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91.
3-氯-2-羟丙基三甲基氯化铵合成过程的汽提工艺研究 总被引:7,自引:0,他引:7
研究了以三甲胺、浓盐酸和环氧氯丙烷(ECH)为原料合成3-氯-2-羟丙基三甲基氯化铵(CHPTMA)的精制工艺,分析了水蒸汽与反应液的进料比(气液比)、物料温度、真空度、蒸汽压力等对CHPTMA产品精制的影响,通过试验确定了CHPTMA的精制工艺条件为室温进料、真空度0.070~0.075 MPa、气液比1.55~1.65、蒸汽压力0.3 MPa。小试合成的CHPTMA含量为48%~52%,反应液中有机杂质DCH不大于20×10~(-6)。 相似文献
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93.
用BFDH ( Bravais-Friedel-Donnary-Harker)和AE( Attachment Energy)模型预测了α晶形黑索今(α-RDX)的晶体形貌。结果表明,形态学上重要生长面是:(111),(020),(002),(200)和(210)面,其中(111)面是最重要的生长面。 RDX晶体重要生长面结构分析表明,(210),(002),(200)和(111)是极性晶面,而(020)是非极性晶面,其中(210)晶面极性最强。根据晶面极性预测在极性溶剂中,(210)面将成为RDX晶体形态上重要生长面,(111)面的重要性降低,而(020)面将会在晶体生长过程中逐渐消失。丙酮溶剂重结晶RDX实验表明,RDX晶体形貌上最终显露的生长面是:(210),(111),(002)和(200)面,而(020)面已消失。 相似文献
94.
95.
荧光标记马来酸酐-丙烯酰胺水处理药剂性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对以马来酸酐(MA)、丙烯酰胺(AM)及荧光单体4-甲氧基-N-(2-N’,N’-二甲基氨基乙基)萘二甲酰亚胺烯丙基氯化铵(FM)为原料制备的共聚物FM—MA—AM水处理药剂的荧光性能和阻垢性能进行了研究。结果表明,该聚合物的激发波长和发射波长分别为382nm和461nm;共聚物药剂的荧光强度与其质量浓度呈现良好的线性关系。当共聚物药剂浓度为30mg·L^-1时对碳酸钙阻垢率可达60%;冷却水体系pH使用范围较宽;水质体系钙离子浓度小于800mg·L^-1时共聚物药剂阻垢率仍达50%以上;水质体系温度达90℃时,仍保持较高阻垢率,具有较好的耐温性能和钙容忍度;可以与其他常规阻垢剂复配使用,对其荧光性能的影响很小。 相似文献
96.
采用分子动力学方法,模拟计算了缓蚀阻垢剂ATMP及其取代物与方解石(104),(102),(202),(113)面和铁(100)面的相互作用,结果表明:ATMP及其取代物中的氧原子与碳酸钙的Ca~(2+)形成的离子键对吸附起到了主要作用。同时化合物与方解石晶面间存在较弱的范德华力相互作用。化合物与方解石各晶面的的结合能强弱顺序为(202)>(102)>(113)≈(104),化合物与Fe(100)面作用主要来自于范德华的非键作用,膦酸基团和羧酸基团都有利于缓蚀阻垢效果的增强,膦酸基团对缓蚀阻垢效果的影响更为明显。 相似文献
97.
用周期性边界条件下的密度泛函方法,模拟计算了6种有机膦酸阻垢剂[氨基三亚甲基膦酸(ATMP)、甲胺二亚甲基膦酸(MADMP)、甘氨酸二亚甲基膦酸(GDMP)、乙二胺四亚甲基膦酸(EDTMP)、羟基亚乙基二膦酸(HEDP)、氨基亚乙基二膦酸(AEDP)|与方解石(104)晶面的相互作用。结果表明,有机膦酸分子与方解石(104)晶面的结合能排序为ATMP>EDTMP>HEDP>GDMP>AEDP>MADMP。电荷、亲核Fukui指数计算数据表明,膦羧基以及羧基上的氧原子供电子能力很强,与晶面Ca~(2 )之间存在强静电相互作用,是阻垢剂的活性中心。 相似文献
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磨料生产过程中由于在中碎、细碎中使用的设备不同从而使磨料中等轴状磨粒含量有较大的差别。而等轴状磨粒含量的多少除去影响磨料有关的物理性能之外,对磨削性能有何影响呢?把握这一点对于选择磨料进行新产品的研制是非常有益的。一、试验砂轮及编号: 相似文献
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100.