高质量的AlGaN外延结构和UVC垂直腔面发射激光器的实现（英文）

AlGaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)因其优越的材料性质和器件优点吸引了很多关注.然而,由于材料外延生长和器件制备工艺的局限,AlGaN基VCSEL制备很困难.本工作通过侧向外延生长技术制备了高质量的AlGaN多量子阱(MQWs)结构的外延片,并通过X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)实验对外延片进行了分析.XRD测量显示,外延片中的AlN模板层几乎是弛豫的,刃位错密度为10⁹ cm^-2.随后,生长的AlGaN/AlN超晶格(SL)层被用来减少刃位错密度,使得量子阱中的位错密度为10⁸ cm^-2.根据PL测试结果,MQWs的内量子效率(IQE)为62%,且在室温下的发光以辐射复合为主.通过激光剥离(LLO)和化学机械抛光(CMP)技术,将这些外延片制备成UVC VCSEL.经过这些工艺,MQWs的晶体质量没有受到影响,还在抛光之后的表面观察到了UVC波段的受激辐射.这些AlGaN基UVC VCSEL在275.91,276.28和277.64 nm实现了激射,最小激射阈值为0.79 MW cm...     

变频调速恒压供水系统实验研究

应用变频调速技术恒压供水的实践中，并用实验方法全面地研究了控制对象（水泵）的特性及其对系统的影响，分析了以压力为控制参数的系统节能效率，并对测量压力的不确定度进行了评定。     

P型长波Hg_（1－x）Cd_xTe材料MBE生长技术研究

用分子束外延的方法在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好．在适当的热处理条件下，材料Ｐ型电学参数达到了较高水平，并具有良好的可重复性     

小麦应用多效唑对下茬大豆影响的初步观察

多效唑对小麦的防倒、增产效应已为大家所共识,但多效唑在土壤中残留时间较长,对下茬作物有抑制作用。对下茬大豆影响方面,尚未见有报道。据我们在小麦亩用100克多效唑(商品量,下同)的试验田中播种大豆后观察,可对半数以上幼苗有不同程度的抑制作用,严重处可危及产量。现把观察所得结果整理如下。     

降低生产成本 提高企业经济效益

根据党的十四届五中全会和中央经济工作会议精神,我国经济体制改革的目标是建立社会主义市场经济体制。要实现两个根本性转变,即经济体制从传统的计划经济体制向社会主义市场经济体制转变和经济增长方式从粗放型向集约型转变,这就要求企业遵循社会主义市场经济规律,在国家宏观调控指导下,一方面转换机制,积极走向市场参与竞争,并按市场经济规律组织生产;另一方面,严格内部企业管理,通过强化内部管理来约束和规范企业行为,形成适应市场经济要求的机制。随着社会主义市场经济体制的建立,市场机制作为社会经济运行的基     

金属镁冶炼还原渣脱硫性能

为充分利用固废资源,降低脱硫成本,采用传统皮江法冶镁工艺中产生的金属镁渣为基质,利用实验室湿式脱硫系统,对不同镁渣粒径、烟气气体流速、二氧化硫浓度、固液质量比（简称固液比）以及氧气含量条件下的脱硫性能进行了研究。结果表明,样品粒径越小,流速越慢,二氧化硫流速越低,固液比越低,脱硫量越高;反之,则脱硫量越小。在粒径0.106 mm、烟气流速340 mL/min、二氧化硫流速10 mL/min、固液比0.1 g/g、饱和脱硫时间1 575 min的条件下,二氧化硫吸附量为1 354.62 mg/g。     

紫外光辐射接枝及胺化法制备温敏性聚乙烯薄膜

实验探索在水性体系中经紫外光辐射,引发丙烯酸(AAC)在聚乙烯(PE)薄膜表面接枝,并经过胺化反应,在已改性的丙烯酸-聚乙烯(AAC-g-PE)薄膜上继续引入功能团,使改性后的PE薄膜具有温度敏感性。考察了引发剂用量、紫外光照射时间对接枝率的影响,并对不同胺化剂合成产物的温敏效应进行比较,从而达到实验目的。通过红外光谱和尺寸变化率证明丙烯酸接枝在PE表面,胺化反应后,生成聚N-异丙基丙烯酰胺聚合聚乙烯(PNIAAm-g-PE)薄膜和聚N-正丙基丙烯酰胺聚乙烯(NNPA-g-PE)薄膜具有温敏性。     

科威特苏比亚配水工程混凝土养护工艺及效果

科威特苏比亚配水工程主要构筑物混凝土的施工特点多样化，混凝土养护技术要求特殊，气候条件恶劣，对混凝土养护提出了不同的需求。本文介绍科威特苏比亚配水工程混凝土的养护工艺、养护效果。     

热电材料CoSi和CrSi_2的晶格热膨胀性

利用动态高温X射线衍射技术分别对立方CoSi和六方CrSi2化合物在298~973 K温度范围内的晶格热膨胀性进行了研究。结果表明:化合物CoSi的点阵参数随温度升高呈线性增长关系,其平均线热膨胀系数aα和平均体热膨胀系数αV分别为1.14×10-5K-1和3.42×10-5K-1,两者之间符合立方晶系关系式,即3αa=αV;化合物CrSi2的点阵参数随温度升高而显著增大,其中沿a轴和c轴的平均线热膨胀系数及平均体热膨胀系数分别为αa=0.96×10-5K-1,cα=0.73×10-6K-1和αV=2.45×10-5K-1,三者之间符合六方晶系关系式,即2αa+cα=αV;化合物CrSi2沿a轴方向的线热膨胀系数远大于沿c轴方向的,呈较强的各向异性。