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张增照 《电子产品可靠性与环境试验》2007,25(4):6-10
利用系统性能可靠性仿真,对汽车电压调节器的设计及性能进行分析,找出了对其性能可靠性影响最大的元器件,以及对环境温度敏感的元器件;通过提高元器件精度和改善半导体器件的温度特性,对初始设计进行了改进,提高了汽车电压调节器在使用中的性能可靠性. 相似文献
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准噶尔盆地西北缘断裂体系分形特征与油气藏分布 总被引:5,自引:1,他引:5
应用分形理论对准噶尔盆地西北缘油气区的断裂体系进行研究,发现断裂的平面分布具有分形特征。对于断裂体系而言,分形维数越大,则断裂分布越不均匀,断裂越发育。在此基础上,讨论了断裂的性质及走向与分形维数的关系。正断裂以NW向为主,自相似性强,其分维数(0.5623)大于NE向正断裂的分维数(0.5611)。逆断裂则以NE向断裂为主,自相似性强,其分维数(1.1356)大于NW向逆断裂的分维数(0.9880)。在有断裂发育的油气藏中,其分维数(1.9640)大于无断裂油气藏的分维数(1.7630)。而在有逆断裂发育的油气藏中,其分维数(1.9540)更是远远大于有正断裂油气藏的分维数(1.1460)。 相似文献
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94.
校园网宿舍网络管理模式的探讨 总被引:9,自引:1,他引:9
讨论了高校学生宿舍区网络的特点,结合天津商学院校园网的实践,讨论了校园网宿舍网络管理的模式。 相似文献
95.
网络媒体必须增强社会责任感 总被引:2,自引:0,他引:2
"2003中国网络媒体论坛"于10月10日在北京开幕.国务院新闻办公室副主任蔡名照发表了主旨讲话.以下是讲话的部分内容. 相似文献
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97.
我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37As/InP压应变单单量子阱样品进行了变温光致发光研究,In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm,温度变化范围为10K到300K,发现不同阱宽的压变变量子 激子跃迁能量随温度的变化关系与体In0.53Ga0.47As材料相似,温度系数与阱宽无关,对1nm的阱,我们观察到其光致发光谱峰为双峰,经分析表明,双峰结构由量了阱界面起伏一个分子单 相似文献
98.
GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 总被引:1,自引:1,他引:1
用气态源分子束外延(GSMBE)法生长了掺杂GexSi1-x/Si合金并试制了p-n异质结二极管,X射线双晶衍射和二极管I-V特性表明,GexSi1-x/Si合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因.通过控制GexSi1-x/Si合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的GexSi1-x/Sip-n异质结二极管材料,其反向电压为-5V时,反向漏电流密度为6.1μA/cm2. 相似文献
99.
针对铷原予能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL).根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果,设计了单模VCSEL芯片结构.采用MOCVD技术生长了外延结构,制备了不同有源区直径的氧化限制型VCSEL芯片并进行了测试.当有源区直径从6 μm减小到3μm时,VCSEL芯片的边模抑制比(SMSR)由8.76 dB增加到34.05 dB,阈值电流由0.77 mA减小到0.35 mA.有源区直径为6,5,4和3μm的VCSEL芯片的输出功率分别为0.37,0.46,0.58和0.44 mW,有源区直径为4μm的VCSEL芯片的远场为圆形光束,发散角为15°.85℃时3.5 μm有源区直径的VCSEL芯片输出功率为0.125 mW,激射波长为795.3 nm.室温3 dB带宽大于8 GHz,满足了铷原子传感器对VCSEL单模光谱、输出功率及调制速率的要求. 相似文献
100.