真空电弧沉积的TiN薄膜表面分析

对真空电弧沉积的ＴｉＮ薄膜表面化学组份、组织结构、形貌及库度分布进行了测试与分析。结果表明，薄膜中Ｔｉ、Ｎ两种元素原子比接近１：１，其它杂质元素含量极少，薄膜为ＴｉＮ单相结构，（１１１）晶面择优取向；薄膜表面形貌光滑致密，颗粒含量少；薄膜厚度分布较均匀。     

电触头设计

电触头的设计是当前国内电器制造行业工程技术人员普遍关心和急待掌握的重要问题。国内已出版的有关书籍和资料很少系统地讲述这方面的知识。本文根据电触头使用的一般技术要求,比较详细地论述触头结构(包括固定接触、滑动接触和可分合接触)、材料选用,以及触头尺寸、接触力、外加预压力、触头开距、触头超程等参数的决定方法。最后还简要介绍了触头性能的测试,包括接触电阻、接触电压、触头温升、触头熔焊、触头侵蚀等的测量,以及触头加速电寿命试验、触头可靠性试验等。     

真空灭弧室与SF6灭弧室串联的混合断路器开断容量增益特性分析

基于真空和SF6气体两种不同灭弧介质的灭弧特点,分析真空灭弧室与SF6灭弧室串联组成的混合断路器可获得更大开断能力的机理。根据混合断路器开断能力提高机理提出对其操动控制机构的要求,并将额定电压12 kV,开断电流20kA的真空断路器与额定电压12 kV,开断电流6.3 kA的SF6断路器串联搭建光控模块式混合断路器实验模型。对实验模型进行短路电流开断测试,并对比单个SF6断路器与基于相同SF6断路器串联真空断路器的混合断路器的短路电流开断能力。得出SF6断路器与混合断路器的开断容量曲线,混合断路器相比SF6断路器开断容量增益倍数在1.4以上。证明混合断路器可在不增加SF6气体使用量的前提下提高短路电流开断容量。     

用于真空度测量的脉冲磁控放电研究

本文详细讨论了同轴场式脉冲磁控放电真空度测量的有关问题，包括磁控真空计工作过程中的放电行为、产生稳定的磁控放电所必须满足的着火条件、以及稳定放电时离子电流与压强的函数关系。分析表明，当磁场强度大于某一临界值时，磁控放电的离子电流与磁场强度无关；离子电流是压强的幂函数，且与所测真空器件电极的表面状况和几何结构有关。最后本文绘出了若干真空灭弧室真空度的测量实例。     

基于同步真空断路器的智能无功补偿装置

为了提高10kV配电网的供电质量，提出一种基于同步真空断路器的智能无功补偿系统。该系统以同步真空断路器(SVCB)与智能功率因数控制器(IPFC)为核心，通过同步(选相控制)技术减少投切电容器组时所引起的涌流与过电压；IPFC综合电网功率因数、无功需求以及谐波谐振保护作为动作判据。这样不但可以达到最佳无功补偿效果，并能有效地解决暂态冲击、轻载反复投切与谐波谐振等问题，弥补了当前无功补偿装置所存在的不足。仿真分析与试验研究验证了该方案的优越性与可行性。     

真空开关触头材料的电弧重熔研究

本文介绍了真人开关触头材料电弧重熔工艺原理和电弧电熔系统及实验结果。     

单相电路两种谐波检测方法的研究

针对单相电路的谐波电流检测,研究了两种检测方法,基于快速傅里叶变换FFT（Fast Fourier Transform）的谐波电流检测法和基于瞬时无功功率理论的谐波检测法。理论分析和仿真结果证明,两种方法都能精确地实时地检测出单相电路中的瞬时谐波电流。FFT可以精确地检测任意次谐波的幅值和相位,幅值和相位信息是分离的,但实时性较差。基于瞬时无功功率理论的检测法能够瞬时检测到谐波分量,具有很好的实时性,但是检测结果包括幅值和相位信息,二者不能分离开,同时需要选择适当的截止频率,以兼顾检测精度和动态响应速度。综合考虑检测精度和实时性,基于瞬时无功功率理论的检测方法更有优越性。     

一种新型光纤电流互感器的研究

介绍了一种新型混合式光纤电流互感器的设计原理、系统组成及其要解决的主要问题 ,提出了相应的解决方案 ,给出了初步的实验结果     

关于莫空开关截流的测试条件与测试方法

简述了对真空开关截流值的定义,给出了截流测试电路,分析了电感端电压峰值取样的可行性,介绍了一种微机测试系统.     

电触头材料熔焊、截流理论预测研究

本文介绍了评价触头材料及其不同配对时抗动、静熔焊能力相对大小的理论判据，指出电触头材料在非对称配对时，其抗动熔焊能力存在“最优效应”、“最劣效应”和“中间效应”，其抗静熔焊能力存在“弱中间效应”．介绍了一种新的简洁易用的触头截流理论模型，该模型能方便地预测不同触头材料截流水平的大小顺序，并指出了低截流触头材料所应具有的电气、物理、热学性质。