不同退火时间对[Ag/FePt]_(10)多层膜磁性能和微结构的影响

采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同Ag层厚度的[Ag/FePt 2nm]10多层薄膜,经550℃真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜.实验结果显示,FePt单层薄膜经550℃退火30min后其易磁化轴处于垂直方向和面内方向之间,而550℃退火60min后其易磁化轴处于垂直于膜面方向,垂直矫顽力和面内矫顽力分别为634和302kA/m;真空退火后[Ag/FePt]10多层膜表现为面内磁晶各向异性,550℃退火60min后[Ag 2.8nm/FePt 2nm]10多层薄膜垂直矫顽力和面内矫顽力分别为309和778kA/m,并且随着Ag层的加入,部分FePt颗粒已经被Ag原子隔开了,颗粒之间的交换耦合作用变弱了.     

高均一性二维碲化钼忆阻器阵列及其神经形态计算应用

二维过渡金属硫化合物是构建纳米电子器件的理想材料, 基于该材料体系开发用于信息存储和神经形态计算的忆阻器, 受到了学术界的广泛关注。受制于低成品率和低均一性问题, 二维过渡金属硫化合物忆阻器阵列鲜见报道。本研究采用化学气相沉积得到厘米级二维碲化钼薄膜, 并通过湿法转移和剥离工艺制备得到碲化钼忆阻器件。该碲化钼器件表现出优异的保持性(保持时间>500 s)、快速的阻变(SET时间~60 ns, RESET时间~280 ns)和较好的循环寿命(阻变2000圈后仍可正常工作)。该器件具有高成品率(96%)、低阻变循环间差异性(SET过程为6.6%, RESET过程为5.2%)和低器件间差异性(SET过程为19.9%, RESET过程为15.6%)。本工作成功制备出基于MoTe₂的3×3忆阻器阵列。在此基础上, 将研制的MoTe₂器件用于手写体识别, 实现了91.3%的识别率。最后, 通过对MoTe₂器件高低阻态的电子输运机制进行拟合分析, 揭示了该器件阻变源于类金属导电细丝的通断过程。本项工作表明大尺寸二维过渡金属硫化合物在未来神经形态计算中具有巨大的应用潜力。     

CoCr垂直磁记录薄膜的温度特性研究

本文利用射频磁控溅射方法制备了CoCr垂直磁化膜样品,研究了其磁光克尔效应及其不同温度下的磁光克尔回线。并利用CoCr膜的磁光克尔效应的温度特性来说明CoCr膜具有很好的温度稳定性。     

保护膜厚度对磁光记录薄膜磁特性的影响

本文利用射频磁控溅射方法制备出AIN／TbFeCo／基片磁光薄膜，在磁光记录薄膜上覆盖一层AIN介质薄膜不仅可以防止磁光记录薄膜的氧化而且可以增强磁光克尔效应。在实验中发现AIN薄膜厚度的变化也会影响磁光记录薄膜的磁特性。当AIN厚度从0开始增加时，薄膜的矫顽力随着AIN膜厚的增加而增加，在一定AIN厚度时达到最大值。然后随着AIN膜厚的增加，矫顽力逐渐减小。垂直各向异性常数随AIN膜厚的变化有着同样的规律。研究清楚这一现象对制备实用化磁光盘有着重要的意义，应用应力机制对此现象作出了圆满的解释     

基于硒微米棒的宽光谱响应的光电探测器

采用物理气相沉积法合成硒微米棒,并以银浆为电极制备了金属-半导体-金属结构的光电探测器。该光电探测器在3 V偏压和450 nm光照下具有快速的响应速度（上升时间=41 ms,下降时间=46 ms）,优异的响应度（18.32 mA/W）和探测率（1.65×10⁸ Jones）。光谱测试表明器件具有从可见光到近红外的宽光谱探测能力（450-1550 nm）。此外,该器件还可以在无偏压下进行自供能探测。本研究将进一步完善硒半导体在宽光谱光电探测中的应用和发展。     

沉积温度对Ge2Sb2Te5溅射薄膜结构、电/光性质的影响

在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min)。用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650nm时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系。结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态;在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge2Sb2Te5,在300℃时出现少量的六方相;低于140℃时易形成非Ge2Sb2Te5组分的其它晶相,它们对薄膜的电/光性质有很大的影响,可能是导致此类相变光存储薄膜使用过程中反射率对比度下降的原因。     

退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

用RF磁控溅射法，在纯Ar气中，硅基片不加热的情况下，制备了Ba铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜c轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在700℃氧气中退火可获得良好c轴垂直膜面的择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ms=296emu／cm3，Hc=308761A／m。退火温度过低或过高，都不利于形成c轴垂直膜面的择优取向。     

通过高长宽比横向结构的设计提升基于Ge2Sb2Te5材料的相变存储器的多值存储能力(英文)

如何进一步提高存储密度是相变存储(PCM)应用于存储级内存(SCM)的关键挑战.然而,相变存储器主要通过尺寸微缩和多值操作来提高存储密度,往往面临严重的热串扰和相分离问题.为此,我们提出了一种高长宽比(25:1)的横向纳米线器件,该器件采用传统的硫系化合物Ge₂Sb₂Te₅就可以实现稳定的多值操作,并且器件具有较好的一致性以及较低的电阻漂移系数(0.009),其优异的多值性能主要是由于在设计的高长宽比结构中,绝缘层侧壁的限制使得相变材料的非晶区域可以精确控制,这也被透射电子显微镜分析证实.本文设计的纳米线器件为提升高深宽比三维相变存储器的多值存储能力提供了重要指导.     

无触点磁敏电位器自动测试仪研制 ‘

无触点InSb磁敏电位器是利用半导体磁阻效应制成的非接触式传感器,它具有无接触摩擦、分辨率高、寿命长等优点,可广泛地用作角度传感器、直线位移传感器、压力传感器、倾斜角传感器等.天津大学王文生教授等在国内率先研制成功无触点InSb磁敏     

Al基金属玻璃的研究进展

自Al基金属玻璃被发现以来,其较弱的玻璃化能力以及较强的脆性一直是阻碍其发展的主要因素。目前,金属玻璃的形成机制和结构模型等理论尚不完善。从金属玻璃形成能力判据,Al基金属玻璃的力学、热稳定性等性能以及制备方法等方面综述了Al基金属玻璃的最新研究进展。