铜的气体表面渗硅新工艺研究

本文研究了纯铜的气体表面渗硅新工艺，也即在含硅气氛下低温沉积和扩散表面改性的工艺研究情况，介绍了各实验参数对渗硅层厚度和性能的影响     

炭系填充型导电复合材料电性能的研究

采用以醇酸树脂、碳黑-石墨系导电填料、溶剂和助剂制备了填充型导电复合材料,其表面电阻RS低于70 Ω.考察了导电填料粒径、填料质量分数、填料的热处理、填料分散度,以及混合填料对填充型导电复合材料电性能的影响.在SEM上观测了导电复合材料形貌,通过计算,发现碳黑和石墨组成的混合填料的分散性优于单一填料的分散性.     

20CrMnTiH钢齿轮变形试验研究

使用保证淬透性带的20CrMnTiH钢制造重型汽车变速箱齿轮,其变形较普通20CrMnTi小且波动较稳定,不仅有利于减少热处理后的磨削加工,也提高了齿轮的整体质量.     

高聚物磨损研究的近况

随着高分子材料的应用日益广泛，其磨损现象越来越受到重视。本文综述了近年来国内外学者在高分子材料磨损方面的研究工作，着重阐述了滑动磨损、磨粒磨损、冲蚀磨损的研究进展。     

铅黄铜零部件表面除铅处理

研制了一种用于铅黄铜零部件表面除铅溶液,并开发了与之相关的黄铜零件表面除铅工艺.X射线能谱分析证明,经表面除铅处理后的黄铜零件表面的含铅量,低于标准规定值.     

纳米Ag-Al2O3复合粉末的制备

用甲醛—银氨溶液,在超声波辐照下对10～20nm的A12O2粉末进行化学镀银,制备出了纳米Ag—A12O2复合粉末,并探讨了镀液组成及其工艺条件对纳米A12O2粉末化学镀银的影响。结果表明,改变镀液中氨水的含量和pH值可以控制镀液的稳定性和反应诱导期的长短;增重测定和X射线衍射分析结果表明,调整甲醛的用量和装载量的大小可以得到重量百分比为11％～74％银的纳米Ag—A12O2复合粉末。TEM观察的结果表明,通过该工艺所得到的Ag—A12O2复合粉末具有很好的均匀性。     

CVD技术在制备含硅化合物膜层中的应用

本文综述了近十几年来CVD技术在不同基底材料上制取含硅化合物膜层的研究应用 ,并提出了目前存在的问题     

冲蚀磨损下单晶硅(111)面的断裂行为

实验选取单晶硅为研究对象，分别经静态压下、球形粒子冲击试验和角状粒子冲击试验，然后对各种材料表面断裂形态进行了比较，探究了固体颗粒冲蚀的磨损机制，阐述了在冲蚀条件下，试样有限表层空间所发生的特有的绝热应变，以及塑性耗尽时由绝热应变所导致的材料最终断裂，讨论了材料表层赫兹断裂与解理断裂之间的竞生现象，发现晶体学特征对冲蚀过程中材料表层断裂有很大影响，因此在一般的冲蚀过程中不能忽视。     

碳化硅晶须增韧氮化硅瓷的冲蚀磨损研究

本文比较了几类先进结构陶瓷材料受ＳｉＣ和石英砂粒子在不同冲击角下的冲蚀磨损行为．结果表明，在两种情况下（一是以ＳｉＣ为冲蚀粒子，在小于２０°的低冲击角下；二是分别以石英砂和ＳｉＣ为冲蚀粒子，在恶劣冲击条件下，如冲击角为９０°），ＳｉＣｗ／Ｓｉ３Ｎ４即碳化硅晶须增韧氮化硅，具有最佳抗磨损性能．冲击角为９０°时，在ＳｉＣ粒子冲蚀下，ＳｉＣｗ／Ｓｉ３Ｎ４冲蚀磨损率比常规Ｓｉ３Ｎ４下降了５０％；在ＳｉＯ２粒子冲蚀下，冲蚀磨损率下降了近７０％．其它冲蚀角下其冲蚀磨损率也有不同程度降低．基于ＳＥＭ分析，发现ＳｉＣｗ／Ｓｉ３Ｎ４表面主要磨损破坏为薄片状剥落，并伴随着一定程度的晶须拔出和晶须桥联现象．而Ｓｉ３Ｎ４表面则表现为整体演裂．说明ＳｉＣｗ／Ｓｉ３Ｎ４晶须的加入使其耐冲蚀磨损性能提高的原因在于：晶须拔出和晶须桥联有效地阻止了冲蚀磨损表面裂纹的扩展和联结．硬度是陶瓷材料重要的机械性能．硬度（Ｈｒ）和断裂韧性（Ｋｌｃ）的同时改善，有助于提高陶瓷材料的抗冲蚀磨损性能．     

溶胶凝胶和化学镀法制备超细CoAl2O4粉体的研究

本研究用溶胶凝胶法和化学镀法两种方法制备超细CoAl2O4粉体,并且利用XRD,SEM,EDX,DTA等手段进行了检测.结果表明两种方法制备的粉体有相同的尖晶石转变温度;溶胶凝胶法制备的粉体成分严格符合化学计量比,化学镀法制备的粉体中Al是过量的.与溶胶凝胶法相比,用化学镀法来制备的粉体粒度小而且均匀一致,比表面积大,可以很好地控制粉体的粒度和组成.在化学镀制备工艺下,粉体催化剂的反应接触面积较大,有可能获得较高的催化效率;而且用便宜的Al2O3部分替代了昂贵的CoAl2O4.降低了成本,说明化学镀法是一种制备超细CoAl2O4粉体的高效方法.