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11.
本文根据三点弯曲试样的J积分计算式及da/dN=C_1(ΔJ)~r的实验事实,导出了三点弯曲试样用ΔJ表征的从线弹性直至全面屈服范围内疲劳裂纹亚临界扩展速率表达式其中高周疲劳近似为它和Paris关系是一致的;而高应变疲劳则为它和Coffin-Manson关系相当。16Mn钢在空气和饱和H_2S水溶液介质中的实验结果表明上述公式是正确的,饱和H_2S水溶液明显加速了疲劳裂纹的亚临界扩展。  相似文献   
12.
高碳钢马氏体亚结构的形成与相变开裂   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文从马氏体相变的K-S模型出发,求得了片状马氏体内外的相变应力场,确定了片内的塑性应变和真实应力、解释了亚结构的形成,随之导出了马氏体的屈服切变强度τs与亚结构n/N之间的函数关系τ_S=G/A'[1/2(ε_(11)~*-ε_(22)~* (2 β_0~2)~(1/2)(cos43.5°/U cos34.5°sin9°/V)) 由求得的应力和应力强度因子,说明淬火开裂是完全可能的。  相似文献   
13.
兰州大学金属专业始建于1956年,是我国第一批设置的金属物理专业,是与吉林大学、北京大学、南京大学、中山大学同期先后设置的专业,也是建国初期按地理区域和行政区域划分的全国八大金属材料研究基地之一。经老一辈学者们的多年努力,先后成立了金相及热处理实验室、X光衍射实验室、金属物理实验室、金属强度与腐蚀实验室。从事过金属的结构与强度、疲劳与腐蚀、铅的高温蠕变、热处理及化学热处理、缺陷理论与断裂力学等方面的研究。参与国民经济建设,直接服务于社会。通过请进来和走出去的方式积极参加国际和国内交流,使本专业的教学…  相似文献   
14.
采用射频磁控溅射技术在不加热ITO/玻璃衬底上制备了PLZT(9。52/48)铁电薄膜,X射线衍射分析表明溅射气氛中φ(O2):φ(Ar)为3:7的膜在PbO保护下,625℃热处理150min后完全形成钙钛矿相的PL…ZT,不存在第2相,介电常数ε为1224,XPS表面成分分析及深度分析表明,PbO保护气氛中热处理不仅可以防止失铅,而且还可以弥补在制膜过程中失去的铅,用改进的Sawyer-Tower电路测量了薄膜的电池回线,并获得剩余极化强度为17.7μC/cm^2,矫顽场为24.3kV/cm。  相似文献   
15.
在Ar+O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)膜。实验表明,该膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度和衬底温度,最低电阻率为2.89×10~(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率为95%。用X射线衍射测量了不同衬底温度下薄膜的结构。  相似文献   
16.
李强  蒋生蕊 《物理测试》1996,(1):33-36,5
Ni-O膜是一种优秀的电变色涂层,在本文中着重介绍了该膜的电化学测试系统;同时对我们实验室将IBM PC/XT微机通过SC-11150模人模出接口板对Ni-O膜的电化学测试系统进行自动控制,自动数据采集的过程进行了说明。  相似文献   
17.
<正> 本文研究温度对16MnRE钢在H_2S饱和水溶液中疲劳扩展速率的影响,是前文的继续。进一步检验以前所得的结果在不同温度下是否仍然正确;并测定腐蚀疲劳裂纹扩展的激活能,了解H_2S饱和水溶液腐蚀环境对16MnRE钢疲劳裂纹扩展影响的实质。 一、实验方法 16MARE钢热轧后,试验前未经热处理。其化学成分(wt-%)为  相似文献   
18.
直流磁控溅射沉积(Ti,Al)N膜的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
蒋生蕊  彭栋梁 《金属学报》1994,30(5):B232-B237
研究了用直流磁控反应性溅射法在Ar+N2气氛中沉积(Ti,Al)N膜的工艺。(Ti,Al)N膜具有比TiN膜高的耐磨性,硬度和高温抗氧化性,AES深度分析表明,由Al的选择性氧化形成的Al2O3保护层,是(Ti,Al)N膜具有优良高温抗氧化性能的原因。  相似文献   
19.
直流磁控溅射沉积(Ti,Al)N膜的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
蒋生蕊  彭栋梁  赵学应  谢亮  李强 《金属学报》1994,30(17):233-237
研究了用直流磁控反应性溅射法在Ar+N2气氛中沉积(Ti,Al)N膜的工艺。(Ti,Al)N膜具有比TiN膜高的耐磨性、硬度和高温抗氧化性。AES深度分析表明,由Al的选择性氧化形成的Al2O3保护层,是(Ti,Al)N膜具有优良高温抗氧化性能的原因.  相似文献   
20.
研究了用电化学方法在 Sn O2 基底上沉积的 Ni Ox Hy 膜电致变色特性 ,该膜是一种富氧结构 ,具有优良的变色特性 ,其透射式光密度ΔOD在可见光区可达 1以上 .Ni Ox Hy 膜在 KOH电解液中的电致变色行为是由质子的注入或萃取所决定 .H+注入并占据 Ni空位 ,会使一部分 Ni3+转化为 Ni2 + ,Ni3+的减少将导致光透性增强 ,这是因为Ni的 d电子能级在 Ni O6 八面体晶场中被分裂为 t2 g和 eg 能级 .H+的注入使 Ni3+的 t2 g能级被电子填满 ,变为 Ni2 + ,导致光学透明 .反之 ,H+ 的萃取使 t2 g能级出现空穴 ,即形成 Ni3+ ,导致光吸收  相似文献   
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