酸性介质中硫电极固定电位滴定法测定金属离子

根据S2-与金属离子的沉淀反应以及H2S在水溶液中的的电离平衡,推导出了在pH＜5时,以玻璃pH电极为参比,用硫电极测得硫离子滴定金属离子至化学计量点处的电动势值与pH值呈线性关系,而与其他因素无关；当控制溶液的pH值不变时,化学计量点处的电动势为一固定值.以此固定电位法对pb2+,Cu2+试液进行了测定,最大相对平均...     

界面热力学与晶界相图的研究进展

晶界作为微观结构的重要组成部分,对材料的性能起着关键性的影响.晶界相变是准确阐述众多材料现象的重要信息.然而,由于晶界结构复杂、晶界相变观测困难等原因,迄今为止仍缺乏对这些材料现象的直接证据和机理解释.随着先进表征设备特别是球差校正透射电镜的发展,再加上功能强大的计算机模拟,建立界面热力学模型并构建不同类型的晶界相图,为晶界结构及晶界相变的研究提供了广阔的前景.本文从晶界与晶界相变的分类、表征、界面热力学模型、晶界相图的构建等方面,综述了界面热力学与晶界相图的研究进展,展望了该研究领域未来发展的重点及趋势.     

不同截面形式的预制管廊拼缝接头渗水状态下的受力分析

预应力预制管廊的拼缝接头存在渗水问题,这将影响综合管廊的结构稳定性,研究其拼缝接头渗水状态下的受力性能对后期的运维至关重要.本文以某实际管廊工程为例,运用Midas Gen软件,基于《城市综合管廊工程技术规范》(GB 50838-2015)中的K-ζ法对预应力预制管廊进行截面内力分析,并通过物理试验得出拼缝接头处渗水对...     

相图计算及其应用

综述相图计算方法的发展现状、相图热力学计算常用的相描述模型及常用的热力学计算软件,并以Cu–Fe–Mn和Fe–Mn–Ni体系为例重点介绍相图热力学计算在材料设计及制备中的应用。     

高次谐波开槽潘尼管中的电子轨道研究

利用自洽非线性理论研究了8 mm 3次回旋谐波开槽潘尼管注波互作用。首先,明确地揭示了在高次回旋谐波开槽潘尼管中,电子回旋谐波次数,高频场分布,决定了不同初始相位电子的电子能量分布以及引导中心漂移规律,指出当回旋半径减小,引导中心偏移达到一定程度时,谐振条件被破坏限制了高次谐波潘尼管效率的提高,并提出了通过优化磁场分布提高效率。最后,进一步研究了电子纵向速度离散、偏心和电流大小等因素对互作用效率的影响,表明在实验可达到的电子注质量下,研制实用的高效高次谐波潘尼管是可行的。     

智力宝粉末酸奶研制报告

智力宝粉末酸奶是经真空浓缩、喷雾干燥工艺所制成,属于高营养的配制型含乳固体饮料,因此具有投资少、工艺简单、运输及携带方便等优点,适宜于中小型企业推广。本文主要介绍智力宝粉末酸奶的配制及生产工艺。     

营养粉末酸奶研制报告

营养粉末酸奶是经真空浓缩,喷雾干燥工艺制成,属于高营养配制型含乳固体饮料,因此具有投资少、工艺简单、运输及携带方便等优点,适宜于中小型企业推广。本文主要介绍营养粉末酸奶的配制及生产工艺。     

母线电弧光保护弧光检测与保护性能分析

对比分析了几种故障电弧光采集方式的特点,并对保护可靠性及灵敏性进行了分析。     

高比表面椰壳活性炭和纳米级Pd/C催化剂的制备与表征

以海南椰壳为原料,粉碎、过筛后,采用二步活化法制备活性炭.先500℃下碳化,然后以KOH为活化剂,炭碱质量比1∶2、1∶3、1∶4,炉温分别为700℃、800℃和900℃在氮气保护下活化.在炭碱比1∶4,活化温度800℃时,得到的活性炭比表面积高达3275m2/g.将得到的比表面积在1100～3200m2/g活性炭通过PdCl2超声浸渍法,水合肼还原制备纳米级钯炭催化剂,经SA、XRD、TEM等分析,得出比表面积越大,纳米钯粒子在活性炭上的分布越均匀,粒子颗粒越小.     

Ti-Al-Mo-V-Cr体系关键四元系700℃和800℃相平衡的实验研究

本文通过配置72个四元合金,利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM/EDS)测定了高强β型钛合金Ti-Al-Mo-V-Cr体系中关键四元系Ti-Al-Mo-V、Ti-Al-Mo-Cr和Ti-Al-V-Cr含20%Al (摩尔分数)时700和800℃的相平衡关系。实验结果表明：Ti-Al-Mo-V体系存在3个两相区(AlTi₃+BCC＿A2、AlMo₃+BCC＿A2、 BCC＿A2#1+BCC＿A2#2)和1个单相区(BCC＿A2); Ti-Al-Mo-Cr体系存在1个四相区(AlMo₃+BCC＿A2#1+BCC＿A2#2+Laves＿C14)、 2个三相区(AlMo₃+BCC＿A2+Laves＿C14、 AlTi₃+BCC＿A2+Laves＿C14)、3个二相区(AlTi₃+BCC＿A2、AlMo₃+BCC＿A2、Laves＿C14+BCC＿A2)和1个单相区(BCC＿A2);Ti-Al-Cr-V体系存在1个三相区(AlTi...