300MW燃煤锅炉烟气SCR脱硝系统流场的数值模拟与优化设计

SCR脱硝反应系统中烟道及其导流板的结构与布置对催化剂进口截面上烟气流场及氨浓度场的分布具有重要影响.为优化某台300MW燃煤锅炉脱硝反应器中的流场与氨浓度场分布,设计了4种导流板方案,运用数值模拟方法,研究BMCR工况各方案条件下催化剂进口截面上的烟气流场与氨浓度场分布特性,确定最佳的烟道与导流板布置方案,使催化剂进口烟气速度分布与氨浓度分布标准偏差均控制在设计标准偏差范围内,达到设计要求.     

基于递进式案例教学法的Java课程教学改革研究

针对当前Java程序设计课程教学过程中存在的问题,通过分析企业需求,结合Java课程的学习任务和特点,提出递进式案例教学法,即按照课程知识点的逐步推进,将选取案例划分成多个递进子任务,学生通过完成子任务而掌握知识点的教学方法,并指出该方法能够激发学生的学习兴趣,提高Java程序设计课程的教学质量。     

爱国者“龙笔”试用手记

手写输入是指通过手写笔在手写板上书写的方式将汉字直接输入电脑。随着电脑硬件技术日新月异的发展,手写输入设备成为近几年来发展速度很快的一种电脑外设产品。面对日益激烈的手写设备竞争,各个厂商不得不全方位提高产品竞争能力。爱国者推出的“龙笔”以其低价位政策的确给     

RGD特异性结合多肽与重组改构人肿瘤坏死因子融合基因的克隆表达及其抑瘤活性

目的构建RGD多肽与重组改构人肿瘤坏死因子融合基因,进一步提高rmhTNF的临床疗效。方法应用基因重组技术构建了CRGDC与rmhTNF的融合基因,在E.coliDH5α中诱导表达重组蛋白RGDrmhTNF,采用溶菌酶法裂解菌体,裂解上清经硫酸铵沉淀、阴阳离子交换层析纯化后,用S180荷瘤小鼠模型和L929细胞体外杀伤实验测定纯化的重组蛋白RGDrmhTNF的体内、外杀伤活性。结果正确构建了编码RGDrmhTNF融合基因,重组工程菌升温诱导后以部分可溶形式表达RGDrmhTNF,纯化后纯度为96.88%,体外对L929细胞杀伤作用的比活性为3.6×108IUmg,与rmhTNF相当(3.0×108IUmg)。在S180荷瘤小鼠模型中,当RGDrmhTNF剂量为12×105IUkg时,对肿瘤的生长抑制率为84.9%,显著高于相同剂量的rmhTNF(肿瘤抑制率为59.09%,P<0.01)和环磷酰胺组(肿瘤抑制率为71.21%,P<0.01)。结论重组蛋白RGDrmhTNF可以提高rmhTNF的治疗效果。     

民营科技企业的融资问题研究

民营科技企业具有高投入、高风险、高收益的特点。尽管民营科技企业的融资方式多种多样,但融资难仍是制约民营科技企业发展的瓶颈,民营科技企业要解决融资难题,必须寻求融资方式的多样化,寻求广泛的联合和合作。     

双酚F环氧树脂/甲基四氢苯酐/DMP-30体系固化特性的研究

利用差示扫描量热法(DSC)和极值法对两种同分异构体分布不同的双酚F环氧树脂/甲基四氢苯酐/DMP-30体系固化动力学进行了研究,求得了体系的固化动力学参数,并对同分异构体分布与固化特性之间的关系进行了初步讨论。结果表明,4,4′-结构含量增加时,固化体系的活化能降低。     

核壳结构和层状结构改性剂对聚碳酸酯阻燃性能的影响

用自制的含有蒙脱土，纳米二氧化硅，纳米碳酸钙的改性剂与聚碳酸酯混合，通过锥形量热仪测试了聚碳酸酯合金的阻燃性能。结果发现合金的热释放速率、质量损失速率、生烟速率等均显著降低．燃烧时间增加，说明改性剂对聚碳酸酯具有阻燃性。通过分析材料的燃烧性能，探讨了其可能的阻燃机理。研究表明乳液聚合法制备的含有无机粒子的复合材料对聚碳酸酯是一种阻燃效能高、环境友好且实际可行的阻燃体系。     

应用本体解决面向语义的信息集成中的查询处理

面向语义的信息集成中基于Web的查询处理应用本体来解决在多个领域中检索数据可能产生的语义层的异构,对于在统一的用户界面下提交的查询请求,根据语义,从Web上搜索相关领域的信息,最终将结果显示在用户界面上.该过程是通过查询分解、子查询转换、分发子查询和子查询结果收集及语义转换来完成的.同时,考虑到基于Web的信息查询一般要涉及多个分布的数据源,查询的响应时间要依赖于网络的传输速度,一般来讲比较长,还借鉴了缓存系统的思想,在查询处理架构中引入了缓存数据库,有选择地存放最常用的查询信息,以提高整个查询的速度.     

多因素解除分析方法在凝汽器系统能损分析中的应用

凝汽器系统能损分析——多因素解除分析方法,对影响凝汽器真空的多种因素,分别进行定量分析进而以煤耗率的偏差形式确定能损分布,从而使凝汽器的在线监测成为可能。然后以直观的数据显示各种影响因素中:哪些占主导地位,对煤耗率的影响起主要作用;哪些属于从属地位,起次要作用;从而更好的为运行人员提供指导。     

4H-SiC晶体中的层错研究

采用物理气相传输法(PVT法)在4英寸(1英寸=25.4 mm)偏<11¯20>方向4°的4H-SiC籽晶的C面生长4H-SiC晶体。用熔融氢氧化钾腐蚀4H-SiC晶体, 并利用光学显微镜研究了晶体中的堆垛层错缺陷的形貌特征和生长过程中氮掺杂对4H-SiC晶体中堆垛层错缺陷的影响。结果显示, 4H-SiC晶片表面的基平面位错缺陷的连线对应于晶体中的堆垛层错, 并且该连线的方向平行于<1¯100>方向。相对于非故意氮掺杂生长的4H-SiC晶体, 氮掺杂生长的4H-SiC晶体中堆垛层错显著偏多。然而, 在氮掺杂生长的4H-SiC晶体的小面区域, 虽然氮浓度高于其他非小面区域, 但是该小面区域并没有堆垛层错缺陷存在, 推测这主要是由于4H-SiC晶体小面区域特有的晶体生长习性导致的。