青海盐湖氯化氢合成炉优化方案对比探究

氯化氢合成炉是氯碱系统普遍使用的氯氢合成燃烧炉,燃烧炉分为产气和产酸两种,青海盐湖化工公司为两台贤达美尔森产气炉,采用燃烧后再冷却的方式进行氯化氢合成.     

1996年展望硅微电子技术发展趋势

从硅微电子技术构图出发，在器件及其结构、工艺技术、集成电路各方面阐述了硅微电子技术在未来１５年内的发展趋势，并分析了它的发展极限及未来。     

氯乙烯精馏控制系统改造

对氯乙烯精馏控制系统进行优化改造,提高了精馏系统操作稳定性和氯乙烯单体的质量。     

国内外聚氯乙烯工业生产技术进展

聚氯乙烯作为五大塑料之一,因其难燃、耐磨、高机械强度、抗腐蚀及电绝缘等优点深受社会各界的重视,为人们的生产生活带来了极大的方便。聚氯乙烯是世界上实现工业化生产较早的塑胶品种,在工农业、建筑、包装、日常用品以及电力行业等都已有广泛的应用,在聚氯乙烯80多年的工业化生产历程中,其技术发展从未停步。     

基于等离子体氮化工艺的超薄栅氧化膜的电学特性和可靠性

介绍了利用MMT等离子体氮化工艺和炉管NO退火氮化工艺制备的超薄栅介质膜的电学特性和可靠性.结合两种氮化工艺在栅介质膜中形成了双峰和单峰的氮分布.通过漏极电流、沟道载流子和TDDB的测试,发现栅介质膜中双峰的氮分布可以有效提高器件的电学特性,更为重要的是可以极大提高器件的击穿特性.这指明了延长掺氮氧化膜在超大规模集成电路器件栅介质层中应用的寿命,使之有可能进一步跟上技术的发展.     

Mobius变换的推广及其几何性质

先引入Mobius变换，讨论了此变换在复平面中的一些性质，接着把Mobius变换的实数形式推广到了n维空间，并证明了此推广即为共形变换，最后，讨论了Mobius变换在n维空间中的球几何和微分度量。     

高速BiCMOS工艺研究

研究开发一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，该工艺采用乍对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度２．０－２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化隔离，双极器件采用多晶硅发射极晶体管。利用此工艺试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｑｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力 ０．６２ｎｓ／ｐＦ，明显ＣＭＯＳ门。     

圆柱和上半平面域拓扑积的Hilbert反转公式和合成公式

给出了双圆柱Schwarz积分公式的一个简洁证明，并由此导出了圆柱和上半平面域拓扑积的Hilbert反转公式、合成公式。     

两个半平面上的Dirichlet问题

把H lder函数类推广到两个上半平面域拓扑积的特征流形上,并在此流形上引入算子PkQk(k=1,2)和一组复合奇性算子T2,给出了两个上半平面域拓扑积的特征流形上的B-调和函数的等价条件,并利用该等价条件讨论了两个上半平面域拓扑积域上的两个古典边值问题(D irichlet问题和Neum ann问题),并给予严格证明.