基于辐射场窄带测试的电晕放电远距离探测技术研究

利用电磁辐射场实现对电晕放电的探测,多采用宽带测试,带内干扰多、信噪比低、测试距离近.为此,提出了基于窄带测试的电晕放电远距离探测方法,通过分析电晕能量分布及背景干扰,合理选择窄带测试频段,实现对电晕放电目标的远距离探测.测试结果表明:较之宽带测试,窄带测试信噪比较高、抗干扰能力强、测试距离远;120～315 MHz频段内的电晕放电信号,背景干扰少,信噪比不低于4 dB,适宜用作电晕放电信号远距离测试的特征窄带频段.提出的窄带测试方法具有普遍性,结合现代检测技术和信号处理技术将会大大增加测试距离,对丰富现有电晕放电远距离探测手段具有重要意义.     

回火对Fe-Cr-Ni-Mo高强钢电子束焊接接头组织和力学性能的影响

对Fe-Cr-Ni-Mo高强钢进行电子束焊接,并对焊接接头进行不同温度回火处理,利用OM、SEM和TEM等研究了回火对焊接接头组织和力学性能的影响。结果表明,焊态下焊缝金属组织为较粗大的板条马氏体,而热影响区则由较细的马氏体和少量的碳化物组成。高温回火后,在焊缝和热影响区均析出了大量的碳化物。硬度测试结果表明,焊态下焊缝金属和热影响区的硬度相当(分别为560 HV0.5和530 HV0.5),回火处理后硬度显著下降,但仍高于母材(415 HV0.5)。力学性能测试结果表明,焊接接头拉伸试样断裂位置均在母材,焊态下的焊缝冲击吸收能较差,为48 J;回火处理后焊缝金属的冲击吸收能显著提高,如600℃处理后焊缝金属的冲击吸收能为94 J。     

电晕放电辐射信号的探测系统与识别方法

准确探测电晕放电辐射信号对精确定位电晕放电源、确保高压输电线安全稳定运行具有重要意义。为此,设计了基于差分降噪原理的探测系统,分别对背景噪声、电晕放电和火花放电信号进行了测试。实验结果及其时频分析表明:该差分模块能很好地将0~100 MHz和600~1 000 MHz范围内的广播、电视、通讯信号以及空间电磁干扰信号滤除,在复杂电磁场环境下探测到静电放电信号。火花放电与电晕放电的频谱特征相似,为排除火花放电干扰,基于学习向量化(LVQ)神经网络算法,对2者的时域波形进行了特征提取与模式识别,实现了静电放电类型的判别,且判别准确率达95%。因此,利用探测系统和提出的LVQ神经网络模式识别方法能够有效探测和识别电晕放电辐射信号,为高压输电线的电晕放电监测以及电晕放电目标定位提供参考。     

脉冲电场测试系统标定方法

为保证脉冲传感器对脉冲电场测试结果的准确性,必须对其进行标定。针对实验室难以产生几十kV/m的电场环境,提出了基于弱场环境标定低灵敏度脉冲传感器的方法,即利用频谱仪窄带接收特性降低噪声获得传感器输出响应,同时由标准场强仪测得传感器所测环境电场强度(简称场强),通过传递标准法来标定传感器。另对标定环境进行分析得到:当测试频率500 MHz时,宜采用开阔试验场远场区;测试频率500 MHz时,宜采用GHz横电磁波传输室标定传感器。根据提出的标定方法标定了低灵敏度脉冲传感器,得到传感器输出电压值与被测场强的关系,即当传感器测试场强时,终端设备示波器每mV电压值对应约为200 V/m的电场强度。最后通过强场环境标定传感器,标定结果与弱场环境标定结果相差1 dB,验证了弱场环境标定结果的准确性,表明基于弱场环境标定低灵敏度脉冲传感器的方法是合理的。     

阻尼橡胶

叙述了阻尼橡胶的发展概况及其性能，阻尼橡胶的主要性能指标为静态刚度，阻尼系数和动态模量，影响阻尼橡胶的最主要因素是橡胶的分子结构。在通用橡胶中，以丁基橡胶和丁腈橡胶的阻尼系数最大，填充体系是除生胶之处影响动态阻尼性能最为显著的因素，与其用量，粒径，活性和形状都有关，阻尼性能亦与硫化体系，增塑剂有关。阻尼橡胶的工艺条件对其性能也有影响，最后介绍了阻尼橡胶的改性方法，共混法，互穿网络法，填充法等。     

耐Pb-Bi腐蚀Si增强型铁素体/马氏体钢和奥氏体不锈钢的研究进展

结构材料是制约铅冷快堆建设的关键因素之一，原因是其组成元素在液态Pb-Bi共晶(LBE)中会发生不同程度的溶解，影响结构安全。候选结构材料铁素体/马氏体钢T91与不锈钢316在550℃饱和氧LBE环境中发生快速氧化腐蚀；溶解氧浓度降至1.26×10^-6%(质量分数)可减轻T91的液态LBE腐蚀，但低于1×10^-6%时，T91与316钢发生溶解腐蚀；T91液态LBE脆化敏感性高，导致其在350℃液态LBE中腐蚀疲劳寿命显著降低。与商用的(9%～12%)Cr铁素体/马氏体钢和316型奥氏体不锈钢相比，经微合金化的Si增强型铁素体/马氏体钢(9Cr-Si和12Cr-Si)和奥氏体不锈钢(ASS-Si)，具有较好的组织稳定性和综合力学性能，且在液态LBE中形成的富Si氧化物提高了氧化膜的致密性，改善了其耐腐蚀性能，在550℃下静态饱和氧和动态控氧LBE环境中的溶解腐蚀受到抑制，有望满足铅冷快堆的设计需求。     

栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响

制备了不同栅极宽度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，通过测量各器件电容-电压曲线和转移特性曲线，得到了栅沟道载流子输运特性以及亚阈值摆幅，结果显示当栅极宽度从10μm增加到50μm时，亚阈值摆幅下降了40.3%.定性且定量地分析了亚阈值摆幅值随栅极宽度变化的原因，发现不同的栅极宽度对应不同的极化散射强度，亚阈值摆幅的变化是由栅沟道载流子输运特性和极化散射效应造成的.为AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管开关性能优化提供了新的视角与维度，将促进其更好地应用于无线通信、电力传输以及国防军工领域.     

碰撞速度和碰撞角度对典型材料起电影响

针对飞行器沉积静电问题，以典型材料起电电压为研究对象，进一步探索在不同碰撞角度、碰撞速度条件下，典型材料与空气颗粒物碰撞后的起电变化规律。采取模拟试验和仿真分析相结合的方式，重点研究空气颗粒物碰撞角度和碰撞速度对于典型材料的起电影响，初步得出部分材料起电电压随碰撞角度和碰撞速度的变化规律。试验结果表明：典型材料起电电压随着碰撞角度的增加近似呈线性增大，随着碰撞速度的增加近似呈线性增大；碰撞速度会影响接触面积和接触模式，碰撞角度会影响接触面积中不同模式所占比例，二者共同影响着典型材料起电电压的变化。