电压对脉冲电弧放电法制备C-AlPO_4抗氧化性能的影响

采用脉冲电弧放电法在SiC-C/C复合材料表面制备方石英型磷酸铝(C-AlPO4)抗氧化涂层。借助X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和等温静态氧化实验对涂层的晶相组成、显微结构和抗氧化性能进行了表征与测试。研究了脉冲电压对C-AlPO4涂层显微结构的影响,分析了C-AlPO4涂层在1 773K下的氧化行为。结果表明,330~420V范围内,当脉冲电压为390V时制备的涂层致密均匀;C-AlPO4涂层具有较好的抗氧化性能,在1 773K氧化156h后失重率仅为0.83%;C-AlPO4涂层在1 773K下的氧化能力下降主要是由于长时间氧化后偏磷酸盐玻璃层不能及时有效地填补涂层中的缺陷,涂层在高温下产生了较多贯穿性孔洞所致的。     

具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS的器件特性研究

本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作区域。我们研究了高斯表面的弯曲程度对高斯型倾斜表面漂移区的影响。结果表明,P阱的长时间退火对具有高斯表面的漂移区的掺杂浓度分布有一定影响。具有高斯表面的倾斜漂移区的LDMOS结构在不同弯曲程度下器件耐压性和表面电场分布均匀性不同。高斯弯曲参数P在0.5左右时开态耐压性能最优,并且表面电场分布相对均匀;当弯曲参数P增大时,击穿特性基本饱和或略有下降。     

GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计

基于GaN基APD（雪崩二极管）日盲紫外探测器工作原理,我们设计了GaN-APD日盲紫外探测器的读出电路(ROIC)。考虑到GaN-APD日盲紫外探测器的特性,我们重点研究了80V高压击穿保护电路、暗电流消除电路以及为CTIA运放电路的电流偏置电路和带隙基准电路。在此基础上,我们设计了1×8的电路并进行了仿真验证,读出电路耐高压不小于80V,当积分电容为4pF,积分时间为25us,时钟频率为100KHz的时候,电路的电荷存储能力为5.6×107个,输出电压摆幅在0～2.25V,读出电路的输出电压线性度不低于99%。     

远红外保暖鞋里布的制备及性能测试

为提高常用鞋里材料的保暖性能,以六偏磷酸钠作为分散剂,采用剪切乳化法分散,将纳米远红外复合粉体制成水基型远红外整理液,并采用二浸二轧法对鞋用棉布里进行整理;用温升法检测了所制备远红外鞋里布的保暖性,并测试了其耐用性和物理机械性能.结果表明:经远红外整理液处理后的鞋里布温升性能明显提高,耐用性良好,且不影响其穿用性能.     

高性能GaN微波整流肖特基二极管的设计和制作

通过对准垂直型GaN微波整流肖特基二极管结构的研究,建立了二极管势垒层和传输层模型,根据模型提出了图形化和多空气桥结构来应对现有GaN生长技术不成熟带来额外寄生电阻的问题,并设计制作出联U型器件.为了验证结构的优势,同时制作了用于对比的传统指型器件.通过大量测试,得到联U型器件的平均寄生电阻为2.38 Ω,约为指型器件的89.8％.零偏压下联U型器件的结电容为0.48 pF,约为指型器件的90.6％.联U型器件的平均截止频率为139 GHz,相比指型器件提高了约23％.在不增加寄生电容、不牺牲功率容量的情况下,降低了二极管的寄生电阻,大大提高了高频状况下GaN微波整流二极管的整流效率.     

液相激光烧蚀法制备纳米材料的研究进展

液相激光烧蚀方法,主要是利用激光与液态介质相互作用、产生局域高温高压非平衡过程而获得纳米材料的方法,能够有效合成常规手段无法合成的新型纳米材料。阐述了液相激光烧蚀法(包括非反应性液相激光烧蚀和反应性液相激光烧蚀)制备纳米材料的基本原理和国内外研究现状,并指出这一领域存在的主要问题与发展方向。     

γ射线测量高危容器液位方法及精度分析

研究了利用γ射线穿透方法测量高危容器进行连续测量可行性。详细介绍了测量方案,数学模型,参数的实现,并对测量过程中精度的影响进行分析计算。     

随机参数诱导交流积分器中的随机共振研究

研究了具有随机参数的交流积分器中的随机共振现象。基于线性系统理论,得到了系统输出信噪比的表达式。研究发现,输出信噪比是噪声强度、噪声相关率以及系统参数的非单调函数。信噪比随着激励信号频率的增大而增大,随着信号直流分量的增大而减小。     

一种后备保护与安全自动装置协调工作的方案

针对近年发生的电网大面积停电事故的问题,阐述后备保护存在的必要性以及安全自动化装置的作用,并针对两者配合方面存在的不足,提出了一种后备保护与安全自动装置协调工作的方案,在方案中引入了闭环控制体系和反时限自适应元件进行协调防御的反时限切除过负荷的方法。采用BPA软件对实际系统进行仿真计算,证明该方法有利于加强电力系统的安全稳定性。     

氟碳端基聚合物合成研究进展

氟碳化合物的合成及性能研究大部分集中于低分子量氛碳衍生物[1],这类化合物具有高表面活性、高热稳定性和高化学情性,应用十分广泛。随着一系列大分子氟碳聚合物（如聚四氯乙烯等）的合成及广泛应用,氟碳链高分子化合物的研究受到了各国科学家的日益重视。但是,大分子氟碳聚合物因其难溶于大多数的溶剂,使其分子本身结构的表征极其困难,为了改善氛碳聚合物的溶解性,从而出现了氛碳链单体与碳氢链单体的共聚物（如乙烯-四氟乙烯交替共聚物CF2CF2（CH2CH2）[（2-9）]。这些氟碳共聚物具有高温稳定性,优异的力学和介电性质,并且…