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1 仪器特点 所用仪器为南京分析仪器厂八九年出厂的SZ-001型四极质谱计,出厂技术指标见表1。针对流程监测要求,对仪器的数据采集和控制系统进行了改造,实现的主要功能包括:(1)两种测量方式:分别为多通道(最多5通道)扫描测量和多组分(最多8个组分)同时(依次)测量,两种方式的结果分别为峰形质谱图(图1)和质谱图(图2),前者用于样品的同位素丰度测量,后者用于流程样品的连续在线监测。屏幕显示的质谱图直观反映流程样品中各同位素含量随时间的变化,是质谱在线监测能够实时指导同位素分离流程控制操作的核心功能。 (2)不同… 相似文献
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为了获得低成本、高渗氢率、长寿命、高强度的选择渗氢膜,耐熔金属锆(zr)被选作复合膜的基体。在真空度为3.0×10-7Pa下,采用离子轰击刻蚀去除其表面氧化层,实验发现在其表面上仍有少量氧化锆的存在。在真空度为6.6×10-6Pa下,采用离子溅射镀膜法,在锆片直径为50 mm、厚度为0.23 mm的双表面上分别镀上了一层厚约400 nm的钯薄膜。采用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对锆表面及复合膜表面进行了分析。渗氢实验显示这种复合膜的渗氢系数φ为9.917×10-8mol/m·s·Pa1/2(温度623 K,高压侧0.2 MPa,低压侧0.1 MPa),是相同条件下的商用钯银合金膜的6.8倍。研究结果表明,这种Pd-zr选择渗氢复合膜对核燃料和聚变燃料的纯化及反应堆增殖剂中氚的提取具有很大的应用前景。 相似文献
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研究了磁控溅射工艺参数对Au膜生长速率、表面粗糙度和微观结构的影响。结果表明:当溅射功率低于200W时,溅射功率对薄膜表面粗糙度、微观结构的影响不明显。标定了溅射功率为20W条件下的Au膜生长速率,观察了Au的生长过程,在Si基底沉积的Au为岛状(Volver-Weber)生长模式,Au膜厚度为8nm时,薄膜开始连续。晶粒尺寸与薄膜厚度的关系研究结果表明:在生长初期,晶粒尺寸随厚度线性增大;随后,晶粒尺寸增速变缓,直至停滞;趋于70nm时,新晶粒形成取代晶粒长大。 相似文献
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仪器特点 所用仪器为南京分析仪器厂八九年出厂的SZ-001型四极质谱计,出厂技术指标见表1。 相似文献
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用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(100)基片上制备金属Mo薄膜,研究薄膜结晶性能与能量密度之间的关系,探讨薄膜生长机制和粒子能量在薄膜生长中的作用。原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、光滑,均方根粗糙度小于2 nm。X射线衍射(XRD)分析表明,随着能量密度的增加,Mo薄膜衍射峰宽变窄,薄膜从非晶态逐步变为多晶态,晶粒尺寸逐步变大。 相似文献
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