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通过定向凝固方法可以高效制备Mg3Sb2晶体,根据凝固理论计算了平界面生长临界速率,在此速率下可以有效抑制第二相Sb的析出。对不同的凝固速率下的Mg3Sb2晶体微观组织进行了分析,表明凝固速率为5μm·s-1时可以有效减少Mg空位的出现,并在晶体中获得过量Mg原子,有利于更好地提升热电性能。通过消除晶界和Ag元素掺杂有效提升了Mg3Sb2晶体的载流子迁移率和浓度,在测试温度区间(300~800K)内,最大电导率值可达309S·cm-1,同时保持了较高的Seebeck系数值,从而获得了更好的电子传输性能(PFmax=1.2mW·m-1·K-2),通过Hall测试和第一性原理计算对此结果进行了验证。Ag掺杂浓度为2.5at%下相应的热电优值最高可以达到0.67,此方法为Mg3Sb2基热电材料性能优化提供了新的... 相似文献
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