避雷器常见缺陷分析及预防技术

例举金属氧化物避雷器常见缺陷案例,通过带电检测、诊断试验及解体检查等方式找到缺陷的原因,并提出相应的预防技术,目的在于提高金属氧化物避雷器制造、检修与运行维护水平,为厂家、检修及运维人员分析与处理金属氧化物避雷器缺陷提供技术参考,减少金属氧化物避雷器故障的发生。     

中国新型导弹概览

在’98珠海国际航展中,展出了许多新的国产导弹实物,同时还有一些首次向国内公开的导弹的照片和资料,向世人展现了中国导弹的风采。空对空导弹 TY(天燕)-90 目前世界上大多数国家的直升机都使用改装来的空对空导弹,如美国AH-1武装     

’98中国国际航空航天博览会揽胜

1998年11月15日,’98中国国际航空航天博览会在珠海隆重开幕。这里聚集了大量的中外新型航空航天装备,其中,中国的展品格外引人注目,特别是有些产品是首次公开亮相,令许多观众交口称赞。     

高压直流电缆附件用EPDM与XLPE电气性能匹配关系研究

为研究高压直流电缆附件用三元乙丙橡胶（EPDM）与交联聚乙烯（XLPE）电气性能的匹配关系,本文制备了3种高压直流电缆用EPDM材料,测试XLPE和EPDM的电导率和电气强度,以及XLPE/EPDM双层介质的空间电荷和电气强度。结果表明：EPDM-1~#电导率低于XLPE,EPDM-2~#电导率与XLPE相当,EPDM-3~#电导率高于XLPE。当EPDM电导率低于XLPE时,界面电荷为正极性;当EPDM电导率近似等于XLPE时,鲜有界面电荷积累;当EPDM电导率高于XLPE时,界面电荷为负极性。XLPE/EPDM双层介质的电气强度取决于其自身电导率和电气强度,若要达到更好的匹配效果,要求双层介质内部的电场强度之比等于二者的电导率之比。     

渤海油田某平台海底管线防护措施优化

作为海上油气运输的大动脉,海底管线发挥着越来越重要的作用。腐蚀严重影响海底管线的使用寿命,使其损坏率逐年增大。海底管线一般采用钢质管道,耐腐蚀性较差,修复难度极大且费用较大。因此,有效控制海底管线的腐蚀、延长海底管线的使用寿命就显得非常重要。本文基于海底管线腐蚀防护措施的有效执行以及海底管线运行情况,结合其他因素综合考虑后,完成海管安全现状评估及延寿使用评价,优化防护措施。     

清云高速肇云大桥抗撞性能分析

航道桥梁近年来多次发生船舶碰撞桥梁的事故,而这些事故的发生不仅影响到交通运输,还会影响到经济发展与社会安全,因此在大桥通航前对其碰撞性能分析很重要。通过对清云高速航道水流以及通航需求进行调查分析,结合统计数据,提出了该处设防代表船型并给出了船速的建议值,并以此为依据对几种工况下桥梁的抗撞性能进行分析,结果表明：无论是发生横向碰撞还是纵向碰撞,弯矩和剪力的最不利位置都存在于塔底(墩底)截面和桩顶截面,但是无论哪种工况下的碰撞,桥梁的安全系数均高于规范规定的要求,因此在正常通航船型情况下,桥梁的安全性是可靠的。     

脱庚烷塔底泵特征频率振动超标分析与解决

芳烃联合装置异构化脱庚烷塔底泵振动烈度超标,通过对泵的设计工况和实际工况的对比,经排查和频谱分析发现,泵的振动主要是叶轮通过特征频率引起的。经过叶轮改造及切削处理,降低了压力脉动,使泵的振动烈度从9.1 mm/s最终降低到1.9 mm/s,消除了困扰设备和装置安全生产的风险。     

电离总剂量辐射加固SRAM设计

在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命.针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩锁、单粒子翻转三种SRAM中常见辐射效应的抵御水平以及加固单元的面积和速度.加固SRAM单元的抗TID水平得到极大提高,同时,抗单粒子效应水平、面积、速度也达到一定的要求.这些单元可用于实现基于商用CMOS工艺并具有高抗辐射性能的SRAM.     

电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应

为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器件的辐射损伤敏感性。实验结果表明,电子辐照导致两种NMOSFET器件的参数退化情况以及辐射损伤敏感性类似。导致器件参数退化的主要原因是界面陷阱电荷,同时氧化物陷阱电荷表现出了一定的竞争关系。实验结果为研究CCD电子辐照导致的辐射效应提供了基础数据支持。