PMS/PZN相对量对PZNT压电陶瓷的影响

采用二次合成法合成了不同PMS/PZN比例的PMS-PZN-PZT系压电陶瓷,并研究了不同的PMS/PZN比例对所研究体系压电陶瓷显微结构和性能的影响。当PMS/PZN等于0.285时,性能最优:机电耦合系数、压电常数、机械品质因数、介电损耗及居里温度分别为0.594、290 pC/N、1 084、0.003 8、350℃,继续对其进行掺杂改性,有望用于制备大功率的压电变压器。     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .     

一种高速并行采样实时校正方法研究

并行交替采样带来的非均匀误差严重影响采集性能.本文建立了并行交替采集系统的数学模型,实现了一种幅度非均匀误差校正的归一化算法,在误差校正系统中引入可程控参考校正源,再利用查表法同时校正系统的偏置和增益失配误差,然后对时间非均匀性参数进行估计,并通过高精度可编程时钟延时网络对其修正.实验结果表明,该校正方法实时性好,降低了硬件设计难度和成本,提高了系统性能.     

表面式光纤布拉格光栅传感器应变传递机理的研究

建立了组合梁与光纤布拉格光栅(FBG)传感器应变传递的力学试验模型,得出组合梁结构实际应变与表面式光纤布拉格光栅传感器应变的关系。对影响表面式光纤布拉格光栅传感器平均应变传递率的影响因素进行了理论分析,得出胶接层弹性模量,胶接层的宽度以及光纤的粘贴长度对应变传递率影响较大,通过实验确定它们之间的最佳组合,为以后的实际工程应用提供了参考。     

GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究

运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压ＭＯＣＶＤ方法外延生长的ＧａＮ蓝光二极管的杂质发光光谱．研究结果表明近场光谱能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息,为研究样品表面微观发光机理提供了一个有力的手段．对近场光谱中各发光峰的强度随注入电流（电压）变化曲线的研究结果揭示出ＧａＮ蓝光二极管的能带中的施主能级,在ＧａＮ蓝绿光二极管的发光中和受主深能级同样都起着重要的作用．     

BGA焊点的形态预测及可靠性优化设计

制定了BGA(球栅阵列)焊点的形态预测以及可靠性分析优化设计方案，对完全分布和四边分布的两种BGA元件，通过改变下焊盘的尺寸得到不同钎料量的焊点，并对其形态进行了预测，建立了可靠性分析的三维力学模型。采用有限元方法分析了元件和焊点在热循环条件下的应力应变分布特征，预测了不同种类和不同形态的BGA焊点的热疲劳寿命，由此给出了最佳的上下焊盘比例范围。     

SDH解同步电路设计

在SDH同步系统中,解同步电路直接关系到输出抖动的指标,设计的关键是比物泄漏和锁相环电路,本文使用自适应比特泄漏法,给出了一个比特泄漏和锁相环电路设计实例,并给出测试结果。     

频谱泄漏对正弦相位调制干涉测量精度的影响

在正弦相位调制(SPM)干涉仪中,若调制频率或者采样频率发生变化将使干涉信号出现频谱泄漏,减小了谐波分量的幅值,在测量结果中引入了误差。对频谱泄漏的产生及其对测量精度的影响进行了理论分析,获得了频谱泄漏引入测量误差的计算方法。实验测得频率漂移量在-0.3~0.3Hz内,得到的频谱泄漏引入的误差为0.3~7.9nm,当超出这个范围时,频谱泄漏误差将迅速增长。实验结果与模拟分析结果一致。     

羟甲基蜜胺鞣革的研究

三分子氰胺的聚合物被称为蜜胺或三聚氰胺,也就是2,4,6一三氨基均三嗪,它在中性或酸性中和甲醛反应可生成树脂,即蜜胺树脂。随着每分子蜜胺和甲醛分子结合数目的不同,可得到从单羟甲基到六羟甲基,羟甲基化程度不同的结晶产物。现在日本正在大量生产蜜胺树脂,可模压具、涂料、粘合剂等行业都在使用。蜜胺单体,供应也很容易。考虑到蜜胺树脂中有羟甲基,它和胶