测试设备中VXI产品的"三化”管理

阐述了测试设备"三化”管理的主要内容和测试设备中VXI产品的"三化”管理模式,着重介绍了VXI产品"三化”特性的评定方法.     

基于μC/OS-II的嵌入式系统驱动构件裁减设计

嵌入式系统强调软硬件的协同性与整合性,软件与硬件可剪裁,以满足系统对功能、成本、体积和功耗等要求。文中通过对基于μC/OS-II操作系统的嵌入式系统驱动构件结构和驱动构件与微控制器（MCU）密切相关模块的分析,提出一种中间件技术来方便地裁减驱动构件的功能,提高驱动构件的复用性、可移植性。     

重庆市氡浓度水平调查

对重庆市主城区环境空气、房地产建筑工程场地、伴生放射性矿堆场和宾馆室内空气氡浓度进行了调查。调查结果表明:主城区在12个区24个测点的环境空气中氡浓度年均值为10.8Bq/m3;房地产建筑工程场地土壤中的氡浓度按6个工地统计均值为1193Bq/m3;不同伴生矿的矿堆场周围空气中氡浓度水平差异很大,其中萤石矿最大,其次是铅锌矿;堆场周围空气中氡浓度水平按10类被调查的矿种统计平均值为65.2Bq/m3,萤石矿堆场周围空气中氡浓度平均值369Bq/m3,约是全市区域环境空气中氡浓度的35倍;8家宾馆109个客房室内氡浓度年均值为32.9Bq/m3。     

含盐液体混合物的粘度 Ⅲ．水—有机溶剂—盐三元溶液粘度的拟二元溶质聚集模型

结合水溶液粘度的溶质聚集模型和拟二元方法，作者提出了一个适用于水－有机溶剂－盐三元溶液粘度关联的拟二元溶质聚集模型（PSAV），能够成功地应用于以盐饱和与不饱和水溶液粘度的关联，平均相对偏差约1．0％，比作者早先提出的拟二元局部组成模型（平均相对偏差为2－5％）有较大的改善，对于盐不饱和溶液，模型参数随浓度和温度呈有规律的变化。     

基于PenTile RGBWTM算法的高像素密度a-Si TFT移动液晶显示屏

采用传统的移动设备设计规则,基于PenTile RGBWTM算法开发了a-Si TFT移动液晶显示屏。将AFFS模式和PenTile RGBWTM算法相结合,制作的TFT液晶屏获得了超过200 cd/ m2的高亮度,500∶1的高对比度,以及达到VGA标准,可以清晰显示互联网网页的高分辨率。     

镁合金无铬转化处理技术的研究进展

针对传统铬酸盐化学转化处理溶液中通常含有毒性且致癌的六价铬,为保护环境及实现人类的可持续发展,近来国内外科技人员研究很多新型镁合金无铬的转化膜技术。希望取代镁合金的铬酸盐处理。据此,综述了国内外镁合金几种无铬转化处理技术的进展及现状,指出了目前镁合金无铬化学转化处理技术中存在的一些问题,展望了该技术的发展前景。     

粘土矿物部份替代钛白的新途径

将经钛水解后的废液（含１０％－２０％Ｈ２ＳＯ４）处理过的煅烧产物（滑石或高岭石）加入钛液，在晶种的诱导下，升温沸腾水解，生成偏钛酸Ｈ２ＴｉＯ３再进行煅烧，可获得着色力很高的含有１０％－３０％顽火辉石或莫来石粉末的钛白产品，该法生产时间缩短，成本低，产品用于涂料工业很有前景。     

台湾的不织布工业

近年来,不织布工业在世界上发展迅速,以美国而言,年增长率为8％,西欧为10.6％,日本为10％。台湾地区这几年的不织布生产也发展得很快,以年平均10～20％的比率显著增长,年产量已达3亿余平方米,产值为6600万美元。 台湾在1967年引进第一套不织布生产设备,经过20多年的努力,在产能、产量、质量、品种等各方面都有了长足的发展。目前,不织布生产厂已有120多家,其应用领域也不断拓展。1990年,里衬用不织布增产23％,医用卫生棉增长67.7％,而聚丙烯不织布增长幅度达268％。近年来,由于高技术不断应用到不织布生产中,使产品的档次不断提高,如宏源公司投资一条水针法生产线,远东、恒大等投入九条熔喷法生产线,东亚等投资5条纺粘法生产线,总计投资额超过35亿元(台币)。同时对加工层次较低的产品,如人造皮革、树脂棉、基布等,由于利润越来越少,产量呈下降趋势。 目前,台湾不织布行业,除了湿法不织布工艺未能投资生产外,其它生产工艺包括干     

基于蚁群算法的OFDM系统子载波分配研究

针对无线资源要求OFDM系统能够支持更高的信息速率,在比例速率约束的多用户OFDM系统资源分配中,传统算法的频谱效率较低.在子载波等功率分配条件下,用蚁群算法解决比例速率约束下多用户OFDM系统子载波分配,算法在最大化多用户OFDM系统下行链路总容量的同时又维护了用户之间的比例公平性.蚁群算法的启发搜索机制保证频谱效率快速收敛到近似最优解.仿真结果表明,提出的蚁群算法能够满足用户之间的比例速率需求,频谱效率比传统算法提高了约45％.     

化学量传感器

<正> 二、pH-ISFET的基本结构与工作原理 氢离子敏场效应晶体管(pH-ISFET)与MOSFET的区别仅在于后者的金属栅被氢离子敏感膜所代替,二者都是建立在半导体表面场效应基础上的器件,有许多相似之处,因而可将MOSFET的理论分析及其结果直接用于对pH-ISFET的分析上。为此,有必要首先介绍一些MOSFET的有关问题。