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以通态漏源电压为热敏感电参数(TSEP)来估计碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的结温。首先,将SiC MOSFET模块的通态漏源电阻分为芯片通态漏源电阻和封装电路电阻两部分。当漏极电流在导通电路中流过时,相应产生芯片通态漏源电压降和封装电路电压降,从而得到SiC MOSFET模块的通态漏源电压降的测量及计算方法。其次,分析SiC MOSFET模块的芯片通态漏源电阻和封装电路电阻的温度特性,并得到整个模块通态漏源电阻的温度特性。最后,提取SiC MOSFET模块的通态漏源电阻、芯片通态漏源电阻和封装电路电阻,利用芯片通态漏源电压降和封装电路电压降的温度特性关系得到SiC MOSFET模块通态漏源电压解析模型,该方法可以实现实时监测结温的目的。理论和实验结果证明了该方法的可行性。 相似文献
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考虑到断裂韧度J积分塑性分量的塑性功由载荷与加载线位移关系得到,通过测试CT(compact tension)和SEB(single edge bending)试样的裂纹嘴张开位移实现J积分计算,提出适用于两种试样的裂纹嘴张开位移与加载线张开位移转换的换算公式,并采用45钢CT试样和30CrMo钢SEB试样对新公式进行有限元数值比对和试验比对。结果表明,新公式结果与规范演算结果之间的相对误差不超过0.4%,与有限元分析结果之间的相对误差不超过0.6%,与CT试样试验结果之间的相对误差小于4.5%,与SEB试样试验结果之间的相对误差小于6%。 相似文献
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利用X射线衍射,是目前国际上对超薄多层膜进行检测常用的方法之一,但只局限于双晶或小角衍射仪。本文利用的方法解决了广角衍射仪在低角区测量时由于样品放置误差所造成的衍射峰偏移和得不到衍射曲线的问题,从而使广角衍射仪得以应用在小角区测量。文中重点对测量曲线进行了分析,准确计算了多层膜的周期和单层膜厚度,并与测量值进行了比较,结果表明利用广角衍射仪测量膜厚是切实可行的。在目前我国X射线波段反射率测量装置还没有完善的条件下,利用X射线衍射仪对超薄膜的检测更显得格外重要。 相似文献
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金蕾 《数字社区&智能家居》2006,(32)
嵌入式系统的应用正在深入,系统的复杂性不断提高。这就要求增强应用程序的管理,加快系统开发效率。嵌入式操作系统以其自身良好稳定的性能,可以做到这些。市面上的嵌入式操作系统种类繁多,μC/OS-Ⅱ由于其简单易学,注释清晰,范例丰富,受到了广大学习者的喜爱。本文就以μC/OS-Ⅱ在AVR系列单片机中的移植为例,深入到底层细节,着重介绍其中的一些关键技术。 相似文献
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2005年10月18日,霍尼韦尔过程控制部宣布在天津成立系统工厂,该工厂将致力于为纸浆和造纸行业提供质量控制系统(QCS)方面的产品和服务。霍尼韦尔过程控制部系统工厂(以下简称“系统工厂”)的成立使霍尼韦尔成为第一家为中国纸浆和造纸业提供本土化QCS产品的跨国企业,也显示了霍尼韦尔开拓造纸工业提供质量控制的“达芬奇系列扫描架”。作为系统工厂的主要产品之一,霍尼韦尔的达芬奇质量控制系统(DaVinci(?)QCS)继承了霍尼韦尔QCS 相似文献
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本文探索一种新型的电离式气敏传感器,传感器能对氢气,煤气等气体进行探测,若配上控制电路,设置报警阈值,即能自然报警。 相似文献
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