全文获取类型
收费全文 | 94篇 |
免费 | 11篇 |
国内免费 | 8篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 6篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 45篇 |
机械仪表 | 4篇 |
矿业工程 | 1篇 |
轻工业 | 1篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 29篇 |
一般工业技术 | 17篇 |
冶金工业 | 4篇 |
原子能技术 | 1篇 |
自动化技术 | 2篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 5篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 4篇 |
2018年 | 1篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 12篇 |
2011年 | 5篇 |
2010年 | 16篇 |
2009年 | 16篇 |
2008年 | 17篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 1篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 5篇 |
2002年 | 2篇 |
1990年 | 3篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有113条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
52.
53.
54.
不同的钎焊工艺条件会对复合钎料中增强相颗粒(如Ni,Ag,Cu等金属颗粒)周围金属间化合物的形貌和尺寸产生影响,而增强相颗粒周围金属间化合物的尺寸又会对复合钎料的力学性能产生影响。在共晶Sn-3.5Ag钎料中外加微米级铜颗粒制成复合钎料,研究了不同的升温速率对复合钎料内部颗粒显微组织和力学性能的影响。结果表明,复合钎料中铜增强颗粒周围存在着厚度不均的金属间化合物层,不同的升温速率对这层金属间化合物的形貌基本没有影响,只会对其厚度尺寸有影响。此外,建立了不同升温速率与铜颗粒增强的Sn-Ag基复合钎料增强颗粒周围金属间化合物尺寸和力学性能的关系。 相似文献
55.
人工髋关节用复合多孔钛股骨头制备方法的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本研究采用等离子旋转电极制取的Tc4钛合金球形粉末,涂覆在致密芯杆上,制成柄部表面多孔层厚度约2mm的复合多孔钛股头。本文着重研究了原始粉末粒度、烧结制度、基体表面粗糙度对复合多孔层的孔径、孔隙度以及多孔层与基体间结合强度的影响,同时还测定了复合多孔钛股头的机械性能。研究结果表明,材料的最大孔径主要取决于原始粉末粒度,并随粉末粒度的增大而线性增加。影响结合强度的主要因素是烧结制度、原始粉末粒度和基体表面粗糙度。其结合强度随烧结温度的提高、保温时间的延长、原始粉末粒度的下降和基体表面粗糙度的增加而增加。孔隙度仅取决于粉末的堆积状态。所获得的复合多孔钛股头的机械性能为σb=830~880 MPa,σ0.2=810~840 MPa,σ=9.5~12.0%,ψ=26.0~33.0%。 相似文献
56.
具有纳米结构的增强颗粒对SnBi焊点电迁移的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
探究了颗粒增强无铅复合钎料的电迁移特性。试验采用具有纳米结构的笼型硅氧烷齐聚物(POSS)颗粒作为增强颗粒,制备SnBi基复合钎料。在25oC,104A/cm2条件下,对钎料一维焊点实施不同时间的通电试验,并对焊点表面形貌和内部显微组织进行观察。结果表明,相对于共晶SnBi焊点,POSS颗粒增强复合钎料焊点的电迁移现象明显受到抑制。通电336h后,复合钎料焊点表面变化很小,界面处聚集的富Sn和富Bi层厚度很小,表明POSS颗粒能够有效抑制通电焊点中的物质扩散。 相似文献
57.
58.
随着第三代半导体SiC和GaN的快速发展,传统的Si基器件用封装材料已不能满足功率器件在高功率密度和高温环境下可靠服役的需求。纳米铜烧结连接技术不仅能够低温连接、高温服役,同时具有优异的导热、导电性能和相对于纳米银较低的成本,在功率器件封装研究领域备受关注,纳米铜焊膏成为最有潜力的耐高温封装互连材料之一。本文从纳米铜焊膏的制备、影响烧结连接接头性能的因素以及接头的可靠性3个方面综述了当前纳米铜烧结连接技术的研究进展,阐明了纳米铜颗粒的氧化行为及对应措施,并重点论述了纳米铜烧结连接接头的高温服役可靠性与失效机理,旨在促进低成本的纳米铜烧结连接技术在高性能、高可靠功率器件封装中的应用。 相似文献
59.
针对现有的免清洗助焊剂中对环境和人类健康有害的挥发性有机化合物VOC,研制出一种以水作溶剂不含VOC的水基免清洗助焊剂,使用Sn-3.8Ag-0.7Cu无铅钎料,对该助焊剂进行了性能检测.结果表明,无VOC免清洗助焊剂在外观、稳定性、卤化物含量等方面都符合标准,助焊性能较好,扩展率达到80.1%.焊后残留物少,无腐蚀性.在表面绝缘电阻测试中,使用该免清洗助焊剂通过波峰焊接后的梳形试验板在湿热箱中(85℃,RH85%)放置24、96和168 h后,在室温下分别测量梳形试验板的表面绝缘电阻.其最小值为3.8×108Ω,达到了免清洗技术的可靠性要求. 相似文献
60.