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用平板扫描仪及图像处理方法检测大米粒型 总被引:4,自引:0,他引:4
提出并用区域跨度定义了米粒粒长及粒宽,即定义米粒区域的最小跨度为米粒粒宽,与此跨度方向垂直的方向上的米粒区域跨度为米粒粒长.根据此定义,通过搜索米粒区域跨度的办法搜索米粒粒长及粒宽,再由米粒粒长及粒宽求出大米粒型.由于此定义与人工对米粒粒长及粒宽的测量方式是一致的,因此,基于此定义的大米粒型检测方法的检测精度高.利用平板扫描仪及图像处理方法检测大米粒型的实验结果表明:用该定义对大米粒型的测量结果相对于人工测量结果的相对误差为1.03%,且该检测方法具有米粒旋转不变性检测的特点. 相似文献
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为了研究稀土离子的α-噻吩甲酰三氟丙酮(α-thienyltrifluoroacetone,TTFA)配合物中敏化发光效应,对自行制备出的稀土离子Eu3+,Sm3+和Tb3+单掺TTFA配合物Eu(TTFA)3,Tb(TTFA)3,Sm(TTFA)3及3种稀土离子两两共掺的配合物的荧光光谱进行了分析,得出了稀土离子Eu3+,Sm3+,Tb3+与配体TTFA的敏化特性以及稀土离子Eu3+,Sm3+和Tb3+之间的敏化特性。Eu(TTFA)3,Tb(TTFA)3,Sm(TTFA)3及3种稀土离子共掺的配合物中,稀土离子Eu3+,Sm3+,Tb3+与配体TTFA及Eu3+,Sm3+,Tb3+之间有明显的敏化效应。结果表明,将其用于聚合物光纤放大器具有良好的发展前景。 相似文献
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首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化;最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压。实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能。 相似文献
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随着电力系统的规模增大和新型电力电子器件的接入,系统数字仿真具有了更大的复杂性,电力系统仿真对电力系统发展的重要性变得更加突出,已成为电力系统的研究、规划、运行、设计等各个方面中不可或缺的工具。文中介绍了电力系统仿真分析方法的研究现状;随后分析了电感、电容、变压器等网络元件的数学模型,得到了各元件模型差分化之后的计算表达式;最后通过编写C++程序,对一阶电路和二阶电路进行了暂态过程仿真,获得了不同电路下暂态电压与电流的时域变化曲线。通过与理论结果比较,确认了仿真结果的准确性和使用数字仿真对系统进行分析的可行性。 相似文献