多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究

通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6～0.8 nm.同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30％改善至20％,片间均匀性从12％改善至9％,显著提升了产品的成品率.     

复杂Y型钢柱制作工艺研究

分析复杂Y型钢柱整体结构特点,制定合理的装焊顺序.采用精细等离子切割技术进行下料,合理设置割缝补偿,控制零件尺寸偏差.针对长尺寸、窄截面T肋部件,采用双边对称下料和组对焊接工艺,有效解决了T肋加工变形问题.对小空间焊接部位采用背面衬垫焊+外侧封板工艺,确保构件外形美观.     

硅化钛场板的工艺条件与特性研究

场板的制备工艺与特性研究对提高RFLDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种“Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金属”结构的场板，分析了其工艺条件对特性的影响，并优化其工艺条件。实验表明：PESi02加200nm09多晶介质层具有较好的BTcV稳定性，多晶注入后退火温度与硅化钛退火温度的提高不利于场板电阻与平带电压的稳定性。优化后的工艺条件下，该场板结构具有较好的可靠性与耐高压性。     

大型厚壁环形锻件弯曲成形工艺研究

针对环形锻件直径大、壁厚、高度低的特点,研究、分析了其变形机理及成形过程,提出了采取1/5环弯曲一拼焊成形的工艺方案.通过合理选择工艺参数,探索弯曲成形工艺,设计了一套通用工装模具.最终,通过不断优化、收集相关系列实验数据,完成了大型环形法兰锻件的生产,验证了模具设计的合理性和可行性.     

LPCVD多晶硅薄膜发雾的形成与消除

LPCVD多晶硅薄膜发雾对CMOS器件性能有重大影响,文章分析了多晶硅薄膜发雾的形成机理与影响因素,指出了低温、低压以及保持气路系统的清洁是消除多晶"发雾"的有效措施。根据多晶硅薄膜雾状斑点的形状与分布位置,对硅片表面缺陷的来源进行了分类,并从清洗工艺、污染物成分分析、前道工序等方面提出了相应的解决措施。     

40Cr钢表面激光熔覆Fe,Ni基涂层组织性能研究

为了提高40Cr钢基体的力学性能和耐蚀性,利用激光熔覆方法在40Cr钢基体上熔覆Fe基、Ni基合金涂层.通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对涂层的组织、相以及元素分布进行分析鉴定,并采用显微硬度、电化学腐蚀及摩擦磨损测试手段表征了两种涂层的综合性能.结果 表明:两种涂层的厚度均为...     

柔性纤维状电池研究进展

纤维电池具有维度低、灵活性好、形状普适性强、与纺织品高度融合等特点,可满足柔性电子产品电路元件的供能需求。近年来纤维电池的研究,不仅关注于电极材料的微纳复合,探索多功能、可扩展和高集成系统的纤维电池逐渐成为研发的焦点。此外,规模化生产纤维状电池也取得了一定的突破,包括电池组装、集成、连续生产等。基于此,本文从纤维基底材料和制备工艺两方面对近期纤维电池的研究成果展开论述,并对工业化生产纤维电池的最新突破进行评述,最后,总结纤维状电池发展存在的问题并分析展望未来需要攻克的重点难点。     

变黏酸的基本原理及发展概况

阐述了目前油田现场使用过的三种变黏酸(聚合物温控变黏酸、聚合物pH值控制变黏酸、黏弹性表面活性剂pH值控制变黏酸)的基本原理及发展概况。并通过分析三种变黏酸存在的缺陷,提出了变黏酸今后的研究方向。     

易拉罐用铝基和铁基材料组织与力学性能对比研究

对比研究了两片式3104铝合金和三片式SPTE质易拉罐罐体材料的组织和力学性能。结果表明,3104铝合金二片式易拉罐的组织主要由α-Al基体,片状Al_6Mn相,亮白块状的Al_8Mg_5相,弥散点状分布的Mg2Si相和破碎骨骼状的A16(Fe,Mn)相构成。另外,还有一些极少量骨骼状的Al(Fe,Mn,Si)和小块状的Al12(Fe,Mn)3Si四元相。SPTE罐MR的组织由铁素体和少量游离的渗碳体构成。3104铝罐体的拉伸性能各项指标远高于易拉罐罐体一般性能要求。SPTE罐拉伸力学性能的各项指标达到铝罐体对材质拉伸性能的要求。SPTE材质最佳工艺是三片式,而铝质最佳工艺是两片式。     

焊前和焊后调质处理下25Cr2Ni4MoV钢焊接接头的组织及性能

对比研究了焊前和焊后调质处理条件下25Cr2Ni4MoV钢焊接接头的显微组织、力学性能和耐腐蚀性能,调质处理工艺为920℃×1 h油淬+580℃×2 h回火,焊接工艺为手工焊条电弧焊.结果表明:焊前调质处理的接头焊缝组织为板条马氏体+δ-铁素体+M23C6碳化物,焊后调质处理使焊缝中的δ-铁素体溶解,形成了板条马氏体+...