使用,触头表面生成氧化膜,接触电阻增大,使它的应用受到限制。而在油中使用,一般不会氧化,因此常用作油开关的触头材料。一方面Cu具有和Ag同样高的热和电的传导性,熔点、沸点也比较高,机械强度也大,而且价格便宜。若能改善Cu—W合金的耐氧化性能,作为工业材料,扩大其应用范围是极有价值的。