磁芯中存在静磁场时的电感测量

本文叙述对 IEC367—1(82)《通信用电感器和变压器磁芯测量方法》中第15条提出的有关《静磁场影响》测量方法的研究。用 LCR 测试仪 HP4274A,按照附录 L_1建立测试系统。用该系统测量 U、E 型磁芯在交直流磁场叠加下的电感。分析了测量系统的误差。     

以联吡啶为配体的新型钴配合物的合成、结构及性质

以2,2’-联吡啶(BIPY)和苯甲酸钠为共原料,和氯化钴反应合成了一种新型的钴配合物[Co(BIPY)(C_6H_5COO)_2],并通过扩散法得到了该配合物的单晶。通过X-射线单晶衍射、元素分析、红外光谱对该配合物进行了结构表征。晶体结构表明:该分子结构中,钴配位中心分别与一个2,2’-联吡啶和两个苯甲酸配位。我们还对该配合物的热稳定性进行了研究。     

Bi2Te3片式阵列的制备及生成机理

以Bi（NO3）3和Te为反应物，在乙二胺四乙酸二钠（EDTA-2Na）、N，N-二甲基甲酰胺（DMF）与乙醇组成的混合溶剂以及过量强碱KOH的作用下，通过溶剂热反应，制得Bi2Te3热电材料的片式阵列纳米结构。利用XRD、SEM、EDX对产物的物相、形貌及成分进行了表征和研究。通过实验研究推断这种BizTe，片式阵列的形成过程可能是一个络合-成核-生长-脱离-组装的过程。     

二吡啶胺为配体的新型镍配合物的合成及结构

以2,2'-二吡啶胺(Hdpa)和对氨基苯甲酸钠(PABA为4-氨基苯甲酸阴离子)为原料,和氟化镍反应合成了一种新型的镍配合物[Ni(PABA)(Hdpa)2]F(CH3OH)。通过X-射线单晶衍射、红外光谱、元素分析、质谱(ESI),对该配合物进行了结构表征。晶体结构表明,该配合物为阴离子-阳离子型化合物。     

Al片/PVDF介电复合材料的制备及性能

以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体, 选用普通工业铝粉为填充组分, 选用乙醇为溶剂, 采用一种简单球磨工艺制备Al片/PVDF介电复合材料, 研究了不同含量的铝粉对复合材料的介电性能的影响。利用SEM分析了复合材料的微观形貌, 并用EDS对微观区域进行元素分析。研究结果表明, 铝片的加入不仅大大提高了复合材料的介电常数, 降低了介电损耗, 而且还具有较高的击穿性能, 满足电子工业领域的要求。      

射频磁控溅射制备层状Bi-Te薄膜及热电性能研究

采用射频磁控溅射制备了具有特殊层状纳米结构的碲化铋热电薄膜. 以Bi₂Te₃为靶材, 在不同基底温度和沉积时间下制备了薄膜, 并利用X射线衍射、扫描电镜和X射线能谱等对样品进行了结构和成分分析, 同时测试了薄膜的电导率和Seebeck系数. 结果表明, 基底温度是影响薄膜微结构和热电性能的关键因素之一, 较高的基底温度利于层状结构的形成和功率因子的提高, 400℃基底温度下制备薄膜的功率因子最优. 然而, 所有薄膜均显示不同程度偏离Bi₂Te₃的化学计量比而缺Te, 优化薄膜成分有望进一步提高薄膜的热电性能.     

4,4‘—二苯醚二甲酸改性PET等温结晶的研究

采用光学解偏振法对４，４’－二苯醚二甲酸改性ＰＥＴ的等温结晶进行了研究。结果表明，随着ＯＢＢＡ添加量的增加，共聚酯的结晶诱导期期延长，总结晶速度减慢，结晶活化能增大，与均聚酯相比，结晶趋于困难。