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51.
综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Sez(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和PVD调整成分的研究状况.回顾了基于电化学沉积的CIS和CIGS太阳电池研究的发展过程,并介绍了目前实验室和产业化研究的最新成果,指出了存在的问题并展望了其发展趋势. 相似文献
52.
53.
X(K或Li)3AlF6-Al2O3体系低温电解研究现状评述 总被引:3,自引:1,他引:2
详细概述氧化铝在锂冰晶石和钾冰晶石体系中的低温电解研究现状,系统分析各体系的优缺点,指出将来的研究方向不应该局限于单一冰晶石体系,而应该是多种冰晶石组成的复合体系,充分发挥各自优势,减少或消除弊端,最终寻找出一种低温、高氧化铝溶解度、高电导率和低铝溶解损失的新型电解质。 相似文献
54.
55.
采用电沉积方法在SnO2玻璃基底上制备了Co-Se化合物薄膜.研究了薄膜形成的电化学机理和电沉积工艺对薄膜组成与形貌的影响,并表征了薄膜的结构与光学性质.结果表明:Co2+受预沉积Se的表面诱导还原或直接与H2SeO3的六电子还原反应产物H2Se发生反应形成Co-Se化合物;沉积电位、沉积温度和pH值均显著影响电沉积Co-Se化合物薄膜的形貌与成分;在沉积电位为?0.5V(vs SCE)、沉积温度为50℃和pH值为2.0时可制备出表面致密平整且呈六方晶型结构的富硒CoSe薄膜,其光吸收系数达到1×105 cm?1,直接带隙宽度为(1.53±0.01)eV,接近单结太阳电池光吸收层材料的理论最佳值. 相似文献
56.
通过连续改变电导池常数法(CVCC),用自制的电导率测试装置研究KCl溶液与熔融KCl的电导率。实验证明连续改变电导池常数法能满足于一般的科学实验要求,自制的电导率测试装跫能满足常温实验和高温实验的电导率测试要求。通过此装置测定了钾冰晶石在(Na3AlF6+K3AlF6)熔体中的含量为40%,AlF3在(Na3AlF6+K3AlF6+AlF3)混合熔体中的含量分别为0、20%、24%和30%的电导率,实验还讨论了AlF3含量对电导率的影响。 相似文献
57.
通过XRD及Raman物相分析、SEM形貌观察和EDS成分分析等方法研究了硫化退火温度对金属三靶顺序溅射铜锌锡硫(CZTS)薄膜性能的影响。结果表明,在一定温度范围内(500~580℃),随着温度的升高薄膜的结晶性能有变好的趋势,形貌也得到了改善。当温度达到600℃时,CZTS薄膜会发生分解反应,该分解反应不但导致薄膜结晶性能及形貌恶化,也造成了锡元素的损失。580℃条件下获得的薄膜各项性能俱佳,是最适合本实验体系的退火温度。 相似文献
58.
59.
预焙铝电解槽阳极底部开排气沟对电解质流场的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
对预焙铝电解槽阳极底部开排气沟时周围电解质流场进行计算,发现部分阳极气体可以通过排气沟向外排放,减少气泡在阳极底部停留时间和阳极底掌气泡覆盖率,从而有利于降低极间电阻压降和阳极效应系数,减少电解能耗;另一方面气体带动电解质进入排气沟,然后进入电解槽侧部通道,扩大了电解质循环通道,促进了阳极周围电解质流动和槽内的传质传热,有利于保持电解正常进行,相比之下排气沟为通沟时较非通沟更有利于保持电解质流动稳定;同时由于排气沟促进了阳极气体排放,使铝液与阳极气体发生“二次反应”(即电解还原的铝卷入电解质中被阳极气体重新氧化)的机会减少,有利于提高铝电解电流效率。 相似文献
60.
铝电解用TiB2阴极涂层固化、炭化的升温制度 总被引:3,自引:0,他引:3
采用DTG,
DDTA等热分析手段, 研究了高温固化、炭化过程中, 铝电解用TiB2阴极涂层糊料的质量和能量的变化速率,
制定了涂层的变速固化、炭化升温制度; 在此基础上,
研究了升温制度对TiB2阴极涂层性能的影响.结果表明
变速升温制度优于匀速升温制度,
采用变速固化、炭化升温制度所制备的涂层形变小、无裂纹,
其抗拉强度达3.13 MPa, 电阻率为23.2 μΩ*m; 而采用升温速度为10.3 ℃/h的匀速固化、炭化升温制度制备的涂层形变大、裂纹多,
抗拉强度小(2.69 MPa), 电阻率大(28.6 μΩ*m). 相似文献