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11.
石玉龙 《青岛科技大学学报(自然科学版)》1994,(1)
运用射频等离子体化学气相沉积在Si(100)P进行外延试验,并用四极质谱仪(QMS)进行监测,得出了SiH4浓度的变化规律。试验结果表明在600℃,压力为300mTorr时,外延生长率最高,为450/min,膜中H含量也较低,为1.5%[at]。在压力为30mTorr,700℃时,外延生长率为59.6/min,膜中H含量降至2.75%[at]。 相似文献
12.
随着我国移动互联网的发展和5G网络的广泛应用,移动网络已经完全走进了我们的生活。在我们传统的认识中,智能楼宇会将各个系统进行有机整合;但是,随着现代信息技术、移动互联网和物联网技术的发展,以及各种传感器的广泛应用,将直接使得未来每一个楼宇都作为一个信息节点的身份出现,从而推动整个社会向物联网、智能化的时代过渡。 相似文献
13.
<正> 一、引言低温等离子体是一种非热平衡态的物质。其中的电子能量达几个电子伏特,相当干~10~4~10~5K。而作为系统质量主体的气体分子的温度仅数十至数百摄氏度。这一状态的出现是由于电子与气体分子间质量相差悬殊,电子通过弹性碰撞传给分子的能量极少。所以可以把低温等离子体看作是在“冷”的母体中包含着高能量的粒子。电子是系统中最活跃的组分,是能量传递的媒介。它们通过与气体分子的非弹性碰撞,把电能转化为气体分子的势能,使分子电离,分解或激发,成为高活性的物质,从而把化学反应温度大大降低。因此,在低温等离子体中电子能量及其密度的测定就成为分析系统中化学反应的最基本的参数。 相似文献
14.
PCVD-TiN涂层及其钢基体的热处理 总被引:1,自引:0,他引:1
在Cr12钢基体上用PCVD法沉积TiN涂层后,再进行热处理强化基体的研究。结果表明,热处理后,PCVD TiN涂层的显微硬度略有提高。X射线衍射分析表明,经过热处理后,PCVD TiN涂层的晶体结构更趋于完整,其晶面间距也更接近或达到TiN晶面间距的标准值。同时,PCVD TiN涂层的致密性有所增加,其(200)晶面织构有所增强。而且,经过热处理后PCVD TiN涂层与基体结合良好。 相似文献
15.
报导了用等离子体增强化学气相沉积法于560℃在高速钢基材上沉积Ti-Si-N膜。反应气为TiCl4,SiCl4,N2和H2。实验结果表明:调整两种氯化物在进气中的比例可以很好地控制膜的成分。膜中Si含量变化范围为0到40%(原子)。在TiN膜中加入少量Si就可以显著改善膜的形貌,得到致密的类似玻璃的结构。同样,膜和基材之问的界面显得更加平滑和均匀。含Si量10%~25%(原子)的Ti-Si-N膜具有最高的硬度,约达到6350kgf/mm2,比TiN膜高得多。 相似文献
16.
<正> 一引言低温等离子体化学是当前研究和应用开发十分活跃的一个领域。在金属及半导体表面刻蚀,金属及高分子材料的表面改性,各种薄膜及新材料的制备等方面都得到广泛应用。但由于对等离子体本身各种物理量的测定和表征工作注意不够,往往停留在一些宏观参数,如电压、电流、气压等的描述。所以当试验条件不同时,得到的结果差异很大,使实验结果的解析和同种文献间的比较十分困难。 相似文献
17.
18.
19.
文章叙述了采用金属有机物四异丙基钛(Ti[OC3H7]4]为钛温,在外加热PCVD设备上沉积Ti(CN)涂层。并对涂层进行了其显微硬度测量,扫描电镜(SEM)观察和X射线衍射(XRD)分析。结果表明,此法制备的Ti(CN)涂层其显微硬度可达标15600N/mm2,膜层结构仍为在状晶,Ti(CN)晶体的d(200)随着炉温的升高和H2.N2比的增大在逐渐变化。 相似文献