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利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[010]SrTiO3∥[010]BiCuSeO和[001]SrTiO3∥[100]BiCuSeO。电学性能测试表明该薄膜在20~350 K内均表现出金属导电特性,室温电阻率仅为12.5 mΩ·cm,远低于相应的多晶块体材料。计算所得的室温功率因子PF约为3.3μW·cm-1·K-2,高于相应的多晶块体材料,表明c轴取向BiCuSeO外延薄膜在薄膜热电器件领域具有重要的应用前景。 相似文献
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为提高聚苯胺(PANI)膜的耐蚀性,在苯胺-硫酸电解液体系中,采用电化学恒电流法在不锈钢表面合成了PANI膜,利用电化学测试技术、SEM和XRD研究了Zn2+掺杂对电化学合成PANI膜耐蚀性能的影响。结果表明:Zn2+的掺杂使PANI膜微观形貌由不规则片状转变为规则的纤维状形貌;掺杂改性后PANI膜的交流阻抗明显增大,腐蚀电位向正方向移动,腐蚀电流减小;掺杂Zn2+的PANI膜经质量分数为10% 的HCl点滴实验测试,腐蚀时间达320 s;经中性盐雾实验48 h后,PANI膜未见锈蚀。 相似文献
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二元胺扩链含硅双马来酰亚胺剂聚物的合成及其性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文以4,4'-二胺二苯甲烷、4,4'-二胺基二苯醚为扩链剂,与含硅双马来酰胺Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ进行Maechal氢移位加成反应,制备出6种含硅双马亚酰亚胺剂聚物,并对其分子结构进行了表征。DTA测试数据实,齐聚物的固化反应温度在157-325℃之间,固化反应的活性顺序为d>c>f>b>e>a;齐聚物固化树脂的热分热过程分阶段进行,固化树脂的热稳定性顺序为f>e>d>c>b>a。研究结果表明,有机硅桥接基 相似文献
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在CoSO4-C6H7N-H2SO4混合液中,采用恒电位法合成了CoO/聚苯胺(PANI)复合膜,研究了添加剂(H4N)2S对CoO/PANI复合膜的影响。通过电化学测试技术、SEM、XRD和加速腐蚀试验等方法对CoO/PANI复合膜的微观形貌及耐腐蚀性能进行分析。结果表明,合成的CoO/PANI复合膜中,CoO以晶体形式存在,(H4N)2S的加入改变了CoO/PANI复合膜膜层的微观形貌,由不致密不规则的片状结构转变为均匀致密规则的片状一体结构,(H4N)2S加入量过大导致(H4N)2S-CoO/PANI复合膜表面出现少量孔洞;未添加(H4N)2S的CoO/PANI复合膜自腐蚀电流密度为7.079×10-6 A/cm2,自腐蚀电位为-0.545 V,添加0.3 g/L的(H4N)2S后,(H4N)2S-CoO/PANI复合膜自腐蚀电流密度达到7.943×10-7 A/cm2,自腐蚀电位达到-0.314 V,极化电阻为6 426.8 Ωcm2,经过10% HCl点滴腐蚀时间达478 s,中性盐雾实验56 h未见锈蚀,(H4N)2S显著提高了CoO/PANI复合膜的耐腐蚀性能。 相似文献
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含硅双马来酰亚胺的合成及表征 总被引:5,自引:2,他引:5
采用新的合成路线制得了N-(4-羟基苯基)马来酰亚胺,并以此为起始反应物合成了3种新型含硅双马来酰亚胺。所合成的含硅双马来酰亚胺的分子结构采用红外光谱及^1H-NMR进行了表征。 相似文献
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