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31.
通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)、电子背散射衍射(EBSD)、显微硬度试验和拉伸试验,研究了转速为400、800、1200 r/min时,水冷和空冷对5E83铝合金搅拌摩擦焊接头组织与性能的影响。结果表明,与空冷条件相比,水冷条件下搅拌摩擦焊接头产生的飞边减少,洋葱环形成区域缩减、焊核区的硬度明显提高。当转速为800 r/min时,与空冷条件相比,水冷条件下接头的抗拉强度提高,接头效率提高11%,硬度提高11%,同时焊核区的平均晶粒尺寸减小43%,但空冷条件下接头断口的韧窝大而深,塑性较好,水冷条件下的断口韧窝小而浅,塑性下降。 相似文献
32.
1 INTRODUCTIONCarbonizationofcathodeisakeyprocessintheproductionofThO2 W (inbriefTh W )electrontubes .Theprocessofcarbonizationisasfollows :Thefilamentsareheatedtothetemperaturehigherthanthenormaloperatingtemperatureofthetubesinthemixedgasesofbenzenevapor… 相似文献
33.
34.
在工业中采用钛合金的微弧氧化 总被引:21,自引:0,他引:21
采用硬度测试,金相显微观察和透射电镜分析等方法,研究了微量稀土Er对高纯铝再结晶行为的影响,结果表明,弥散分布的细小Al3Er质点对位错和亚晶界具有钉扎作用,可以有效抑制再结晶,将高纯铝的再结晶温度提高50左右,同时还能显著细化再结晶晶粒,再结晶形核机制是亚晶聚合和亚昌长大双重机制。 相似文献
35.
Effect of trace rare earth element Er on high pure Al 总被引:21,自引:0,他引:21
1 INTRODUCTIONAsit swellknown ,Chinaisrichinrareearths ,whoseprovedreservesare 80 %ofthetotalreservesoftheworld ,rankingfirstintheworld .Atpresent,theresearchandapplicationofREinsteel&ironareratherprofoundinChina .ThoughtheapplicationandstudiesaboutREinaluminumanditsalloysbeganearly ,it snotuntillateinthe 1970 sthattheinvesti gationandexploitationbeganonalargescaleandgraduallycametoaclimax[13] .Inthepast ,there searchofREaluminummainlyfocusedontheapplica tionofsomeelementssuchasLa ,… 相似文献
36.
乙烯基修饰的微孔二氧化硅膜孔结构与疏水性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在溶胶-凝胶反应过程中, 用乙烯基三乙氧基硅烷(TEVS)代替部分正硅酸乙酯(TEOS), 通过两者共水解缩合反应制备乙烯基修饰的SiO2膜, 并通过BET、TG、NMR、以及接触角测量仪对所制备的材料进行表征. 结果表明: 修饰后的二氧化硅膜仍保持微孔结构, 且孔径集中分布在0.5~0.7nm之间. 由于部分亲水表面羟基被疏水乙烯基团所代替, 乙烯基修饰的SiO2膜疏水性能得到明显提高, 并且随着TEVS加入量的增加, 疏水性能逐渐增强. 相似文献
37.
使用硬度测量、室温拉伸、光学显微镜(OM)、电子背散射衍射(EBSD)、透射电镜(TEM)等测试方法,对不同退火处理的Al-6.0Mg-1.0Zn-0.8Mn-0.2Cu-0.2Er-0.1Zr热轧板的室温拉伸性能、晶间腐蚀性能和合金的宏微观组织进行了系统研究。结果表明:合金板材的稳定化工艺窗口为230℃/18 h,240℃/6 h,250~270℃/2 h;在250℃/2 h退火后,合金板材的屈服强度为263 MPa,失重值为6.732 mg/cm2。结合力学性能和腐蚀性能,优选250℃/2 h为热轧板的最佳稳定化工艺。通过选区电子衍射和能谱图分析,发现晶界与晶内的析出相均为T-Mg32(AlZn)49相。经过250℃/2 h退火后,晶内T相逐渐长大回溶,形貌由方块状转变为短棒状。而T相在晶界处呈断续分布,且间距变大,所以呈现良好的耐蚀性。 相似文献
38.
纳米氧化钨作为一种具有独特物理化学性质的半导体功能材料,已被广泛应用于环境、能源、生命科学、信息技术等领域。本文基于第一性原理计算在纳米氧化钨中的应用进展,概述了量子力学基础上的第一性原理及密度泛函理论的发展历程及基本理论,介绍了该领域常用的MS (Materials studio)、VASP (Vienna ab initio simulation package)等模拟计算软件,并分类阐述了第一性原理计算对氧化钨的微观电子结构、物质相互作用、分子热动力学等方面的研究成果。最后提出了第一性原理计算在纳米氧化钨这类半导体材料研究中存在的问题及未来发展趋势。 相似文献
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40.