重叠积项的分离算法

本文提出了一个分离重叠积项的算法。该算法在逻辑测试，函数最小化等逻辑综合的领域有重要作用。     

基于隐马尔可夫模型的自动人脸识别方法

基于DCT系数的伪二维隐马尔可夫人脸模型(P2D HMM)由于更好的利用了人脸图像 的二维统计特性,所以与基于KLT系数的一维隐马尔可夫人脸模型相比,识别效果更好,但是结构复 杂、运算量大。一维隐马尔可夫模型(1D HMM)表现二维人脸存在不足,但训练识别比较简单。综合 考虑二者的优缺点,结合支持向量机(SVM)对静态数据识别效率明显的长处,建立了SVM和HMM 的混合人脸识别模型。采用独立分量分析(ICA)的方法提取人脸区域的特征,作为SVM的输入。在 ORL人脸库中,测试基于SVM/HMM的人脸识别方法,实验结果表明该方法在获得与P2D HMM相应 的识别率的前提下,结构简单,运算量小。     

专家系统中多种知识表示方法的集成应用

专家系统的建立是以知识为基础的，采用何种知识表示方法在一定程度上决定了专家系统能否正确高效的运行。先综合比较了常见的几种知识表示方法，然后介绍了在“现役混凝土结构耐久性评估专家系统”1中集成应用框架、产生式、神经网络等多种知识表示方法的思路及解决方案，该系统的实际使用证明此法是可行和有效的。     

高速物料提升机自动控制系统

本文介绍了高速物料提升机自动控制系统原理，软、硬件结构．并对系统的特色部分作了进一步的分析。     

无线收发芯片nRF401在施工升降机控制系统中的应用

nRF401为单片无线收发芯片，施工升降机是高层建筑施工必备的运输设备之一，施工升降机自动控制系统包括楼层呼叫信号系统和吊笼主控系统。利用nRF401芯片很好地解决了施工升降机楼层呼叫信号系统与吊笼主控系统之间的信号传输及两吊笼主控系统之间运输协调．提高了施工升降机的运输效率。     

几起10 kV母线故障分析及其保护装置的研发和应用

针对几起母线故障，研制了10 kV母线快速保护装置，该装置利用主变二次侧的电流作为启动量，以配电线路的故障电流作为闭锁量，同时加上可靠的电压闭锁条件，动作快速可靠。与常用母差保护相比，可节约大量资金。     

智能卡的文件系统

本文根据ISO7816国际标准,详细阐述了智能卡文件系统的组织结构、文件访问机制、EF文件的内部结构以及EF文件中数据的访问机制等.     

Si衬底上La0.8Sr0.2MnO3/SrMnO3双层结构研究

利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散射(RBS)分析了LSMO/SMO间的界面情况.结果表明以SMO作为单一缓冲层时,不仅可以实现LSMO薄膜在Si(100)衬底上的(110)面的择优生长,而且LSMO/SMO的界面扩散现象也不明显.     

KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展的研究

目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出.     

Si衬底上SrMnO3缓冲层对La0.8Sr0.2MnO3薄膜择优取向生长的影响

利用磁控溅射方法在(100)Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层，再沉积得到了(110)择优取向生长的La08Sr02Mn03(LsMO)薄膜。利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响。结果表明：当沉积温度为600℃时，增加缓冲层SMO的厚度，LSMO薄膜的取向性变好；当缓冲层SMO厚度为45nm时，LSMO薄膜基本具有(110)取向生长的特征。进一步的工作证实：提高沉积温度，能够显著增加SMO缓冲层的晶粒大小，并减少LSMO薄膜择优取向生长所需的缓冲层厚度；当沉积温度为800℃时，由于类退火作用的存在，厚度为10nm的SMO缓冲层就可以实现LSMO薄膜择优取向的生长。